本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，且公开了一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，包括入板段、加压水洗1、2段、焊层蚀刻1段、焊层蚀刻2段、检视1段、焊层蚀刻3段、焊层蚀刻4段、检视2段、焊层蚀刻5段、焊层蚀刻6段、检视3段、焊层蚀刻7段、焊层蚀刻8段、检视4段、加压水洗3、4、5、清水入段、微蚀1段、微蚀2段、加压水洗6、7、8、清水洗段、干板组合段、出板段。该一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，通过使用滚轮传送AMB产品，滚轮之间有间距，上下安装水刀，用浸泡方式进行蚀刻，传送速率一致，蚀刻相对均匀，效率高，两面可同时蚀刻，结构简单，运行稳定可靠，成本低，环保节能，能为企业节约成本。能为企业节约成本。能为企业节约成本。
【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体为一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置。
技术介绍
[0002]在半导体制造行业中，随着功率半导体的快速发展，在第三代半导体碳化硅芯片具有禁带宽度带、热导率高等特点，市场上两种主流陶瓷铜基板加工方法：DBC和AMB，我国的高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等项目成为未来几年的“绿色经济”的热点，AMB技术能更适应高难度、高热、高载流能力的要求。AMB产品的铜和陶瓷是用活性金属钎料钎焊的，需要额外的丝印工艺， 钎焊进行将活性金属均匀地置于陶瓷基板上，对于带有额外金属钎焊层的AMB产品则需要进行额外的蚀刻工艺去除钎料，通常采用氢氟酸。是半导体制造过程中极其重要的一个环节。
[0003]目前行业内通常采用垂直连续蚀刻方法，垂直连续蚀刻进行蚀刻加工，线体一般包括上料段、清洗段、蚀刻段、清洗段、烘干段、以及下料段，整个蚀刻加工过程中，AMB产品进行垂直挂吊于夹具上进入蚀刻段内，在连续性导轨的运输下在蚀刻段内两侧溶液喷淋板面，此垂直连续蚀刻设备复杂，废液处理难度大，会产生危废排放，对环境造成影响，而且整个工艺的时间长，工艺管控复杂，成本高且没有体现出优良的效果。
[0004]为此，我们提出一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置。
技术实现思路
[0005]为了弥补现有技术的不足，本专利技术提供如下技术方案：一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，包括入板段、加压水洗1、2段、焊层蚀刻1段、焊层蚀刻2段、检视1段、焊层蚀刻3段、焊层蚀刻4段、检视2段、焊层蚀刻5段、焊层蚀刻6段、检视3段、焊层蚀刻7段、焊层蚀刻8段、检视4段、加压水洗3、4、5、清水入段、微蚀1段、微蚀2段、加压水洗6、7、8、清水洗段、干板组合段、出板段，所述入板段、加压水洗1、2段、焊层蚀刻1段、焊层蚀刻2段、检视1段、焊层蚀刻3段、焊层蚀刻4段、检视2段、焊层蚀刻5段、焊层蚀刻6段、检视3段、焊层蚀刻7段、焊层蚀刻8段、检视4段、加压水洗3、4、5、清水入段、微蚀1段、微蚀2段、加压水洗6、7、8、清水洗段、干板组合段、出板段依次水平连接。
[0006]优选的，所述入板段包括入板输送电机以及滚轮，所述滚轮与入板输送电机传动连接，所述滚轮的顶部放置AMB产品，所述入板输送电机传动连接的滚轮伸入至焊层蚀刻1末端，所述AMB产品通过输送电机带动滚轮传送至加压水洗1、2段后在通过滚轮传输至焊层蚀刻1段内部。
[0007]优选的，所述加压水洗1、2段包括由入板输送电机驱动的滚轮以及喷管，所述喷管用于喷淋清洗液对所述AMB产品进行清洗，输送滚轮用于带动所述AMB产品在所述加压水洗1、2段中运输。
[0008]优选的，所述焊层蚀刻1段、焊层蚀刻2段、焊层蚀刻3段、焊层蚀刻4段、焊层蚀刻5段、焊层蚀刻6段、焊层蚀刻7段、焊层蚀刻8段的结构相同。
[0009]优选的，所述焊层蚀刻1段、焊层蚀刻2段、焊层蚀刻3段、焊层蚀刻4段、焊层蚀刻5段、焊层蚀刻6段、焊层蚀刻7段以及焊层蚀刻8段包括蚀刻前缸体以及蚀刻后缸体，所述蚀刻前缸体的底部设置有回流管，所述回流管的另一端与蚀刻后缸体固定连接，所述蚀刻后缸体的顶部固定安装有水刀泵，所述水刀泵底部的进液口位于蚀刻后缸体的内部，所述蚀刻前缸体的内部固定安装有水盒，所述水盒的内部上下对称设置的水刀，所述水刀通过导管与水刀泵的出液口连通设置，所述蚀刻后缸体的内部设置有发热管以及PE冷却管，所述回流管的中部设置有回流管气动阀，所述水盒的内部设置有滚轮，所述蚀刻后缸体分为两个缸，一个缸用于做产品时，另一个缸保养时可互用，输送滚轮及水刀泵、水刀及水盒，回流管，回流管气动阀、发热管、PE冷却管，所述水刀泵把药水通过水刀打至水盒对AMB产品进行浸泡，除去铜下面的金属钛、银焊料，所述回流管用于蚀刻前缸体药水回流蚀刻后缸体，所述回流管气动阀用于保养时打开和关闭，所述发热管、PE冷却管用于控制药水温度，输送滚轮用于带动所述AMB产品在所述焊层蚀刻5、6段中运输。
[0010]优选的，所述检视1段、检视2段、检视3段以及检视4段的结构相同，所述检视1段、检视2段、检视3段以及检视4段包括检视输送电机以及与检视输送电机传动连接的滚轮，所述检视1段的检视输送电机与焊层蚀刻2段、焊层蚀刻3段内部的滚轮传动连接，所述检视2段的检视输送电机与焊层蚀刻4段、焊层蚀刻5段内部的滚轮传动连接，所述检视3段的检视输送电机与焊层蚀刻6段、焊层蚀刻7段内部的滚轮传动连接，所述检视4段的检视输送电机与焊层蚀刻8段内部的滚轮传动连接，所述检视1段、检视2段、检视3段以及检视4段对依次蚀刻完成的AMB产品进行检视。
[0011]优选的，所述加压水洗3、4、5、清水入段以及加压水洗6、7、8、清水洗段的结构相同，所述加压水洗3、4、5、清水入段以及加压水洗6、7、8、清水洗段包括输送AMB产品的滚轮及喷管，所述加压水洗3、4、5、清水入段内部的滚轮与检视4段传动连接，所述加压水洗3、4、5、清水入段以及加压水洗6、7、8、清水洗段的喷管用于喷淋清洗液对所述AMB产品进行清洗。
[0012]优选的，所述微蚀1段以及微蚀2段的结构相同，所述微蚀1段以及微蚀2段包括滚轮及喷管，所述微蚀1段内部的滚轮与检视4段传动连接，所述喷管用于喷淋药液对所述AMB产品进行喷洗，防止AMB产品板面氧化。
[0013]优选的，所述干板组合段包括出风口以及滚轮，所述出风口包括靠近加压水洗3、4、5、清水入段的强风喷口以及位于强风喷口另一侧的热风出口，所述干板组合段内部的滚轮与出板段传动连接，所述强风喷口及热风喷口用于喷出强风和热风对所述AMB产品表面进行烘干，所述输送滚轮用于带动所述AMB产品在所述干板组合段中运输。
[0014]优选的，所述出板段包括出板输送电机及与出板输送电机传动连接的滚轮，所述微蚀2段、干板组合段内部的滚轮与出板输送电机传动连接，所述AMB产品通过出板输送电机带动滚轮在微蚀2段至出板段运输。
有益效果
[0015]与现有技术相比，本专利技术提供了一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，具备以下有益效果：该一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，通过设计一种用于半导体AMB工艺焊层
蚀刻水平结构，以改善现有垂直蚀刻线存在的弊端，通过采用输送滚轮对AMB产品进行输送，通过滚轮之间有间距，上下安装水刀浸泡蚀刻、水洗、烘干的方式，使蚀刻过程通过浸泡完成，水平传送速率一致，蚀刻相对均匀，效率高，两面可同时蚀刻，结构简单，运行稳定可靠，成本低，环保节能，能为企业节约成本，在改善线路板蚀刻均匀性的基础上有效提高加工效率。
附图说明
[0016]图1为本专利技术的整体正视图；图2为本专利技术的整体俯视图；图3为本专利技术的入板段、加压水洗1、2段的结构示意图；图4为本专利技术的干板组合段的结构示意图；图5为本专利技术的焊层蚀刻段的侧视图；图6为本专利技术的焊层蚀刻段的俯视图。
[0017]图中：1、入板段；2、加压水洗1、2段；3本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，包括入板段（1）、加压水洗1、2段（2）、焊层蚀刻1段（3）、焊层蚀刻2段（4）、检视1段（5）、焊层蚀刻3段（6）、焊层蚀刻4段（7）、检视2段（8）、焊层蚀刻5段（9）、焊层蚀刻6段（10）、检视3段（11）、焊层蚀刻7段（12）、焊层蚀刻8段（13）、检视4段（14）、加压水洗3、4、5、清水入段（15）、微蚀1段（16）、微蚀2段（17）、加压水洗6、7、8、清水洗段（18）、干板组合段（19）、出板段（20），其特征在于：所述入板段（1）、加压水洗1、2段（2）、焊层蚀刻1段（3）、焊层蚀刻2段（4）、检视1段（5）、焊层蚀刻3段（6）、焊层蚀刻4段（7）、检视2段（8）、焊层蚀刻5段（9）、焊层蚀刻6段（10）、检视3段（11）、焊层蚀刻7段（12）、焊层蚀刻8段（13）、检视4段（14）、加压水洗3、4、5、清水入段（15）、微蚀1段（16）、微蚀2段（17）、加压水洗6、7、8、清水洗段（18）、干板组合段（19）、出板段（20）依次水平连接。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，其特征在于：所述入板段（1）包括入板输送电机（21）以及滚轮（22），所述滚轮（22）与入板输送电机（21）传动连接，所述滚轮（22）的顶部放置AMB产品（25），所述入板输送电机（21）传动连接的滚轮（22）伸入至焊层蚀刻1末端。3.根据权利要求2所述的一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，其特征在于：所述加压水洗1、2段（2）包括由入板输送电机（21）驱动的滚轮（22）以及喷管（23）。4.根据权利要求1所述的一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，其特征在于：所述焊层蚀刻1段（3）、焊层蚀刻2段（4）、焊层蚀刻3段（6）、焊层蚀刻4段（7）、焊层蚀刻5段（9）、焊层蚀刻6段（10）、焊层蚀刻7段（12）、焊层蚀刻8段（13）的结构相同。5.根据权利要求4所述的一种用于半导体AMB工艺焊层蚀刻装置，其特征在于：所述焊层蚀刻1段（3）、焊层蚀刻2段（4）、焊层蚀刻3段（6）、焊层蚀刻4段（7）、焊层蚀刻5段（9）、焊层蚀刻6段（10）、焊层蚀刻7段（12）以及焊层蚀刻8段（13）包括蚀刻前缸体（26）以及蚀刻后缸体（27），所述蚀刻前缸体（26）的底部设置有回流管（31），所述回流管（31）的另一端与蚀刻后缸体（27）固定连接，所述蚀刻后缸体（27）的顶部固定安装有水刀泵（28），所述水刀泵（28）底部的进液口位于蚀刻后缸体（27）的内部，所述蚀刻前缸体（26）的内部固定安装有水盒（30），所述水盒（30）的内部上下对称设置的水刀（...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑鹏征，
申请(专利权)人：深圳市荣华安骏机电设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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