一种便于定位的复投器及复投工艺制造技术

本发明专利技术提供一种便于定位的复投器，包括用于承载硅料的筒体及用于支撑所述筒体的支撑架，还包括位于所述筒体顶部且部分为圆台体的盖帽，所述盖帽下端面与所述支撑架上端面的法兰盘配制连接。本发明专利技术还提出一种采用该复投器的复投工艺。本发明专利技术一种便于定位的复投器，圆台型结构的盖帽可使复投器快速且平稳地悬吊定位，避免筒体进入副室时与副室下端面磕碰，使复投器能自动且精准地进入副室内；还可在复投器在运输过程中，可有效阻挡由于复投器外部环境污染造成的硅料污染，亦可在悬吊副室中时避免杂质进入复投器中，提高拉晶质量和复投效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种便于定位的复投器及复投工艺


[0001]本专利技术属于直拉单晶复投辅助装置
，尤其是涉及一种便于定位的复投器及复投工艺。

技术介绍

[0002]现有中国公开专利CN201920750922.2一种新型直拉单晶用复投器和CN202021696656.9一种半导体级直拉复投筒，所提出的复投筒与现有常规复投器的结构类似，都是采用平整面的上端面，但这种结构复投器在进入副室时需要靠手工扶正后才能进行定位，待复投器平稳后再进行提升并进入副室内。也就是，需要先将重锤降至单晶炉副室的可视位置时，使用工具将复投器与重锤进行连接后，由于复投器的顶部为平整面，重锤直接悬吊该平整的上端面时容易与副室的下端面的壁沿卡顿，必须手动操作将重锤塞入副室内再进行提拉上升。该过程每一筒复投都需要2
‑
8min的人工操作，而每装满一埚硅料需要2
‑
5次复投，则每次拉制在此步骤上所累加的时间为4
‑
40min，严重影响单晶生长的自动化进程。同时，由于部分人员因操作技能与时间等关系，会需更多时间，且复投器稳定进入副室的精度难以保证，还会导致复投器损坏或石英碎屑掉入石英坩埚内部的技术问题，从而影响拉晶过程中单晶生长质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种便于定位的复投器及复投工艺，解决了现有复投器上端面为平面容易与副室的下端壁面磕碰而只能手动操作使其进入单晶炉副室筒内的技术问题。
[0004]为解决至少一个上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
[0005]一种便于定位的复投器，包括用于承载硅料的筒体及用于支撑所述筒体的支撑架，还包括位于所述筒体顶部且部分为圆台体的盖帽，所述盖帽下端面与所述支撑架上端面的法兰盘配制连接。
[0006]进一步的，所述圆台体的母线夹角为钝角；
[0007]所述圆台体的母线角度不小于100
°
且不大于135
°
。
[0008]进一步的，所述圆台体位于所述盖帽的上段部且与位于下段部的圆柱体一体设置，且所述圆台体和所述圆柱体均为壳体结构。
[0009]进一步的，所述圆台体的上端面设有与钼杆直径相适配的通孔；且所述圆台体的上端面中的直径大于所述通孔直径且不大于所述通孔直径的2倍；
[0010]在所述圆台体侧面还设有若干间隔设置的窗孔，所述窗孔沿所述圆台体周向均匀设置。
[0011]进一步的，所述圆柱体的下端面设有与所述法兰盘配合的盘面，连接所述盘面与所述法兰盘的连接件均置于所述圆柱体的内侧；
[0012]在所述盘面内侧设有沿其直径设置的固定架，所述固定架中心处设有被钼杆贯穿设置的圆孔。
[0013]进一步的，所述盖帽高度为120
‑
200mm，且所述圆柱体高度小于所述圆台体高度；
[0014]所述圆台体高度为是所述圆柱体高度的1.5
‑
5倍。
[0015]一种复投工艺，采用如上所述的复投器，步骤包括：
[0016]当所述盖帽的顶部开始进入副室的位置时重锤位置为初始位置；
[0017]重锤带动配设有所述盖帽的复投器以设定提速从副室的下端部上行进入副室中；
[0018]待重锤位置较其初始位置提高50mm时，静置一定时间；
[0019]再以预设的提速继续上行且直至复投器完全进入副室内。
[0020]进一步的，在整个提拉复投器的过程中，待重锤位置较其初始位置提高50mm时，静置时间为0.5
‑
1min。
[0021]进一步的，所述盖帽从初始位置至复投器完全进入副室中所用时间不超过2.5min。
[0022]进一步的，整个复投器上升的速度为250
‑
350mm/h；且其转速为零。
[0023]采用本专利技术设计的一种便于定位的复投器，圆台型结构的盖帽可使复投器快速且平稳地悬吊定位，避免筒体进入副室时与副室下端面磕碰，使复投器能自动且精准地进入副室内；还可在复投器在运输过程中，可有效阻挡由于复投器外部环境污染造成的硅料污染，亦可在悬吊副室中时避免杂质进入复投器中，提高拉晶质量；并可使每筒复投的时间节约5min，提高副室旋回精度，提高复投效率。
附图说明
[0024]图1是本专利技术一实施例的一种便于定位的复投器的结构示意图；
[0025]图2是本专利技术一实施例的盖帽的俯视图；
[0026]图3是图2中A
‑
A的剖面图；
[0027]图4是本专利技术一实施例的圆柱体的俯视图；
[0028]图5是本专利技术一实施例的复投器被提拉时在初始位置的示意图；
[0029]图6是本专利技术一实施例的复投器完全进入副室时的示意图。
[0030]图中：
[0031]100、复投器
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
10、盖帽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
11、圆台体
[0032]111、通孔
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
112、窗孔
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
12、圆柱体
[0033]121、盘面
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
122、固定架
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
123、圆孔
[0034]20、筒体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
30、支撑架
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
31、法兰盘
[0035]40、钼杆
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
50、副室
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
60、重锤
[0036]70、导流筒
具体实施方式
[0037]下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。
[0038]本实施例提出一种便于定位的复投器100，如图1所示，包括用于承载硅料的筒体20及用于支撑筒体20并位于筒体20外侧的支撑架30，还包括位于筒体20顶部且部分为圆台体11的盖帽10，盖帽10的下端面与支撑架30上端面的法兰盘31配制连接。圆台体11的结构是先进入副室50内，圆台型结构的外壁可作为导向面使复投器100准确地进行定位，以便于
可快速且精准地进入副室50中，且不会出现卡顿现象；亦不会损坏复投器100，且不会出现杂质进入筒体20中。
[0039]具体地，如图2
‑
3所示，盖帽10包括位于上段部的圆台体11和位于下段部的圆柱体12，且圆台体11与圆柱体12是一体设置的结构；圆台体11和圆柱体12均为壳体结构，并与一体设置的筒体20和支撑架30为可拆卸连接设置。
[0040]进一步的，圆台体11的母线夹角θ为钝角，优选地，圆台体11的母线角度θ不小于100
°
且不大于135
°
。这是由于，若超过135
°
，则圆台体11中的内置空腔面积较小，导致用于固定圆柱体12中固定架121的螺母本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种便于定位的复投器，其特征在于，包括用于承载硅料的筒体及用于支撑所述筒体的支撑架，还包括位于所述筒体顶部且部分为圆台体的盖帽，所述盖帽下端面与所述支撑架上端面的法兰盘配制连接。2.根据权利要求1所述的一种便于定位的复投器，其特征在于，所述圆台体的母线夹角为钝角；所述圆台体的母线角度不小于100
°
且不大于135
°
。3.根据权利要求1或2所述的一种便于定位的复投器，其特征在于，所述圆台体位于所述盖帽的上段部且与位于下段部的圆柱体一体设置，且所述圆台体和所述圆柱体均为壳体结构。4.根据权利要求3所述的一种便于定位的复投器，其特征在于，所述圆台体的上端面设有与钼杆直径相适配的通孔；且所述圆台体的上端面中的直径大于所述通孔直径且不大于所述通孔直径的2倍；在所述圆台体侧面还设有若干间隔设置的窗孔，所述窗孔沿所述圆台体周向均匀设置。5.根据权利要求4所述的一种便于定位的复投器，其特征在于，所述圆柱体的下端面设有与所述法兰盘配合的盘面，连接所述盘面与所述法兰盘的连接件均置于所述圆柱体的内侧；在所述盘面内侧设有沿其直径设置的固定架，所述固定架中心处设有被钼杆贯穿设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振宇，安磊，郭志荣，李晓东，赵国伟，高建芳，王建平，许建，
申请(专利权)人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：