LED芯片封装结构和LED芯片封装结构的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片封装结构和LED芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该LED芯片封装结构利用围挡遮光层包覆在多个像素LED芯片外，其中像素LED芯片的发光侧外露于围挡遮光层的一侧，并且在围挡遮光层的另一侧设置重新线路分布层，其中，围挡遮光层用于阻挡相邻的像素LED芯片之间的串扰出光。相较于现有技术，本发明专利技术通过采用不透光的围挡遮光层，能够将像素LED芯片周围进行包覆，在实际发光时，围挡遮光层能够起到侧面遮光作用，阻挡相邻的像素LED芯片之间的串扰出光，提升发光亮度和发光均匀性。并且，本实施例中通过设置重新线路分布层和阻焊层来替代常规技术中的基板结构，能够降低封装尺寸和厚度。能够降低封装尺寸和厚度。能够降低封装尺寸和厚度。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片封装结构和LED芯片封装结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，具体而言，涉及一种LED芯片封装结构和LED芯片封装结构的制备方法。

技术介绍

[0002]在LED芯片封装
，常规的LED芯片封装，通常需要搭配基板进行封装，增加了整个封装结构的厚度，封装尺寸大。
[0003]此外，将RGB三基色发光体封装在一个模组内，因此，在实际发光过程中，由于LED芯片为自发光机制，因此其通常会多向出光，这就导致了RGB像素点之间会出现出光串扰的问题，导致LED芯片亮度会有所损失，且发光均匀性较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种LED芯片封装结构和LED芯片封装结构的制备方法，其能够避免像素点之间的出光串扰，提升发光亮度和发光均匀性，同时降低封装尺寸和厚度。
[0005]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种LED芯片封装结构，包括：
[0007]多个间隔分布的像素LED芯片，每个所述像素LED芯片均具有相对的发光侧和电极侧；
[0008]围挡遮光层，所述围挡遮光层包覆在多个所述像素LED芯片外，且所述像素LED芯片的发光侧外露于所述围挡遮光层的一侧表面；
[0009]重新线路分布层，所述重新线路分布层设置在所述围挡遮光层的另一侧表面，并与所述像素LED芯片的电极侧连接；
[0010]阻焊层，所述阻焊层设置在围挡遮光层的表面，并包覆在所述重新线路分布层外，且所述阻焊层上设置有焊接开口，所述焊接开口露出部分所述重新线路分布层；
[0011]其中，所述围挡遮光层采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在所述像素LED芯片的周围，用于阻挡相邻的所述像素LED芯片之间的串扰出光。
[0012]在可选的实施方式中，所述LED芯片封装结构还包括焊球，所述焊球设置在所述焊接开口内，并朝向背离所述围挡遮光层的方向凸起，且所述焊球与所述重新线路分布层连接。
[0013]在可选的实施方式中，所述像素LED芯片包括透明层、发光单元体和电极层，所述发光单元体设置在所述透明层上，所述电极层设置在所述发光单元体上，且所述透明层远离所述电极层的一侧外露于所述围挡遮光层的一侧表面，所述电极层与所述重新线路分布层连接。
[0014]在可选的实施方式中，所述电极层远离所述透明层的一侧表面与所述围挡遮光层的表面相平齐，并外露于所述围挡遮光层。
[0015]在可选的实施方式中，所述围挡遮光层远离所述透明层的一侧表面设置有电极凹槽，所述电极凹槽与所述电极层对应，以使所述电极层外露于所述围挡遮光层，所述重新线路分布层覆盖所述电极凹槽。
[0016]在可选的实施方式中，所述LED芯片封装结构还包括光学膜，所述光学膜设置在所述围挡遮光层远离所述阻焊层的一侧表面，并覆盖所述LED芯片的光学侧。
[0017]第二方面，本专利技术提供一种LED芯片封装结构的制备方法，用于制备如前述实施方式所述的LED芯片封装结构，该制备方法包括：
[0018]在所述衬底上形成分离层；
[0019]将多个像素LED芯片的发光侧贴装在所述分离层上；
[0020]在所述分离层上形成围挡遮光层，所述围挡遮光层包覆在多个所述像素LED芯片外；
[0021]减薄所述围挡遮光层，并露出所述像素LED芯片的电极侧；
[0022]在所述围挡遮光层上形成重新线路分布层，所述重新线路分布层与所述像素LED芯片的电极侧连接；
[0023]在所述围挡遮光层上形成阻焊层，所述阻焊层包覆在所述重新线路分布层外；
[0024]在所述阻焊层上开槽形成焊接开口，所述焊接开口露出部分所述重新线路分布层；
[0025]剥离所述衬底和所述分离层；
[0026]对多个所述像素LED芯片进行晶圆级测试，并完成所述像素LED芯片的分选；
[0027]沿切割道切割所述围挡遮光层；
[0028]其中，所述围挡遮光层采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在所述像素LED芯片的周围，用于阻挡相邻的所述像素LED芯片之间的串扰出光。
[0029]在可选的实施方式中，在剥离所述衬底和所述分离层的步骤之前，所述制备方法还包括：
[0030]在所述焊接开口处形成焊球，所述焊球朝向背离所述围挡遮光层的方向凸起，并与所述重新线路分布层连接。
[0031]在可选的实施方式中，减薄所述围挡遮光层，并露出所述像素LED芯片的电极侧的步骤，包括：
[0032]研磨所述围挡遮光层，直至露出所述像素LED芯片的电极侧。
[0033]在可选的实施方式中，减薄所述围挡遮光层，并露出所述像素LED芯片的电极侧的步骤，包括：
[0034]研磨预设厚度的所述围挡遮光层；
[0035]在所述围挡遮光层上开槽形成电极凹槽，并露出所述像素LED芯片的电极侧。
[0036]本专利技术实施例的有益效果包括，例如：
[0037]本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构及其制备方法，将多个像素LED芯片间隔设置，然后利用围挡遮光层包覆在多个像素LED芯片外，其中像素LED芯片的发光侧外露于围挡遮光层的一侧，并且在围挡遮光层的另一侧设置重新线路分布层，该重新线路分布层与像素LED芯片的电极侧连接，最后在重新线路分布层上设置阻焊层，并通过焊接开口露出部分重新线路分布层作为焊盘，其中，围挡遮光层采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在像素LED
芯片的周围，用于阻挡相邻的像素LED芯片之间的串扰出光。相较于现有技术，本专利技术通过采用不透光的围挡遮光层，能够将像素LED芯片周围进行包覆，在实际发光时，围挡遮光层能够起到侧面遮光作用，阻挡相邻的像素LED芯片之间的串扰出光，提升发光亮度和发光均匀性。并且，本实施例中通过设置重新线路分布层和阻焊层来替代常规技术中的基板结构，能够降低封装尺寸和厚度。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0039]图1为本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构的示意图；
[0040]图2为本专利技术其他实施例中未设置焊球的LED芯片封装结构的示意图；
[0041]图3为图1中像素LED芯片的结构示意图；
[0042]图4为本专利技术其他实施例中设置电极凹槽的LED芯片封装结构的示意图；
[0043]图5为本专利技术其他实施例中设置光学膜的LED芯片封装结构的示意图；
[0044]图6至图14为本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构的封装方法的工艺流程图。
[0045]图标：100
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LED芯片封装结构；110
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像素LED芯片；111
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片封装结构，其特征在于，包括：多个间隔分布的像素LED芯片(110)，每个所述像素LED芯片(110)均具有相对的发光侧和电极侧；围挡遮光层(130)，所述围挡遮光层(130)包覆在多个所述像素LED芯片(110)外，且所述像素LED芯片(110)的发光侧外露于所述围挡遮光层(130)的一侧表面；重新线路分布层(150)，所述重新线路分布层(150)设置在所述围挡遮光层(130)的另一侧表面，并与所述像素LED芯片(110)的电极侧连接；阻焊层(170)，所述阻焊层(170)设置在围挡遮光层(130)的表面，并包覆在所述重新线路分布层(150)外，且所述阻焊层(170)上设置有焊接开口(171)，所述焊接开口(171)露出部分所述重新线路分布层(150)；其中，所述围挡遮光层(130)采用遮光绝缘材料，并至少覆盖在所述像素LED芯片(110)的周围，用于阻挡相邻的所述像素LED芯片(110)之间的串扰出光。2.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED芯片封装结构还包括焊球(190)，所述焊球(190)设置在所述焊接开口(171)内，并朝向背离所述围挡遮光层(130)的方向凸起，且所述焊球(190)与所述重新线路分布层(150)连接。3.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述像素LED芯片(110)包括透明层(111)、发光单元体(113)和电极层(115)，所述发光单元体(113)设置在所述透明层(111)上，所述电极层(115)设置在所述发光单元体(113)上，且所述透明层(111)远离所述电极层(115)的一侧外露于所述围挡遮光层(130)的一侧表面，所述电极层(115)与所述重新线路分布层(150)连接。4.根据权利要求3所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述电极层(115)远离所述透明层(111)的一侧表面与所述围挡遮光层(130)的表面相平齐，并外露于所述围挡遮光层(130)。5.根据权利要求3所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述围挡遮光层(130)远离所述透明层(111)的一侧表面设置有电极凹槽(131)，所述电极凹槽(131)与所述电极层(115)对应，以使所述电极层(115)外露于所述围挡遮光层(130)，所述重新线路分布层(150)覆盖所述电极凹槽(131)。6.根据权利要求1
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5任一项所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕军，周冰倩，金科，吉萍，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：