半导体结构的设计方法、系统及相关设备技术方案

本申请实施例提供一种半导体结构的设计方法、系统及相关设备，所述方法包括：获取半导体结构以及预设在所述半导体结构上的芯片的设计信息；调用半导体结构的基本设计模型，根据所述设计信息确定所述半导体结构的应力补偿方案，所述应力补偿方案至少包括：用于应力补偿的虚拟图案的分布、所述虚拟图案对应的膜层类型、对应膜层的沟槽深度和所述半导体结构的厚度；输出所述应力补偿方案。本申请实施例能够实现提升半导体结构质量，进而提高半导体器件质量。器件质量。器件质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的设计方法、系统及相关设备


[0001]本申请实施例涉及芯片
，具体涉及一种半导体结构的设计方法、系统及相关设备。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，封装工艺在实现方式上出现了2.5D封装(CoWoS，RDL等)、3D封装(TSV)等多种封装技术，其中，处于封装结构的中间位置的半导体结构能够采用模组化的方式，利用COW(Chip_on_Wafer，晶片上芯片)堆叠工艺，将不同功能的芯片通过转接板与晶圆堆叠在一起，实现电子元器件的多功能，所述半导体结构可以例如具有细间距布线能力的转接板(interposer)。在此背景下，如何提升半导体结构的质量，显得尤为重要。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体结构的设计方法、装置及相关设备，以实现提升半导体结构质量。
[0004]为实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构的设计方法，包括：
[0006]获取半导体结构以及预设在所述半导体结构上的芯片的设计信息；
[0007]调用半导体结构的基本设计模型，根据所述设计信息确定所述半导体结构的应力补偿方案，所述应力补偿方案至少包括：用于应力补偿的虚拟图案的分布、所述虚拟图案对应的膜层类型、对应膜层的沟槽深度和所述半导体结构的厚度；
[0008]输出所述应力补偿方案。
[0009]可选的，所述调用半导体结构的基本设计模型之前，还包括：构建所述基本设计模型，其中，所述基本设计模型包括至少一个设计子模型，所述设计子模型针对至少一个设计信息确定对应的半导体结构翘曲度分布。
[0010]可选的，所述构建所述基本设计模型，包括：
[0011]构建第一设计子模型，所述第一设计子模型用于模拟半导体结构上不同膜层类型对应的半导体结构翘曲度分布；
[0012]和/或，
[0013]构建第二设计子模型，所述第二设计子模型用于模拟半导体结构上不同图案密度对应的半导体结构翘曲度分布；
[0014]和/或，
[0015]构建第三设计子模型，所述第三设计子模型用于模拟半导体结构上不同沟槽深度对应的半导体结构翘曲度分布；
[0016]和/或，
[0017]构建第四设计子模型，所述第四设计子模型用于模拟半导体结构的不同厚度对应的半导体结构翘曲度分布。
[0018]可选的，所述构建所述基本设计模型之后，和/或，所述输出所述应力补偿方案之后，还包括：优化所述基本设计模型，以使得所述基本设计模型满足精度要求。
[0019]可选的，所优化所述基本设计模型，包括：
[0020]获取至少一组半导体结构的翘曲参数，以及所述翘曲参数对应的半导体结构的设计信息；
[0021]基于所述设计信息，调用所述基本设计模型，确定所述设计信息对应的模拟翘曲参数；
[0022]比较所述翘曲参数与所述模拟翘曲参数是否相同；
[0023]若是，则所述基本设计模型满足精度要求；
[0024]若否，则调整所述基本设计模型中对应所述设计信息的设计子模型，以使得所述基本设计模型满足精度要求。
[0025]可选的，所述优化所述基本设计模型，包括：
[0026]获取至少一组封装结构中的半导体结构的翘曲参数；所述封装结构包括所述半导体结构和位于所述半导体结构上的芯片；
[0027]基于所述翘曲参数，确定所述应力补偿方案的补偿误差；
[0028]基于所述补偿误差，调整所述基本设计模型中对应所述设计信息的设计子模型，以使得所述基本设计模型满足精度要求。
[0029]可选的，获取多个半导体结构的翘曲参数，迭代调整所述基本设计模型中对应所述设计信息的设计子模型。
[0030]可选的，至少利用有限元分析软件，基于对应所述设计信息的约束条件，构建设计模型，所述设计模型包括所述基本设计模型和设计子模型。
[0031]可选的，所述半导体结构至少包括转接板结构。
[0032]第二方面，本申请实施例提供一种半导体结构的设计系统，包括：
[0033]获取模块，用于获取半导体结构以及预设在所述半导体结构上的芯片的设计信息；
[0034]调用模块，用于调用半导体结构的基本设计模型，根据所述设计信息确定所述半导体结构的应力补偿方案，所述应力补偿方案至少包括：用于应力补偿的虚拟图案的分布、所述虚拟图案对应的膜层类型、对应膜层的沟槽深度和所述半导体结构的厚度；
[0035]输出模块，用于输出所述应力补偿方案。
[0036]可选的，还包括：构建模块，用于构建所述基本设计模型，其中，所述基本设计模型包括至少一个设计子模型，所述设计子模型针对至少一个设计信息确定对应的半导体结构翘曲度分布。
[0037]可选的，所述构建模块，用于构建所述基本设计模型的步骤，包括：
[0038]构建第一设计子模型，所述第一设计子模型用于模拟半导体结构上不同膜层类型对应的半导体结构翘曲度分布；
[0039]和/或，
[0040]构建第二设计子模型，所述第二设计子模型用于模拟半导体结构上不同图案密度对应的半导体结构翘曲度分布；
[0041]和/或，
[0042]构建第三设计子模型，所述第三设计子模型用于模拟半导体结构上不同沟槽深度对应的半导体结构翘曲度分布；
[0043]和/或，
[0044]构建第四设计子模型，所述第四设计子模型用于模拟半导体结构的不同厚度对应的半导体结构翘曲度分布。
[0045]可选的，还包括：优化模块，用于优化所述基本设计模型。
[0046]第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可由所述处理器运行的计算机可执行指令，所述处理器运行所述计算机可执行指令时执行如上述第一方面所述的半导体结构的设计方法。
[0047]第四方面，本申请实施例提供一种存储介质，所述存储介质存储一条或多条计算机可执行指令，所述一条或多条计算机可执行指令用于执行上述第一方面所述的半导体结构的设计方法。
[0048]本申请实施例所提供的半导体结构的设计方法、系统及相关设备，其中，所述方法，通过获取半导体结构以及预设在所述半导体结构上的芯片的设计信息，调用半导体结构的基本设计模型，根据所述设计信息确定所述半导体结构的应力补偿方案，其中，所述应力补偿方案至少包括：用于应力补偿的虚拟图案的分布、所述虚拟图案对应的膜层类型、对应膜层的沟槽深度和所述半导体结构的厚度，进而输出所述应力补偿方案。
[0049]可以看出，本申请实施例通过调用半导体结构的基本设计模型，基于半导体结构以及预设在所述半导体结构上的芯片的设计信息，能够确定半导体结构的应力补偿方案，所述应力补偿方案至少包括：用于应力补偿的虚拟图案的分布、所述虚拟图案对应的膜层类型、对应膜层的沟槽深度和所述半导体结构的厚度，从而在半导体结构的设计过程中考虑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的设计方法，其特征在于，包括：获取半导体结构以及预设在所述半导体结构上的芯片的设计信息；调用半导体结构的基本设计模型，根据所述设计信息确定所述半导体结构的应力补偿方案，所述应力补偿方案至少包括：用于应力补偿的虚拟图案的分布、所述虚拟图案对应的膜层类型、对应膜层的沟槽深度和所述半导体结构的厚度；输出所述应力补偿方案。2.根据权利要求1所述的半导体结构的设计方法，其特征在于，所述调用半导体结构的基本设计模型之前，还包括：构建所述基本设计模型，其中，所述基本设计模型包括至少一个设计子模型，所述设计子模型针对至少一个设计信息确定对应的半导体结构翘曲度分布。3.根据权利要求2所述的半导体结构的设计方法，其特征在于，所述构建所述基本设计模型，包括：构建第一设计子模型，所述第一设计子模型用于模拟半导体结构上不同膜层类型对应的半导体结构翘曲度分布；和/或，构建第二设计子模型，所述第二设计子模型用于模拟半导体结构上不同图案密度对应的半导体结构翘曲度分布；和/或，构建第三设计子模型，所述第三设计子模型用于模拟半导体结构上不同沟槽深度对应的半导体结构翘曲度分布；和/或，构建第四设计子模型，所述第四设计子模型用于模拟半导体结构的不同厚度对应的半导体结构翘曲度分布。4.根据权利要求2所述的半导体结构的设计方法，其特征在于，所述构建所述基本设计模型之后，和/或，所述输出所述应力补偿方案之后，还包括：优化所述基本设计模型，以使得所述基本设计模型满足精度要求。5.根据权利要求4所述的半导体结构的设计方法，其特征在于，所优化所述基本设计模型，包括：获取至少一组半导体结构的翘曲参数，以及所述翘曲参数对应的半导体结构的设计信息；基于所述设计信息，调用所述基本设计模型，确定所述设计信息对应的模拟翘曲参数；比较所述翘曲参数与所述模拟翘曲参数是否相同；若是，则所述基本设计模型满足精度要求；若否，则调整所述基本设计模型中对应所述设计信息的设计子模型，以使得所述基本设计模型满足精度要求。6.根据权利要求4所述的半导体结构的设计方法，其特征在于，所述优化所述基本设计模型，包括：获取至少一组封装结构中的半导体结构的翘曲参数；所述封装结构包括所述半导体结构和位于所述半导体结构上的芯片；
基于所述翘曲参数，确定所述应力补偿方案的补偿误差；基于所述补偿误差，调整所述基本设计模型中对应所述设计信息的设计子模型，以使得所述基本设计模型...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛伟，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：