模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术属于光固化3D打印技术领域，尤其涉及模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质；所述方法包括：遍历模型三角网格；对模型进行切片分层并获取全部切片层的切片图像；将底部起始连续的X层切片层确定为底层区；将剩余的全部切片层确定为正常层区；对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积；对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积；对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积；储存打印参数。本方法可使模型在打印时既能增强底部区域内的切片层的曝光和粘附能力，又能减少或消除打印时由过曝导致的误差。减少或消除打印时由过曝导致的误差。减少或消除打印时由过曝导致的误差。

【技术实现步骤摘要】
模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术属于光固化3D(3
‑
dimension，三维)打印
，具体涉及模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在现有的光固化3D(3
‑
dimension，三维)打印技术中，通常是将模型按设定层厚参数进行切片分层，然后将切片分层后的切片图像按层进行曝光打印；特别的，在模型进行贴底打印时，在底层区域内的一层或多层连续切片层时会延长曝光时间，以增强模型底层区域内成型层与打印机成型平台的粘附能力，从而保证打印拔膜时有足够拉力和保证打印成功；
[0003]但是，对底层区域内的切片层延长曝光时间又会导致成型层过曝的同时，由于光源在切片图像边缘形成散射因素或树脂光引发剂引起的连续引发因素，又会在模型底部周边生成超出模型本体的裙边结构；造成模型底层区域的切片产生打印误差。因此为了解决此问题，需要提出一种模型底层公差补偿方法，使模型在打印时既能增强底部区域内的切片层的曝光和粘附能力，又能减少或消除打印时由过曝导致的误差。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质，目的是在保证模型底层区域通过延长曝光时间保证粘附能力的同时，还能减少或消除打印时由于过曝导致的误差。
[0005]本申请实施例的第一方面提供一种模型底层公差补偿方法，包括：
[0006]遍历拼接组成模型的全部三角网格；
[0007]对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像；
[0008]将底部起始连续的X层切片层确定为底层区；
[0009]将剩余的全部切片层确定为正常层区；
[0010]对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积；
[0011]对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积；
[0012]对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积；
[0013]将模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数进行存储。
[0014]进一步地，所述的模型底层公差补偿方法，还包括：
[0015]S500、将底层区第M切片层按第一曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光；
[0016]S550、将底层区第M切片层按第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积重复曝光；
[0017]S600、将正常层区切片层按第三曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
[0018]进一步地，所述的模型底层公差补偿方法，还包括：
[0019]S225、将邻接X层之后连续的Y层切片层确定为过渡层区；
[0020]S375、对过渡层区切片层设定第四曝光时长和切片图像的完整透光面积；
[0021]S575、将过渡层区切片层按第四曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
[0022]可选地，所述切片图像的内缩透光面积，包括：按切片图像的完整透光面积进行等比内缩的透光面积，或按切片图像的完整透光面积进行等距离内缩的透光面积，或按切片图像的完整透光面积取拓扑近似内缩图形的透光面积，或按切片图像的完整透光面积取规则内缩图形的透光面积。
[0023]本申请实施例的第二方面提供一种模型底层公差补偿装置，包括：
[0024]模型网格遍历模块，用于遍历拼接组成模型的全部三角网格；
[0025]切片处理模块，用于对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像；
[0026]底层区确定模块，用于将底部起始连续的X层切片层确定为底层区；
[0027]正常层区确定模块，用于将剩余的全部切片层确定为正常层区；
[0028]第一曝光设定模块，用于对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积；
[0029]第二曝光设定模块，用于对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积；
[0030]第三曝光设定模块，用于对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积；
[0031]存储模块，用于将模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数进行存储。
[0032]进一步地，所述的模型底层公差补偿装置，还包括：
[0033]第一曝光模块，用于将底层区第M切片层按第一曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光；
[0034]第二曝光模块，用于将底层区第M切片层按第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积重复曝光；
[0035]第三曝光模块，用于将正常层区切片层按第三曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
[0036]进一步地，所述的模型底层公差补偿装置，还包括：
[0037]过渡层区确定模块，用于将邻接X层之后连续的Y层切片层确定为过渡层区；
[0038]第四曝光设定模块，用于对过渡层区切片层设定第四曝光时长和切片图像的完整透光面积；
[0039]第四曝光模块，用于将过渡层区切片层按第四曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
[0040]本申请实施例的第三方面提供了一种电子设备，包括：
[0041]至少一个处理器；以及与所述至少一个处理器通信连接的存储单元；
[0042]其中，所述存储模块存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述至少一个处理器执行所述指令时实现上述任一种所述的模型底层公差补偿方法的步骤。
[0043]本申请实施例的第四方面提供了一种非瞬时计算机可读存储介质，所述非瞬时计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一种所述的模型底层公差补偿方法的步骤。
[0044]本申请实施例的第五方面提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括
计算机指令，所述计算机指令被计算机执行时实现上述任一种所述的模型底层公差补偿方法。
[0045]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0046]1.本申请实施例的第一方面提供的模型底层公差补偿方法，在对底层区域切片层打印时，先以切片图像的完整透光面积参考正常层的曝光时间进行正常成型，能够形成一个正常、饱满的外轮廓，在不拔膜的情况下，再次重复曝光时采用内缩透光面积以一个加长曝光时间进行强化曝光，可以在加长曝光时间内，使图像边缘因光源散射因素，或树脂光引发剂引起的连续引发因素，造成的过曝成型的反应区，局限在完整透光面积和内缩透光面积之间相差的环形面积内，既能强化内缩透光面积内的曝光和增强底层切片附着力，又能在消除或减小切片外边缘误差的情况下，使环形面积区域的附着力能保证打印的顺利进行；
[0047]2.本申请实施例的第一方面提供的模型底层公差补偿方法，在对底层区域切片层打印时，可以在模型底层区域通过延长曝光时间保证粘附能力的同时，还能减少或消除打印时由过曝导致的误差，能够满足一些模型只适合贴底打印的需求；
[0048]3.本申请实施例的第一方面提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模型底层公差补偿方法，其特征在于，包括：遍历拼接组成模型的全部三角网格；对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像；将底部起始连续的X层切片层确定为底层区；将剩余的全部切片层确定为正常层区；对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积；对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积；对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积；将模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数进行存储。2.根据权利要求1所述的模型底层公差补偿方法，其特征在于，还包括：将底层区第M切片层按第一曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光；将底层区第M切片层按第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积重复曝光；将正常层区切片层按第三曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。3.根据权利要求2所述的模型底层公差补偿方法，其特征在于，还包括：将邻接X层之后连续的Y层切片层确定为过渡层区；对过渡层区切片层设定第四曝光时长和切片图像的完整透光面积；将过渡层区切片层按第四曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。4.根据权利要求1或2所述的模型底层公差补偿方法，其特征在于，所述切片图像的内缩透光面积，包括：按切片图像的完整透光面积进行等比内缩的透光面积，或按切片图像的完整透光面积进行等距离内缩的透光面积，或按切片图像的完整透光面积取拓扑近似内缩图形的透光面积，或按切片图像的完整透光面积取规则内缩图形的透光面积。5.一种模型底层公差补偿装置，其特征在于，包括：模型网格遍历模块，用于遍历拼接组成模型的全部三角网格；切片处理模块，用于对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像；底层区确定模块，用于将底部起始连续的X层切片层确定为底层区；正常层区确定模块，用于将剩余的全部切片层确定为正常层区；...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘醴，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市创必得科技有限公司，
类型：发明
国别省市：