【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种参考缓冲电路，包含： 缓冲级，用于基于高输入电压提供高跟踪电压以及基于低输入电压提供低跟踪电压；以及 第一驱动级，由上述高跟踪电压与上述低跟踪电压驱动，以输出第一高输出电压与低输出电压， 其中上述缓冲级包含： 第 一ＮＭＯＳ晶体管，其漏极耦接至第一供电电压； 第一运算放大器，具有用于接收上述高输入电压的第一输入端，耦接至上述第一ＮＭＯＳ晶体管的源极的第二输入端，以及耦接至上述第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极的输出端，用于输出上述高跟踪电压； 第一 ＰＭＯＳ晶体管，其漏极耦接至接地信号；以及 第二运算放大器，具有用于接收上述低输入电压的第一输入端，耦接至上述第一ＰＭＯＳ晶体管的源极的第二输入端，以及耦接至上述第一ＰＭＯＳ晶体管的栅极的输出端，用于输出上述低跟踪电压； 其中上 述第一ＰＭＯＳ晶体管的本体被绑至比上述第一供电电压低的第一偏压。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂维轩，康宗弘，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。