一种半导体湿法刻蚀方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种半导体湿法刻蚀方法，先在半导体晶圆的正面和反面涂光刻胶，然后对半导体晶圆的反上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第一掩蔽图案，其中，半导体晶圆的未被第一掩蔽图案掩蔽的区域为待分离区域，再对半导体晶圆进行第一次湿法刻蚀，以刻蚀部分所述分离区域，接着对半导体晶圆的正面上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第二掩蔽图案，所述第二掩蔽图案与所述第一掩蔽图案相对，再对半导体晶圆进行第二次湿法刻蚀，以去除所述待分离区域，从而将待分离区域完全去除，整个半导体分离过程采用湿法刻蚀，能够成功地将芯片分割，并且晶圆表面受到应力的影响缩小，避免了现有技术采用机械切割导致芯片变型的问题。芯片变型的问题。芯片变型的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体湿法刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体湿法刻蚀方法。

技术介绍

[0002]目前，随着半导体科技的日新月异的进步，对于半导体加工的要求越来越高。传统的加工工艺包括切割晶圆，使晶圆变成独立的芯片，然而，随着芯片越来越薄，晶圆上芯片的密度越来越高，芯片之间的切割位置也越来越窄，因而，在切割的过程中，芯片受应力的影响会出现变型，经过测量，该型变可以造成10
‑
15um的高度差异，从而影响其内部集成电路的工作性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体湿法刻蚀方法，其能够使得晶圆表面受到应力的影响缩小。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体湿法刻蚀方法，包括：
[0005]在半导体晶圆的正面和反面涂光刻胶；
[0006]对半导体晶圆的反上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第一掩蔽图案；其中，半导体晶圆的未被第一掩蔽图案掩蔽的区域为待分离区域；
[0007]对半导体晶圆进行第一次湿法刻蚀，以刻蚀部分所述分离区域；
[0008]对半导体晶圆的正面上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第二掩蔽图案；所述第二掩蔽图案与所述第一掩蔽图案相对；
[0009]对半导体晶圆进行第二次湿法刻蚀，以去除所述待分离区域。
[0010]作为优选方案，第一次湿法刻蚀采用的腐蚀液组分为硝酸：冰乙酸：60％浓度氢氟酸＝5：3：2。
[0011]作为优选方案，第一次湿法刻蚀的温度为25
‑
30℃。
[0012]作为优选方案，第一次湿法刻蚀的腐蚀时间为30
‑
60秒。
[0013]作为优选方案，第二次湿法刻蚀采用的腐蚀液组分为硝酸：冰乙酸：60％浓度氢氟酸＝5：3：2，溶液浓度为30
‑
50％。
[0014]作为优选方案，第二次湿法刻蚀的温度为23
‑
25℃。
[0015]作为优选方案，在所述对半导体晶圆进行第二次湿法刻蚀，以去除所述待分离区域之后，还包括：
[0016]清洗半导体晶圆。
[0017]作为优选方案，所述清洗半导体晶圆，具体包括：
[0018]用去离子水冲洗半导体晶圆表面；
[0019]将半导体晶圆浸泡在氨水、双氧水和去离子水的混合液中；
[0020]用去离子水冲洗半导体晶圆表面，并烘干半导体晶圆。
[0021]作为优选方案，氨水、双氧水和去离子水的混合液的配比为1:1:5，温度为45
‑
55
℃。
[0022]作为优选方案，烘干半导体晶圆的时间为28
‑
32小时，温度为115
‑
125℃。
[0023]相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：本专利技术实施例提供了一种半导体湿法刻蚀方法，先在半导体晶圆的正面和反面涂光刻胶，然后对半导体晶圆的反上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第一掩蔽图案，其中，半导体晶圆的未被第一掩蔽图案掩蔽的区域为待分离区域，再对半导体晶圆进行第一次湿法刻蚀，以刻蚀部分所述分离区域，接着对半导体晶圆的正面上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第二掩蔽图案，所述第二掩蔽图案与所述第一掩蔽图案相对，再对半导体晶圆进行第二次湿法刻蚀，以去除所述待分离区域，从而将待分离区域完全去除，整个半导体分离过程采用湿法刻蚀，能够成功地将芯片分割，并且晶圆表面受到应力的影响缩小，避免了现有技术采用机械切割导致芯片变型的问题。
附图说明
[0024]图1是本专利技术实施例中的半导体湿法刻蚀方法的流程图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]请参阅图1所示，其是本专利技术实施例中的半导体湿法刻蚀方法的流程图。
[0027]本专利技术实施例的半导体湿法刻蚀方法包括：
[0028]步骤S101，在半导体晶圆的正面和反面涂光刻胶；
[0029]步骤S102，对半导体晶圆的反上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第一掩蔽图案；其中，半导体晶圆的未被第一掩蔽图案掩蔽的区域为待分离区域；
[0030]步骤S103，对半导体晶圆进行第一次湿法刻蚀，以刻蚀部分所述分离区域；
[0031]步骤S104，对半导体晶圆的正面上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第二掩蔽图案；所述第二掩蔽图案与所述第一掩蔽图案相对；
[0032]步骤S105，对半导体晶圆进行第二次湿法刻蚀，以去除所述待分离区域。
[0033]在本专利技术实施例中，先在半导体晶圆的正面和反面涂光刻胶，然后对半导体晶圆的反上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第一掩蔽图案，其中，半导体晶圆的未被第一掩蔽图案掩蔽的区域为待分离区域，再对半导体晶圆进行第一次湿法刻蚀，以刻蚀部分所述分离区域，接着对半导体晶圆的正面上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第二掩蔽图案，所述第二掩蔽图案与所述第一掩蔽图案相对，再对半导体晶圆进行第二次湿法刻蚀，以去除所述待分离区域，从而将待分离区域完全去除，整个半导体分离过程采用湿法刻蚀，能够成功地将芯片分割，并且晶圆表面受到应力的影响缩小，避免了现有技术采用机械切割导致芯片变型的问题。
[0034]需要说明的是，半导体晶圆的未被第一掩蔽图案掩蔽的区域为待分离区域，该待分离区域为各个芯片之间的连接部分，通过湿法刻蚀可以去除该连接部分，从而将晶圆上
的各个芯片分开。而半导体晶圆的被第一掩蔽图案掩蔽的区域为芯片区域，通过第一掩蔽图案进行掩蔽可以保护芯片不被蚀刻掉。
[0035]在具体实施当中，在第一次湿法刻蚀中，在晶圆正反面都涂光刻胶，以达到保护作用，再通过曝光和显影的办法在晶圆反面制作第一掩蔽图案，留出湿法刻蚀的位置，把反面的芯片切割道对应的光刻胶去除掉，留出硅片的底部，来作为湿法刻蚀的部分，此时将晶圆放入到硅腐蚀槽中进行第一次湿法刻蚀，完成刻蚀后，再将光刻胶去掉，清洗晶圆，从而初步分隔开各个芯片，且减少内应力。
[0036]在一种可选的实施方式中，第一次湿法刻蚀采用的腐蚀液组分为硝酸：冰乙酸：60％浓度氢氟酸＝5：3：2。具体地，第一次湿法刻蚀的温度为25
‑
30℃，例如可以是25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃等，当然，第一次湿法刻蚀的温度还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。具体地，第一次湿法刻蚀的腐蚀时间为30
‑
60秒，例如可以是30秒、35秒、40秒、45秒、50秒、55秒、60秒等，当然，第一次湿法刻蚀的腐蚀时间还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。
[0037]在具体实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体湿法刻蚀方法，其特征在于，包括：在半导体晶圆的正面和反面涂光刻胶；对半导体晶圆的反上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第一掩蔽图案；其中，半导体晶圆的未被第一掩蔽图案掩蔽的区域为待分离区域；对半导体晶圆进行第一次湿法刻蚀，以刻蚀部分所述分离区域；对半导体晶圆的正面上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第二掩蔽图案；所述第二掩蔽图案与所述第一掩蔽图案相对；对半导体晶圆进行第二次湿法刻蚀，以去除所述待分离区域。2.如权利要求1所述的半导体湿法刻蚀方法，其特征在于，第一次湿法刻蚀采用的腐蚀液组分为硝酸：冰乙酸：60％浓度氢氟酸＝5：3：2。3.如权利要求2所述的半导体湿法刻蚀方法，其特征在于，第一次湿法刻蚀的温度为25
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30℃。4.如权利要求2所述的半导体湿法刻蚀方法，其特征在于，第一次湿法刻蚀的腐蚀时间为30
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60秒。5.如权利要求1所述的半导体湿法刻蚀方法，其特征在于，第二次湿法刻蚀采用的腐蚀液组分为硝酸：冰乙酸：60％浓度氢氟酸＝5：3...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓明，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：