导向装置及湿法清洗设备制造方法及图纸

本公开提供了一种导向装置及湿法清洗设备，导向装置用于承载晶圆，包括支撑部件，具有相对设置的第一端面和第二端面，支撑部件的顶部设置有第一凹陷部，第一凹陷部朝向支撑部件的底部延伸；第一凹陷部由第一端面延伸至第二端面；第一凹陷部用于支撑晶圆；第一端面上设置有第一凹槽，第一凹槽的至少部分设置在第一凹陷部的下方，第一凹槽的侧部延伸至第一凹陷部以与第一凹陷部相连通；其中，第一凹槽的最小宽度大于或等于第一凹陷部的最大宽度。该导向装置解决了现有技术中的经过清洗和干燥的晶圆清洁度较差的问题。晶圆清洁度较差的问题。晶圆清洁度较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
导向装置及湿法清洗设备


[0001]本公开涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种导向装置及湿法清洗设备。

技术介绍

[0002]晶圆(wafer)在水槽中清洗后，导向机构承接晶圆进入干燥腔内，干燥腔内喷入热的IPA (异丙醇)蒸气，由于异丙醇蒸气的温度大于晶圆和DIW(去离子水)的温度，热的异丙醇蒸气遇到晶圆时会液化，此时晶圆表面既有去离子水也有异丙醇，由于去离子水的表面张力比异丙醇大，所以去离子水更容易形成水珠脱离晶圆，使晶圆表面形成异丙醇薄膜，从而达到被异丙醇置换的目的。
[0003]在导向机构运行动作中，如图1至图3所示，晶圆5、导向装置1、液面7三方包围时会形成一层很薄的水膜8，离开液面时水膜破裂逆流会造成导向装置的沟槽部6有去离子水残液 4残留，此部位晶圆边缘去离子水表面张力作用偏大，不容易被异丙醇蒸气置换掉而残留在晶圆上，晶圆表面便会呈现接触点的特殊图形，晶圆上颗粒(particle)较多，清洁度较差，导致持续良率损失和事故后排查原因的时间消耗。

技术实现思路

[0004]本公开的主要目的在于提供一种导向装置及湿法清洗设备，以解决现有技术中的经过清洗和干燥的晶圆清洁度较差的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本公开的一个方面，提供了一种导向装置，用于承载晶圆，导向装置包括：支撑部件，具有相对设置的第一端面和第二端面，支撑部件的顶部设置有第一凹陷部，第一凹陷部朝向支撑部件的底部延伸；第一凹陷部由第一端面延伸至第二端面；第一凹陷部用于支撑晶圆；第一端面上设置有第一凹槽，第一凹槽的至少部分设置在第一凹陷部的下方，第一凹槽的侧部延伸至第一凹陷部以与第一凹陷部相连通；其中，第一凹槽的最小宽度大于或等于第一凹陷部的最大宽度。
[0006]进一步地，第一凹陷部具有接触面，接触面用于与晶圆接触；第一凹槽的最小深度大于或等于接触面由第一端面至第二端面方向上的宽度。
[0007]进一步地，第一凹槽包括第一凹槽部和第二凹槽部，第一凹槽部位于第二凹槽部的上方，第一凹槽部的第一端与第二凹槽部相连通，第一凹槽部的第二端延伸至第一凹陷部；由第一凹槽部的第一端至第一凹槽部的第二端的方向上，第一凹槽部在第二端面上的投影面的宽度相等。
[0008]进一步地，第一凹陷部为V型结构，第一凹槽的侧部延伸至V型结构的两个侧壁；第一凹槽的最小宽度大于或等于V型结构的顶部开口的宽度。
[0009]进一步地，支撑部件具有多个第一凹陷部和多个第一凹槽，多个第一凹陷部间隔布置；多个第一凹槽与多个第一凹陷部一一对应地设置，各个第一凹槽与相应的第一凹陷部相连通。
[0010]进一步地，支撑部件具有导流槽，导流槽设置在第一端面上且位于第一凹槽的下
方，导流槽的第一端与第一凹槽相连通，导流槽的第二端朝向支撑部件的底部延伸。
[0011]进一步地，由导流槽的第一端至导流槽的第二端的方向上，导流槽的宽度逐渐减小。
[0012]进一步地，由导流槽的第一端至导流槽的第二端的方向上，导流槽的深度逐渐减小。
[0013]进一步地，导向装置包括多个支撑部件，多个支撑部件间隔布置。
[0014]根据本公开的另一方面，提供了一种湿法清洗设备，包括导向装置、清洗槽和干燥腔，导向装置在清洗槽和干燥腔之间可运动地设置，导向装置为上述的导向装置。
[0015]本公开的导向装置包括支撑部件，支撑部件具有相对设置的第一端面和第二端面，支撑部件的顶部设置有第一凹陷部，第一凹陷部朝向支撑部件的底部延伸，并且由第一端面延伸至第二端面，在使用导向装置时，晶圆支撑在第一凹陷部内；第一端面上设置有第一凹槽，第一凹槽的至少部分设置在第一凹陷部的下方，第一凹槽的侧部延伸至第一凹陷部以与第一凹陷部相连通，当晶圆支撑在第一凹陷部内时，会与导向装置和液面产生水膜，水膜发生破裂会导致逆流，逆流对晶圆的清洁度会产生影响，因此在第一端面上设置第一凹槽，并且使第一凹槽的最小宽度大于或等于第一凹陷部的最大宽度，保证第一凹陷部足够宽，从而抑制水膜的形成，在根源上避免了水膜破裂产生逆流的现象发生，进而减小第一凹陷部内晶圆边缘水的表面张力大小，使其更易被IPA置换掉，减少去离子水残液附着造成的晶圆上颗粒较多的问题，提高晶圆的清洁度，进而提高晶圆良率，减少事故后排查原因的时间消耗。
附图说明
[0016]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本公开的进一步理解，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：
[0017]图1示出了根据本公开的
技术介绍
中水膜形成的示意图；
[0018]图2示出了根据本公开的
技术介绍
中水膜破裂的示意图；
[0019]图3示出了根据本公开的
技术介绍
中去离子水残液残留在晶圆和沟槽部之间的示意图；
[0020]图4示出了根据本公开的导向装置的支撑部件的示意图；
[0021]图5示出了根据本公开的导向装置的支撑部件的剖面视图；
[0022]图6示出了根据本公开的导向装置的实施例的示意图；
[0023]图7示出了根据本公开的晶圆表面清洁度的实验效果图；以及
[0024]图8示出了根据本公开的湿法清洗设备的实施例的示意图。
[0025]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0026]10、支撑部件；11、第一端面；12、第二端面；20、第一凹陷部；21、侧壁；30、第一凹槽；31、第一凹槽部；32、第二凹槽部；40、导流槽；
[0027]1、导向装置；2、清洗槽；3、干燥腔；4、去离子水残液；5、晶圆；6、沟槽部；7、液面；8、水膜。
具体实施方式
[0028]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
[0029]应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0030]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0031]本公开提供了一种导向装置，用于承载晶圆，请参考图4至图6，导向装置包括：支撑部件10，具有相对设置的第一端面11和第二端面12，支撑部件的顶部设置有第一凹陷部20，第一凹陷部20朝向支撑部件10的底部延伸；第一凹陷部20由第一端面11延伸至第二端面 12；第一凹陷部20用于支撑晶圆；第一端面11上设置有第一凹槽30，第一凹槽30的至少部分设置在第一凹陷部20的下方，第一凹槽30的侧部延伸至第一凹陷部20以与第一凹陷部20 相连通；其中，第一凹槽30的最小宽度大于或等于第一凹陷部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导向装置，用于承载晶圆，其特征在于，所述导向装置包括：支撑部件(10)，具有相对设置的第一端面(11)和第二端面(12)，所述支撑部件的顶部设置有第一凹陷部(20)，所述第一凹陷部(20)朝向所述支撑部件(10)的底部延伸；所述第一凹陷部(20)由所述第一端面(11)延伸至所述第二端面(12)；所述第一凹陷部(20)用于支撑所述晶圆；所述第一端面(11)上设置有第一凹槽(30)，所述第一凹槽(30)的至少部分设置在所述第一凹陷部(20)的下方，所述第一凹槽(30)的侧部延伸至所述第一凹陷部(20)以与所述第一凹陷部(20)相连通；其中，所述第一凹槽(30)的最小宽度大于或等于所述第一凹陷部(20)的最大宽度。2.根据权利要求1所述的导向装置，其特征在于，所述第一凹陷部(20)具有接触面，所述接触面用于与所述晶圆接触；所述第一凹槽(30)的最小深度大于或等于所述接触面由所述第一端面(11)至所述第二端面(12)方向上的宽度。3.根据权利要求1所述的导向装置，其特征在于，所述第一凹槽(30)包括第一凹槽部(31)和第二凹槽部(32)，所述第一凹槽部(31)位于所述第二凹槽部(32)的上方，所述第一凹槽部(31)的第一端与所述第二凹槽部(32)相连通，所述第一凹槽部(31)的第二端延伸至所述第一凹陷部(20)；由所述第一凹槽部(31)的第一端至所述第一凹槽部(31)的第二端的方向上，所述第一凹槽部(31)在所述第二端面(12)上的投影面的宽度相等。4.根据权利要求1所述的导向装置，其特征在于，所述第一凹陷部(20)为V型结构，所述第一凹槽(30...

【专利技术属性】
技术研发人员：许宏伟，王建忠，唐敬昕，戴欢，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：