本实用新型专利技术提供一种硅片上料装置，所述硅片上料装置包括第一基座、第一升降件、承载平台、第一止挡件和第二止挡件，第一升降件设在第一基座上，承载平台设在第一升降件上，第一止挡件设在第一基座上，并相对于第一基座可沿第一方向移动，承载平台在第一方向的两侧分别设有第一止挡件，第二止挡件设在第一基座上，并相对于第一基座可沿第二方向移动，承载平台在第二方向的两侧分别设有第二止挡件。本实用新型专利技术的硅片上料装置在第一基座上设置用于止挡硅片的第一止挡件和第二止挡件，且第一止挡件和第二止挡件均可朝向和远离承载平台移动，以使承载平台上能够放置不同尺寸的硅片。以使承载平台上能够放置不同尺寸的硅片。以使承载平台上能够放置不同尺寸的硅片。
【技术实现步骤摘要】
硅片上料装置
[0001]本技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种硅片上料装置。
技术介绍
[0002]相关技术中提供一种硅片上料台，其包括承载台、承载盒和升降装置，承载盒用于容纳硅片，升降装置驱动承载盒相较于承载台进行升降移动。但是，承载盒用于容纳硅片的空间尺寸固定，无法适应不同尺寸的硅片。
技术实现思路
[0003]本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的实施例提出一种硅片上料装置，该硅片上料装置在第一基座上设置用于止挡硅片的第一止挡件和第二止挡件，且第一止挡件和第二止挡件均可朝向和远离承载平台移动，以使承载平台上能够放置不同尺寸的硅片。
[0004]本技术实施例的硅片上料装置包括：
[0005]第一基座；
[0006]第一升降件，所述第一升降件设在所述第一基座上；
[0007]承载平台，所述承载平台设在所述第一升降件上，以在所述第一升降件的驱动下相较于所述第一基座沿竖直方向升降移动；
[0008]第一止挡件，所述第一止挡件设在所述第一基座上，并相对于第一基座可沿第一方向移动，所述承载平台在所述第一方向的两侧分别设有所述第一止挡件，所述第一止挡件的顶部高于所述承载平台在竖直方向上的最高位置，所述第一方向正交于所述竖直方向；
[0009]第二止挡件，所述第二止挡件设在所述第一基座上，并相对于第一基座可沿第二方向移动，所述承载平台在所述第二方向的两侧分别设有所述第二止挡件，所述第二止挡件的顶部高于所述承载平台在竖直方向上的最高位置，所述第二方向正交于所述竖直方向和所述第一方向。
[0010]本技术实施例的硅片上料装置在第一基座上设置用于止挡硅片的第一止挡件和第二止挡件，第一止挡件可在第一方向上朝向和远离承载平台移动，以调整承载平台上能够放置的硅片在第一方向上的尺寸，第二止挡件可在第二方向上朝向和远离承载平台移动，以调整承载平台上能够放置的硅片在第二方向上的尺寸，从而通过第一止挡件和第二止挡件调整承载平台上能够容纳的硅片尺寸，使承载平台能够适用于不同尺寸的硅片。
[0011]在一些实施例中，所述第一基座具有第一滑槽和第二滑槽，所述第一滑槽沿第一方向延伸，所述第一止挡件的底部设在所述第一滑槽内，以使所述第一止挡件沿所述第一滑槽的延伸方向移动，
[0012]所述第二滑槽沿第二方向延伸，所述第二止挡件的底部设在所述第二滑槽内，以使所述第二止挡件沿所述第二滑槽的延伸方向移动。
[0013]在一些实施例中，所述硅片上料装置还包括第一连接件和第二连接件，所述第一滑槽的槽底具有贯穿所述第一基座的第一通孔，所述第一通孔为沿第一方向延伸的条形，所述第一连接件穿设在所述第一通孔内，并可在所述第一通孔内沿所述第一方向移动，所述第一连接件将所述第一基座和所述第一止挡件相连，
[0014]所述第二滑槽的槽底具有贯穿所述第一基座的第二通孔，所述第二通孔为沿第二方向延伸的条形，所述第二连接件穿设在所述第二通孔内，并可在所述第二通孔内沿所述第二方向移动，所述第二连接件将所述第一基座和所述第二止挡件相连。
[0015]在一些实施例中，所述硅片上料装置还包括：
[0016]取片组件，所述取片组件的至少部分位于所述承载平台的上方，以用于获取所述承载平台上的硅片；
[0017]第一传感器，所述第一传感器设在所述承载平台上，且所述第一传感器与所述第一升降件电连接，所述第一传感器用于感知所述承载平台上是否具有硅片，并在所述承载平台上无硅片时使所述第一升降件停止上升；
[0018]第二传感器，所述第二传感器设在所述第一基座上，且所述第二传感器与所述第一升降件电连接，所述第二传感器用于感知所述承载平台和所述第一基座的相对距离，并在所述相对距离达到预设距离时使所述第一升降件停止下降。
[0019]在一些实施例中，所述第一传感器为光电传感器，所述光电传感器的至少部分嵌设在所述承载平台的顶端，
[0020]所述第二传感器为接近开关，所述接近开关的至少部分嵌设在所述第一基座的顶端。
[0021]在一些实施例中，所述取片组件包括：
[0022]第二基座；
[0023]横移件，所述横移件设在所述第二基座上；
[0024]第二升降件，所述第二升降件设在所述横移件上，以在所述横移件的驱动下相对于所述承载平台沿所述第一方向和/或所述第二方向移动；
[0025]吸附架，所述吸附架设在所述第二升降件上，以在所述第二升降件的驱动下相对于所述承载平台沿竖直方向升降移动，所述吸附架用于吸附所述承载平台上的硅片。
[0026]在一些实施例中，所述硅片上料装置还包括对射传感器，所述对射传感器设在所述第一基座上，所述对射传感器在竖直方向的位置高于所述承载平台在竖直方向上的最高位置，所述对射传感器与所述第一升降件电连接，所述对射传感器用于控制所述第一升降件上升，以使取片组件依次获取的硅片在竖直方向的位置一致。
[0027]在一些实施例中，所述硅片上料装置还包括风刀，所述风刀设在所述第一基座上，所述风刀在竖直方向的位置高于所述承载平台在竖直方向上的最高位置。
[0028]在一些实施例中，位于所述承载平台同一侧的所述第一止挡件为至少两个，和/或位于所述承载平台同一侧的所述第二止挡件为至少两个，所述对射传感器和所述风刀位于相邻两个所述第一止挡件之间或者位于相邻两个所述第二止挡件之间。
[0029]在一些实施例中，所述承载平台具有沿竖直方向延伸的导向杆，所述第一基座具有沿竖直方向延伸的导向套，所述导向杆穿设在所述导向套内。
附图说明
[0030]图1是本技术实施例的硅片上料装置的结构示意图；
[0031]图2是本技术实施例的硅片上料装置的部分结构示意图一；
[0032]图3是本技术实施例的硅片上料装置的部分结构示意图二。
[0033]附图标记：
[0034]1.第一基座；101.第一滑槽；1011.第一通孔；102.第二滑槽；1021.第二通孔；103.导向套；104.基座平台；105.底座；2.第一升降件；3.承载平台；31.导向杆；4.第一止挡件；5.第二止挡件；6.第一连接件；7.第二连接件；8.取片组件；81.第二基座；82.横移件；83.第二升降件；84.吸附架；9.第一传感器；10.第二传感器；11.对射传感器；12.风刀；13.真空发生器。
具体实施方式
[0035]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0036]下面参考图1
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图3描述根据技术实施例的硅片上料装置。
[0037]如图1
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图3所示，本技术实施例的硅片上料装置包括第一基座1、第一升降件2、承载平台3、第一止挡件4和第二止挡件5。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片上料装置，其特征在于，包括：第一基座(1)；第一升降件(2)，所述第一升降件(2)设在所述第一基座(1)上；承载平台(3)，所述承载平台(3)设在所述第一升降件(2)上，以在所述第一升降件(2)的驱动下相较于所述第一基座(1)沿竖直方向升降移动；第一止挡件(4)，所述第一止挡件(4)设在所述第一基座(1)上，并相对于第一基座(1)可沿第一方向移动，所述承载平台(3)在所述第一方向的两侧分别设有所述第一止挡件(4)，所述第一止挡件(4)的顶部高于所述承载平台(3)在竖直方向上的最高位置，所述第一方向正交于所述竖直方向；第二止挡件(5)，所述第二止挡件(5)设在所述第一基座(1)上，并相对于第一基座(1)可沿第二方向移动，所述承载平台(3)在所述第二方向的两侧分别设有所述第二止挡件(5)，所述第二止挡件(5)的顶部高于所述承载平台(3)在竖直方向上的最高位置，所述第二方向正交于所述竖直方向和所述第一方向。2.根据权利要求1所述的硅片上料装置，其特征在于，所述第一基座(1)具有第一滑槽(101)和第二滑槽(102)，所述第一滑槽(101)沿第一方向延伸，所述第一止挡件(4)的底部设在所述第一滑槽(101)内，以使所述第一止挡件(4)沿所述第一滑槽(101)的延伸方向移动，所述第二滑槽(102)沿第二方向延伸，所述第二止挡件(5)的底部设在所述第二滑槽(102)内，以使所述第二止挡件(5)沿所述第二滑槽(102)的延伸方向移动。3.根据权利要求2所述的硅片上料装置，其特征在于，还包括第一连接件(6)和第二连接件(7)，所述第一滑槽(101)的槽底具有贯穿所述第一基座(1)的第一通孔(1011)，所述第一通孔(1011)为沿第一方向延伸的条形，所述第一连接件(6)穿设在所述第一通孔(1011)内，并可在所述第一通孔(1011)内沿所述第一方向移动，所述第一连接件(6)将所述第一基座(1)和所述第一止挡件(4)相连，所述第二滑槽(102)的槽底具有贯穿所述第一基座(1)的第二通孔(1021)，所述第二通孔(1021)为沿第二方向延伸的条形，所述第二连接件(7)穿设在所述第二通孔(1021)内，并可在所述第二通孔(1021)内沿所述第二方向移动，所述第二连接件(7)将所述第一基座(1)和所述第二止挡件(5)相连。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的硅片上料装置，其特征在于，还包括：取片组件(8)，所述取片组件(8)的至少部分位于所述承载平台(3)的上方，以用于获取所述承载平台(3)上的硅片；第一传感器(9)，所述第一传感器(9)设在所述承载平台(3)上，且所述第一传感器(9)与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亮，谢龙辉，吴霏霏，张夫明，黄张楠，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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