电介质陶瓷组合物、叠层复合电子部件、叠层共模滤波器、叠层陶瓷线圈以及叠层陶瓷电容制造技术

本发明专利技术提供一种电介质陶瓷组合物，它作为主成分含有：从单独的Ｚｎ的氧化物、以及Ｍｇ的氧化物以及Ｚｎ的氧化物中选出的一种、Ｃｕ的氧化物、Ｓｉ的氧化物，作为副成分含有：从Ｓｉ的氧化物、Ｚｎ的氧化物、Ｂａ的氧化物、Ｃａ的氧化物、Ｓｒ的氧化物、Ｌｉ的氧化物中选出的至少一种、Ｂ的氧化物，且包含玻璃软化点为７５０℃以下的玻璃成分，相对于１００％重量的所述主成分，所述玻璃成分的含有量为１．５～１５重量％。如果采用本发明专利技术，则可以提供能够相对减少玻璃成分的含有量，并且能够在低温（例如９５０℃以下）下进行烧结，并且显示良好的特性（介电常数、ｆ.Ｑ值、绝缘电阻），也可以与不同材料同时烧结。电介质陶瓷组合物、叠层符合电子部件、叠层共模滤波器、叠层陶瓷线圈以及叠层陶瓷电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能低温烧结且介电常数低的电介质陶瓷组合物、应用该 电介质陶瓷组合物的叠层复合电子部件、叠层共模滤波器、叠层陶瓷线 圏以及叠层陶覺电容等的叠层型电子部件。
技术介绍
近年来，随着用于便携式电话等通信领域的电子部件的小型化、高性能化、高频化，对高频且具有高衰减特性的LC复合电子部件、共模 滤波器等的需求正在迅速增长。当前，在LC复合电子部件中的线圏部或共模滤波器的线圈部中， 使用作为磁性体的Ni-Cu-Zn系铁氧体或作为非磁性体的Cu-Zn系铁氧 体，但由于介电常数较高而为约15，故容易受到寄生电容的影响。因 此，在与高频化对应的应用上有极限，需要采用介电常数更低的材料。 另外，为了实现更进一步的高性能化，要求采用f'Q值、以及绝缘电 阻高的材料。这样的LC复合电子部件、共模滤波器、具有共模的叠层型LC复合 部件等，借助于同时烧结不同的材料(例如，电容部和线圈部)而形成。 因此，必需使不同材料相互之间的线膨胀系数尽可能一致。另外》为了 削减导电材料的成本、降低直流电阻，最好采用含Ag的导电材料，也 要求是在Ag熔点以下的低温(例如950TC以下)下能够烧结的材料。例如，专利第3030557号/i^艮中/^开了相对于重量为100的MgO Si02 (MgO/Si02:摩尔比=1.0~2.0)，作为低温烧结用添加物，添加 重量为1 ~ 30的CuO，添加换算成MnO的重量为0. 6 ~ 5的Mn氧化物作 为基体，相对于重量为100的该基体，添加重量为5~ 200的玻璃所得 到的电介质陶瓷材料。但是，专利第3030557号公报中，添加的玻璃主要是PbO类玻璃， 从近年来的环保问题出发，倾向于不推荐使用此类玻璃。另外，特开2001-247359号公报、特开2002-29826号公报、特开 2002-29827号公报中公开了介电常数较低，Q值较高的电介质陶瓷组合 物。然而，上述文献中公开的电介质陶瓷组合物中含有的玻璃成分高， 因此存在可靠性欠缺的问题。另外，在上述文献的具体实施例中，很多 是烧结温度为10001C以上的试样，不能在低温(例如950t:以下)条件 下充分烧结。再有，实施例的试样的线膨胀系数为10卯m/iC左右，存 在无法与具有各种线膨胀系数的材料同时烧结的问题。日本特开2003-95746号公报中公开了介电常数较低、烧结温度较 低的电介质陶瓷组合物。但是，特开2003-95746号公报中公开的电介 质陶瓷组合物由于含有30质量％以上的玻璃成分，因此存在可靠性欠 缺的问题，此外，实施例的试样的线膨胀系数未公开，不清楚是否能够 与具有各种线膨胀系数的材料同时烧结。国际公开第2005/082806号中公开了在镁橄榄石和钛酸钙等中添加 硼硅酸玻璃的电介质陶瓷材料。但是，国际公开第2005/082806号中未 公开实施例的试样的线膨胀系数，不清楚是否能够与具有各种线膨胀系 数的材料同时烧结。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的实际状况而完成的，目的在于提供既可以相对 减少玻璃成分的含量，又可以在低温(例如9501C以下)下进行烧结， 而且显示良好的特性(介电常数、f Q值、绝缘电阻)，也可以与不 同材料同时烧结的电介质陶瓷组合物。另外，本专利技术的另一目的在于， 提供由该电介质陶资组合物构成的具有非磁性层的叠层共模滤波器、叠 层型滤波器等叠层复合电子部件、叠层陶瓷线圈、以及叠层陶瓷电容。为了达到上述目的，本专利技术的电介质陶瓷组合物的特征在于，作为 主成分含有从单独的Zn的氧化物、以及Mg的氧化物和Zn的氧化物 中选出的一种；Cu的氧化物；以及Si的氧化物，作为副成分含有从 Si的氧化物、Ba的氧化物、Ca的氧化物、Sr的氧化物、Li的氧化物、 以及Zn的氧化物中选出的至少一种；以及B的氧化物，并且含有玻璃5软化点为7501c以下的玻璃成分，相对于100%重量的所述主成分，所 述玻璃成分的含量为1. 5 ~ 15 %重量。本专利技术中，相对于上述主成分，在上述范围内含有玻璃软化点为"0 匸以下、具有上述组成的玻璃成分。这样一来，能够得到可以在低温条 件下烧结且可以实现良好特性(低介电常数、高f'Q值、高绝缘电阻) 的电介质陶覺组合物。最好是，作为结晶相，其特征在于包含镁橄榄石型结晶相和/或硅 锌矿型结晶相。构成主成分的氧化物作为镁橄榄石型结晶相(Mg2Si04) 和/或硅锌矿型结晶相(Zii2Si04)存在，而且铜固溶于这些结晶相中， 这样可以使上述效果进一 步提高。最好是，在用通式a (bMgO cZnO dCuO )Si02表示所述主成分 时，a为1.5 2. 4， c为O. 10-0. 98， d为0. 02 ~ 0. 18 (其中b+c+d = 1. 00)'通过将上述通式中的a、 b、 c、 d设定在上述范围内，可以进一步 提高上述效果。特别是通过改变a与b与c之比，可以使镁橄榄石型结 晶相和硅锌矿型结晶相生成，改变线膨胀系数约为40x10 —7tc的 Zri2Si04与线膨胀系数约为120xi(T7lC的Mg2SiO4的存在比例。从而， 可以使得到的电介质陶瓷组合物的线膨胀系数在例如40~ 120x 10—7x:的范围内任意变化。其结果是，能够与具有各种线膨胀系数的材料同 时烧结。本专利技术的叠层复合电子部件具有由线圏导体和非磁性体层构成的 线圈部、以及由内部电极层和电介质层构成的电容部，所述线圏导体以及/或者所述内部电极层作为导电材料含有Ag，所述非磁性体层由上述 的任意一种电介质陶资组合物构成。本专利技术的叠层共模滤波器具有由线圈导体和非磁性体层构成的滤 波器部、以及由磁性体层构成的外层部，所述线團导体作为导电材料含 有Ag，所述非磁性体层由上述任意一种电介质陶资组合物构成。本专利技术的叠层复合电子部件具有由内部电极层和电介质层构成的 电容部、具有线圏导体和非磁性体层的共模滤波器部、以及由磁性体层 构成的外层部，所述线圏导体以及/或者所述内部电极层作为导电材料 含有Ag，所述非磁性体层由上述任意一种电介质陶瓷组合物构成。6本专利技术的叠层陶瓷线團是具有将线圈导体和非磁性体层层叠而构成的线圏部的叠层陶资线圈，所述线團导体作为导电材料含有Ag，所 述非磁性体层由上述的任意一种电介质陶瓷组合物构成。本专利技术的叠层陶瓷电容具有将内部电极层和电介质层交替层叠的 元件主体，所述内部电极层作为导电材料含有Ag，所述电介质层由上 述的任意一种电介质陶瓷组合物构成。如果釆用本专利技术，通过相对于上述主成分相对地减少包含上述氧化 物的玻璃成分的含量，并且将其设定在特定范围内，能够可靠地获得显 示良好特性(介电常数、损耗Q值、绝缘电阻等)的电介质陶瓷组合物。 而且，由于玻璃成分的玻璃软化点在750X:以下，因此能够在低温(例 如950t:以下)下进行烧结。另外，通过控制Mg的氧化物和Zn的氧化物的含有比例，可以改变 线膨胀系数约为40x10 —7TC的Zn2Si04与线膨胀系数约为120x10 —7/ 1C的Mg2Si04的存在比例。从而，既可以维持良好的特性，又可以使电介质陶资组合物的线膨胀系数在例如40~ i20x 10—7x:的范围内任意变化。其结果是，可以得到所要的线膨胀系数。将这样的电介质陶乾组合物应用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，　作为主成分包含：从单独的Ｚｎ的氧化物、以及Ｍｇ的氧化物与Ｚｎ的氧化物中选出的一种；Ｃｕ的氧化物；以及Ｓｉ的氧化物，　作为副成分包含：从Ｓｉ的氧化物、Ｂａ的氧化物、Ｃａ的氧化物、Ｓｒ的氧化物、Ｌ ｉ的氧化物、以及Ｚｎ的氧化物中选出的至少一种；以及Ｂ的氧化物，且含有玻璃软化点为７５０℃以下的玻璃成分，　相对于１００重量％的所述主成分，所述玻璃成分的含量为１．５～１５重量％。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：梅本周作，铃木孝志，角田晃一，桃井博，高桥圣树，近藤真一，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]