一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路制造技术

本发明专利技术一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路，芯片U2的2端口、3端口和4端口均通过电容和二极管并联组分别电性连接芯片U2的21端口、22端口和23端口，芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口和12端口均通过电阻电性连接光耦，芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口、13端口、16端口、18端口、19端口、20端口和24端口均电性连接芯片U2的15端口，芯片U2的14端口电性连接芯片U2的17端口。本发明专利技术采用6个IGBT模块组成6个桥臂，且各桥臂在控制信号的作用下可轮流导通，从而可以实现变频调速，故工作时可以根据需要变换PWM占空比，进而输出电压就会发生变化，实现基于IGBT模块的三相逆变电源的设计。变电源的设计。变电源的设计。

【技术实现步骤摘要】
一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路


[0001]本专利技术涉及三相逆变电源
，具体为一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路。

技术介绍

[0002]逆变电源作为电力电子的一个重要方向，被广泛应用于交流电机的传动、不间断电源、变频电源、有源滤波器、风力发电等交流用电设备，其中逆变电源控制技术成为影响逆变电源性能的关键因素。
[0003]现有的IGBT模块是由金氧半场效晶体管和双极型晶体管复合而成的一种器件，其既具有驱动功率小和开关速度快的优点，又具有饱和压降低且容量大的优势，且其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几万赫兹的频率范围内，在新能源领域内尤其是逆变电源系统中到了广泛的应用。而现今利用芯能半导体公司生产的XNS06S72F6型号的IPM模块内部有6个IGBT模块，其可以实现IPM三相逆变电源设计。但是目前基于IGBT模块的三相逆变电源的设计方法的关键技术方面还不成熟，且国内并未出现基于6个IGBT模块的三相逆变电源的设计的逆变电源，很难实现集成化，不能适应高压用电设备发展的趋势，所以基于IGBT模块的三相逆变电源的设计要适应高压用电设备发展的需要。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提出一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路，包括有芯片U2，所述芯片U2的2端口、3端口和4端口均通过电容和二极管并联组分别电性连接芯片U2的21端口、22端口和23端口，所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口和12端口均通过电阻电性连接光耦，所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口、13端口、16端口、18端口、19端口、20端口和24端口均电性连接芯片U2的15端口，所述芯片U2的14端口电性连接芯片U2的17端口。
[0007]更进一步地讲，所述芯片U2的12端口电性连接电容C47。
[0008]更进一步地讲，所述芯片U2的2端口、3端口和4端口均通过电容和二极管并联组分别电性连接芯片U2的21端口、22端口和23端口，具体为：
[0009]所述芯片U2的2端口和23端口之间电性连接有电容C4、电容C6和二极管ZD2，所述电容C4、电容C6和二极管ZD2相互并联；
[0010]所述芯片U2的3端口和22端口之间电性连接有电容C3、电容C7和二极管ZD5，所述电容C3、电容C7和二极管ZD5相互并联；
[0011]所述芯片U2的4端口和21端口之间电性连接有电容C8、电容C9和二极管ZD6，所述电容C8、电容C9和二极管ZD6相互并联。
[0012]更进一步地讲，所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口和12端口均通
过电阻电性连接光耦，具体为：
[0013]所述芯片U2的5端口通过电阻R8电性连接光耦PH1_2；
[0014]所述芯片U2的6端口通过电阻R16电性连接光耦PH2_2；
[0015]所述芯片U2的7端口通过电阻R20电性连接光耦PH3_2；
[0016]所述芯片U2的10端口通过电阻R21电性连接光耦PH4_2；
[0017]所述芯片U2的11端口通过电阻R23电性连接光耦PH5_2；
[0018]所述芯片U2的12端口通过电阻R31电性连接光耦PH6_2。
[0019]更进一步地讲，所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口、13端口、16端口、18端口、19端口、20端口和24端口均电性连接芯片U2的15端口，具体为：
[0020]所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口和16端口均通过电容电性连接芯片U2的15端口；
[0021]所述芯片U2的13端口通过电容和二极管的并联组电性连接芯片U2的15端口；
[0022]所述芯片U2的18端口、19端口和20端口均通过电阻和电容电性连接芯片U2的15端口；
[0023]所述芯片U2的24端口通过电容组电性连接芯片U2的15端口。
[0024]更进一步地讲，所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口和16端口均通过电容电性连接芯片U2的15端口，具体为：
[0025]所述芯片U2的5端口通过电容C24电性连接芯片U2的15端口；
[0026]所述芯片U2的6端口通过电容C30电性连接芯片U2的15端口；
[0027]所述芯片U2的7端口通过电容C35电性连接芯片U2的15端口；
[0028]所述芯片U2的10端口通过电容C40电性连接芯片U2的15端口；
[0029]所述芯片U2的11端口通过电容C43电性连接芯片U2的15端口；
[0030]所述芯片U2的16端口通过电容C12电性连接芯片U2的15端口。
[0031]更进一步地讲，所述芯片U2的13端口通过电容和二极管的并联组电性连接芯片U2的15端口，具体为：
[0032]所述芯片U2的13端口电性连接电容C10、电容C11和二极管ZD3，所述电容C10、电容C11和二极管ZD3之间相互并联，所述电容C10、电容C11和二极管ZD3之间的并联电路电性连接芯片U2的15端口。
[0033]更进一步地讲，所述芯片U2的18端口、19端口和20端口均通过电阻和电容电性连接芯片U2的15端口，具体为：
[0034]所述芯片U2的18端口、19端口和20端口均电性连接电阻R4和电阻R5，所述电阻R5电性连接电容C12，所述电容C12和电阻R4均电性连接芯片U2的15端口。
[0035]更进一步地讲，所述芯片U2的24端口通过电容组电性连接芯片U2的15端口，具体为：
[0036]所述芯片U2的24端口电性连接电容CY7、电容C13、电容C14和电容C15，所述电容C13、电容C14和电容C15之间相互并联，所述电容CY7电性连接电容CY8，所述电容C13、电容C14和电容C15之间的并联电路、电容CY7和电容CY8之间的串联电路相互并联，同时所述电容C13、电容C14、电容C15、电容CY7和电容CY8之间的并联电路电性连接芯片U2的15端口。
[0037]更进一步地讲，所述芯片U2的14端口电性连接电阻R2，所述电阻R2电性连接电阻
R3，所述电阻R3电性连接芯片U2的17端口。
[0038]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0039]本专利技术的三相逆变电源电路通过三相桥式整流电路采用6个IGBT模块组成6个桥臂，且各桥臂在控制信号的作用下可轮流导通，故直流高压电经过六路PWM信号通过IPM模块中的6个IGBT模块逆变成为额定电压交流电380V，其中输出交流电的电压是可变的，从而可以实现变频调速，故工作时可以根据需要变换PWM占空比，进而输出电压就会发生变化，实现基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路，其特征在于，包括有芯片U2，所述芯片U2的2端口、3端口和4端口均通过电容和二极管并联组分别电性连接芯片U2的21端口、22端口和23端口，所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口和12端口均通过电阻电性连接光耦，所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口、13端口、16端口、18端口、19端口、20端口和24端口均电性连接芯片U2的15端口，所述芯片U2的14端口电性连接芯片U2的17端口。2.根据权利要求1所述的一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路，其特征在于，所述芯片U2的12端口电性连接电容C47。3.根据权利要求1所述的一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路，其特征在于，所述芯片U2的2端口、3端口和4端口均通过电容和二极管并联组分别电性连接芯片U2的21端口、22端口和23端口，具体为：所述芯片U2的2端口和23端口之间电性连接有电容C4、电容C6和二极管ZD2，所述电容C4、电容C6和二极管ZD2相互并联；所述芯片U2的3端口和22端口之间电性连接有电容C3、电容C7和二极管ZD5，所述电容C3、电容C7和二极管ZD5相互并联；所述芯片U2的4端口和21端口之间电性连接有电容C8、电容C9和二极管ZD6，所述电容C8、电容C9和二极管ZD6相互并联。4.根据权利要求1或3所述的一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路，其特征在于，所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口和12端口均通过电阻电性连接光耦，具体为：所述芯片U2的5端口通过电阻R8电性连接光耦PH1
‑
2；所述芯片U2的6端口通过电阻R16电性连接光耦PH2
‑
2；所述芯片U2的7端口通过电阻R20电性连接光耦PH3
‑
2；所述芯片U2的10端口通过电阻R21电性连接光耦PH4
‑
2；所述芯片U2的11端口通过电阻R23电性连接光耦PH5
‑
2；所述芯片U2的12端口通过电阻R31电性连接光耦PH6
‑
2。5.根据权利要求4所述的一种基于IGBT模块的三相逆变电源电路，其特征在于，所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口、13端口、16端口、18端口、19端口、20端口和24端口均电性连接芯片U2的15端口，具体为：所述芯片U2的5端口、6端口、7端口、10端口、11端口和16端口均通过电容电性连接芯片U2的15端口；所述芯片U...

【专利技术属性】
技术研发人员：于国龙，李爱军，范灵灵，迟恒，
申请(专利权)人：天津华迈智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：