【技术实现步骤摘要】
一种用于TOPCON电池LPCVD双插工艺的碱抛添加剂及其加工设备
[0001]本专利技术涉及硅片电池制备
,具体来说,涉及一种用于TOPCON电池LPCVD双插工艺的碱抛添加剂及其加工设备。
技术介绍
[0002]隧穿氧化层钝化接触太阳能电池即Topcon电池,主流生产技术路线分为PECVD和LPCVD;LPCVD路线有单插和双插工艺(在LPCVD工序段),双插工艺产能翻倍设备成本和运营成本均可大幅降低,双插工艺如下问题存在:1、背面Poly磷扩散时,绕扩到正面的磷会使BSG变成BPSG;2、HF对BPSG的腐蚀速率很快,HF去除正面PSG时BPSG会被快速的腐蚀;3、碱抛去绕镀时,较薄的BPSG的区域无法阻挡碱腐蚀,导致绒面发白。LPCVD沉积膜不具备方向性,因电池片立于石英舟之上,氧化层及本征多晶硅层也同样会附着在电池片的侧面及正面,形成包裹,即“绕镀”现象。多余的隧穿层、掺杂多晶硅层必须被去除,因此后续需要引入“去绕镀”工艺,但LPCVD绕镀成为痛点的根本原因在于去绕镀较难控制,影响电池良率,清洗绕镀,可能导致去除不完全、或者掺杂多晶硅层遭刻蚀,影响电池效率。
[0003]针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种用于TOPCON电池LPCVD双插工艺的碱抛添加剂及其加工设备,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0006]一种用于TOPCON电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于TOPCON电池LPCVD双插工艺的碱抛添加剂,其特征在于,其各组分的含量为:经过纳米均质机处理的0.01
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0.1质量份的纳米材料催化剂、3
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8质量份的络合分散剂、1
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5质量份的无机盐、5
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8质量份的表面活性剂、78.9
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90.99质量份的去离子水。2.根据权利要求1所述的用于TOPCON电池LPCVD双插工艺的碱抛添加剂,其特征在于,所述纳米材料催化剂为纳米二氧化钛、纳米氧化锌、纳米硫化锌中的一种或两种以上组合,所述络合分散剂为苯甲酸钠、海藻酸钠、柠檬酸钠、乙二酸、酒石酸钠中的一种或两种以上组合。3.根据权利要求1所述的用于TOPCON电池LPCVD双插工艺的碱抛添加剂,其特征在于,所述无机盐为硫酸钠、硫酸钾、焦硫酸钠中的一种或两种以上组合,所述表面活性剂为十二烷基二甲基甜菜碱、烷基萘磺酸钠盐、烷基糖苷十二烷基硫酸钠中的一种或两种以上组合。4.一种使用权利要求1所述的碱抛添加剂的应用工艺,其特征在于,包括如下步骤:a.将准备好的TOPCON电池硅片进行上料,对硅片外表面进行保护;b.将完成步骤a的硅片放入碱性溶液进行预清洗,去除硅片表面酸残留物及其它溶于碱的杂质;c.将完成步骤b的硅片放入去离子水中清洗;d.将完成步骤c的硅片放入配置好的去绕镀槽液中进行抛光;e.将完成步骤d的硅片放入去离子水中清洗;f.将完成步骤e的硅片放入放入酸性溶液中进行清洗,去除硅片正面PSG和硅片表面碱残留;g.将完成步骤f的硅片放入去离子水中清洗;h.将完成步骤g的硅片进行烘干,然后下料。5.一种用于生产权利要求1或2所述碱抛添加剂的加工设备,其特征在于,包括底座板(1),所述底座板(1)的顶部设有搅拌桶(9)和立柱(2),所述立柱(2)的顶端端部固定安装有横杆(3),所述横杆(3)的端部设有动力机构(4),所述动力机构(4)的输出端连接有传动机构(5),所述传动机构(5)设于搅拌桶(9)上方,所述传动机构(5)的底端端部安装有旋转板(6),所述旋转板(6)的底部安装有搅拌机构(7),所述搅拌机构(7)设于搅拌桶(9)内部,所述横杆(3)的端部固定安装有竖板(10),所述竖板(10)的顶端端部固定安装有横板(11),所述横板(11)的底部设有加强筋(12),所述横板(11)的顶部固定安装有加强杆(13),所述加强杆(13)朝向动力机构(4)的一端固定安装有机座(14),所述传动机构(5)固定安装在竖板(10)的侧壁上,所述动力机构(4)包括固定安装在机座(14)上的电机(41),所述电机(41)的底部动力连接有减速器(42),所述减速器(42)的输出轴与传动机构(5)相连接。6.根据权利要求5所述的碱抛添加剂的加工设备,其特征在于,所述搅拌机构(7)包括第一搅拌桨(71)和第二搅拌桨(72),所述第一搅拌桨(71)固定安装在旋转板(6)的底端中心上,所述第二搅拌桨(72)安装在旋转板(6)的底部外侧,所述第二搅拌桨(72)环绕第一搅拌桨(71)设置,所述第二搅拌桨(72)旋转安装在旋转板(6)底部,所述旋转板(6)的顶部还安装有用于对第二搅拌桨(72)进行转动调节的调节机构(8)。7.根据权利要求5或6所述的碱抛添加剂加工设备,其特征在于,所述传动机构(5)包括外...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁锋,张益荣,黄燕飞,金惠峰,邱云兵,刘元海,
申请(专利权)人:海宁森安新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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