一种制作功率半导体的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作功率半导体的方法，具体包括如下步骤：步骤一：在半导体基片上形成一个衬底区域，这个衬底区域是半导体器件的基础，提供了稳定的基础结构以支持后续的层和组件；步骤二：在衬底区域上形成一个掺杂区域，掺杂区域是通过向衬底区域引入掺杂材料来改变半导体材料的特性；步骤三：采用改性材料，在掺杂区域上形成一个栅极区域；通过本发明专利技术的设计，可以造出高效功率半导体器件，并且通过精确控制掺杂区域、栅极区域和沟道区域的形成，可以实现更高的电流传输和更低的功耗，并且还能够减少电流的泄漏和干扰，从而提高器件的稳定性和寿命，本发明专利技术的制作方法可以适应多种功率半导体应用，通过调整掺杂区域和栅极区域的参数。参数。参数。

【技术实现步骤摘要】
一种制作功率半导体的方法


[0001]本专利技术属于半导体加工
，具体涉及一种制作功率半导体的方法。

技术介绍

[0002]功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器。
[0003]现有在对功率半导体的制作方法中，掺杂区域、栅极区域和沟道区域并没有得到有效的控制，因此制作成型的半导体存在电流传输量较小，功耗较大，整体稳定性和寿命较低，因此在实际使用中存在较大的改进空间。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种制作功率半导体的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的现有功率半导体制作方法存在电流传输量较小，功耗较大，整体稳定性和寿命较低的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种制作功率半导体的方法，具体包括如下步骤：
[0006]步骤一：在半导体基片上形成一个衬底区域，这个衬底区域是半导体器件的基础，提供了稳定的基础结构以支持后续的层和组件；
[0007]步骤二：在衬底区域上形成一个掺杂区域，掺杂区域是通过向衬底区域引入掺杂材料来改变半导体材料的特性；
[0008]步骤三：采用改性材料，在掺杂区域上形成一个栅极区域，栅极区域是半导体器件中的关键部分，它由多晶硅材料制成，这个区域用于控制沟道区域中的电流流动；
[0009]步骤四：在栅极区域上形成一个源区域和漏区域，源区域和漏区域是半导体器件中的电流输入和输出端口，它们通常由掺杂材料形成，以改变电子导电性能，并且栅极区域上还形成有对源区域和漏区域的掩膜；
[0010]步骤五：在源区域和漏区域之间形成一个沟道区域，沟道区域是栅极区的一段半导体材料，用于控制电流的流动。沟道区域的导电性质通过栅极电压的变化来调节；
[0011]步骤六：在沟道区域上添加二氧化硅形成形成一个绝缘层，用于隔离栅极区域和源漏区域的一层绝缘材料，它可以防止电流的泄漏和干扰；
[0012]步骤七：在绝缘层上形成一个金属层，用于连接半导体器件的不同部分，以实现电流的流动和信号的传输。
[0013]作为本专利技术中一种优选的技术方案，所述步骤一中的衬底区域在加工中，还包括高温热处理加工，加工温度为850～1050℃，加热时间为20～40min。
[0014]作为本专利技术中一种优选的技术方案，所述步骤二中的掺杂区域通过离子注入或扩散技术实现，同时掺杂材料包括五价或三价元素。
[0015]作为本专利技术中一种优选的技术方案，所述步骤三中的栅极区域制作材料为多晶硅
材料。
[0016]作为本专利技术中一种优选的技术方案，所述步骤三中的栅极区域的制备方法采用溅射法，将栅极材料的靶材置于真空室中，然后使用离子轰击的方式将栅极材料溅射到基片上，其中改性材料为多晶硅、钨、铝，制备步骤如下：
[0017]S1：通过化学气相沉积法，在半导体表面沉积一层多晶硅薄膜将光刻胶涂覆在多晶硅薄膜上，并使用掩膜模板将光刻胶进行曝光，通过化学腐蚀或离子刻蚀等方法，将未曝光的光刻胶去除，暴露出需要形成栅极的区域；
[0018]S2：选取钨和铝，根据所选的栅极材料，进行栅极制备；
[0019]S3：将栅极区域与其他电路元件进行连接。
[0020]作为本专利技术中一种优选的技术方案，所述步骤四中，源区域和漏区域的掩膜生成步骤如下：
[0021]S1、将掩膜模板放置在光刻胶上，并使用紫外线或激光等光源进行曝光。光刻胶在曝光过程中会发生化学或物理变化，使得光刻胶在受光区域和非受光区域具有不同的溶解性；
[0022]S2、将曝光后的光刻胶进行显影，通过溶解或去除未曝光的部分光刻胶。这样，只有受光区域下的光刻胶保留在基片表面；
[0023]S3、使用化学溶液，将掩膜模板从光刻胶上去除。
[0024]作为本专利技术中一种优选的技术方案，所述化学溶液包括：
[0025]碱性显影剂：氢氧化钠或氢氧化钾，pH值范围为10～14；
[0026]酸性显影剂：常用的酸性显影剂是盐酸或硫酸，pH值范围为1～3。
[0027]作为本专利技术中一种优选的技术方案，所述步骤七中的金属层为铝材质。
[0028]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0029]通过本专利技术的设计，可以造出高效功率半导体器件，并且通过精确控制掺杂区域、栅极区域和沟道区域的形成，可以实现更高的电流传输和更低的功耗，并且还能够减少电流的泄漏和干扰，从而提高器件的稳定性和寿命，本专利技术的制作方法可以适应多种功率半导体应用，通过调整掺杂区域和栅极区域的参数，可以实现不同功率范围和工作条件下的半导体器件，满足不同应用领域的需求。
附图说明
[0030]图1为本专利技术的制作步骤示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]实施例1
[0033]请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：一种制作功率半导体的方法，具体包括如下步骤：
[0034]步骤一：在半导体基片上形成一个衬底区域，这个衬底区域是半导体器件的基础，提供了稳定的基础结构以支持后续的层和组件；
[0035]步骤二：在衬底区域上形成一个掺杂区域，掺杂区域是通过向衬底区域引入掺杂材料来改变半导体材料的特性；
[0036]步骤三：采用改性材料，在掺杂区域上形成一个栅极区域，栅极区域是半导体器件中的关键部分，它由多晶硅材料制成，这个区域用于控制沟道区域中的电流流动；
[0037]步骤四：在栅极区域上形成一个源区域和漏区域，源区域和漏区域是半导体器件中的电流输入和输出端口，它们通常由掺杂材料形成，以改变电子导电性能，并且栅极区域上还形成有对源区域和漏区域的掩膜；
[0038]步骤五：在源区域和漏区域之间形成一个沟道区域，沟道区域是栅极区的一段半导体材料，用于控制电流的流动。沟道区域的导电性质通过栅极电压的变化来调节；
[0039]步骤六：在沟道区域上添加二氧化硅形成形成一个绝缘层，用于隔离栅极区域和源漏区域的一层绝缘材料，它可以防止电流的泄漏和干扰；
[0040]步骤七：在绝缘层上形成一个金属层，用于连接半导体器件的不同部分，以实现电流的流动和信号的传输。
[0041]本实施例中，步骤一中的衬底区域在加工中，还包括高温热处理加工，加工温度为1000℃，加热时间为30min。
[0042]本实施例中，步骤二中的掺杂区域通过离子注入或扩散技术实现，同时掺杂材料包括五价或三价元素。
[0043]本实施例中，步骤三中的栅极区域制作材料为多晶硅材料。
[0044]本实施例中，步骤三中的栅极区域的制备方法采用溅射法，将栅极材料的靶材置于真空室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作功率半导体的方法，其特征在于：具体包括如下步骤：步骤一：在半导体基片上形成一个衬底区域；步骤二：在衬底区域上形成一个掺杂区域；步骤三：采用改性材料，在掺杂区域上形成一个栅极区域；步骤四：在栅极区域上形成一个源区域和漏区域，并且栅极区域上还形成有对源区域和漏区域的掩膜；步骤五：在源区域和漏区域之间形成一个沟道区域；步骤六：在沟道区域上添加二氧化硅形成形成一个绝缘层；步骤七：在绝缘层上形成一个金属层。2.根据权利要求1所述的一种制作功率半导体的方法，其特征在于：所述步骤一中的衬底区域在加工中，还包括高温热处理加工，加工温度为850～1050℃，加热时间为20～40min。3.根据权利要求1所述的一种制作功率半导体的方法，其特征在于：所述步骤二中的掺杂区域通过离子注入或扩散技术实现，同时掺杂材料包括五价或三价元素。4.根据权利要求1所述的一种制作功率半导体的方法，其特征在于：所述步骤三中的栅极区域制作材料为多晶硅材料。5.根据权利要求1所述的一种制作功率半导体的方法，其特征在于：所述步骤三中的栅极区域的制备方法采用溅射法，将栅极材料的靶材置于真空室中，然后使用离子轰击的方式将栅极材料溅射到基片上，其中改性材料为多晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉梅，
申请(专利权)人：李玉梅，
类型：发明
国别省市：