存储装置和存储器编程方法制造方法及图纸

提供一种存储装置和存储器编程方法。所述存储装置可在多层单元（ＭＬＣ）或多比特单元（ＭＢＣ）存储装置中对数据进行编程。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例涉及可在存储装置中对数据进行编程的设备和方法。此外， 示例性实施例涉及可在多层单元(MLC)或多比特单元(MBC)存储装置中 对数据进行编程的设备和方法。
技术介绍
单层单元(SLC)存储装置可在单个存储单元中存储1位数据。SLC存 储器可称为单比特单元(SBC)存储器。在SLC存储装置的单层单元中存储 1位数据的处理可称为编程处理，并可改变单层单元的阈值电压。例如，当 在单层单元中存储逻辑值'T，的数据时，单层单元可具有l.OV的阈值电压。 当在单层单元中存储逻辑值"o"的数据时，单层单元可具有3.0V的阈值电 压。由于单层单元之间的^:小电气特性差异，在具有相同的编程数据的每个 单层单元中形成的阈值电压可分布在预定范围内。例如，当从存储单元读取 的电压大于0.5 V且小于1.5V时，可确定存储单元中存储的数据具有逻辑值 'T，。当从存储单元读取的电压大于2.5V且小于3.5V时，可确定存储单元 中存储的数据具有逻辑值"0"。可在读取操作期间根据存储单元电流/电压的 差异对存储单元中存储的数据进行分类。同时，响应于对存储器更高集成度的需求，已提出了可在单个存储单元 中存储2位或更多位数据的多层单元(MLC)存储装置。MLC存储装置还可 称为多比特单元(MBC)存储器。然而，随着在单个存储单元中存储的位数 增加，可靠性可能降低，并且读取失败率可能增加。为了在单个存储单元中 编程"m"位，可能需要在存储单元中形成2m个阈值电压中的任何一个。由于存储单元之间的微小电气特性差异，具有相同的编程数据的存储单元的阈值电压可分布在预定范围内。单个阈值电压分布可能对应于可根据"m"位 产生的2'"个数据值的每一个。然而，由于存储器的电压窗口可能是有限的，所以相邻位之间的阔值电 压的2'"个分布之间的距离可能随着"m"增加而减小，这可导致分布的重叠。 如果分布互相重叠，则读取失败率可能增加。此外，当存储单元中存储的数据保持很长一段时间时，由于影响存储装 置的可靠性的因素，分布区域可能互相重叠，从而可能出现错误以妨碍单元 中存储的信息的状态被正确读取。
技术实现思路
根据示例性实施例，设备可包括一种存储装置。所述存储装置可包括 存储单元阵列，包括多个多层单元；编程单元，在所述多个多层单元中对第 一数据页进行编程，并用编程的第 一数据页在所述多个多层单元中对第二数 据页进行编程；编程电平稳定单元，稳定第一数据页或第二数据页的编程电平。根据示例性实施例，方法可包括一种存储器编程方法。所述存储器编程 方法可包括在多个多层单元中对第一数据页进行编程；稳定第一数据页的 第一编程电平；用与稳定的第一编程电平相应的编程的第一数据页在所述多 个多层单元中对第二数据页进行编程。根据示例性实施例，方法可包括另一种存储器编程方法。所述存储器编 程方法可包括在多个多层单元中对第一数据页进行编程；用编程的第一数 据页在所述多个多层单元中对第二数据页进^"编程；稳定第 一数据页的第一 编程电平和第二数据页的第二编程电平；对与稳定的第 一编程电平相应的第 一数据页和与稳定的第二编程电平相应的第二数据页进行重新编程。附图说明通过参照附图对示例性实施例进行的详细描述，示例性实施例的上述和 其他特征和优点将会变得更清楚。附图意在描绘示例性实施例，不应该被解 释为限制权利要求的预期范围。除非明确指出，否则附图不视为按比例绘制。图1是示出根据示例性实施例的存储装置的配置的框图；200910137878.9说明书第3/12页图2示出根据示例性实施例的描述存储装置的操作的例子； 图3示出根据示例性实施例的描述存储装置的操作的另一例子； 图4是示出根据示例性实施例的存储器编程方法的流程图； 图5是示出根据其他示例性实施例的存储器编程方法的流程图。具体实施例方式现在将参照附图更全面地描述示例性实施例。然而，实施例可以以多种 不同的形式来实施，而不应理解为限于这里阐述的示例性实施例，相反，提 供这些示例性实施例以使本公开是彻底的和完全的，并将示例性实施例的范 围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，放大了层和区 域的厚度。应该理解的是，当元件被称作在另一元件"上"、"连接到"、"电连接到" 或"结合到"另一元件时，该元件可以直接在另一元件上、直接连接、直接 电连接到或结合到另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称作"直 接"在另一元件"上"、"直接连接到"、"直接电连接到"或"直接结合到"另一元 件时，不存在中间元件。如在这里使用的，术语"和/或"包括一个或多个相关 所列项的任意组合和所有组合。应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同 的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部 分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、 层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开来。例如，在不 脱离示例性实施例的教导的情况下，第一元件、组件、区域、层和/或部分可 被称作第二元件、组件、区域、层和/或部分。为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，如"在...之下"、"在…下方"、 "下面的"、"在...上方"、"上面的"等，用来描述如在图中所示的一个元件和/ 或特征与其它元件和/或特征的关系。应该理解的是，2 间相对术语意在包含 除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。这里所使用的术语仅为了描述特定的示例性实施例，并不意图限制示例 性实施例。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意 图包括复数形式。还应理解的是，当在本说明书中使用术语"包含"和/或"包括" 时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件。除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语) 具有与示例性实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意 思。还应理解的是，除非这里明确定义，否则术语(诸如在通用字典中定义 的术语)应该被解释为具有与相关领域的语境中它们的意思一致的意思，而 不以理想的或者过于正式的含义来解释它们。现在将参照示例性实施例，其在附图中示出，其中，相同的标号始终表 示相同的部件。在描述本专利技术过程中，当确定与相关已知功能或配置有关的详细描述可 能使本专利技术的目的变得不清楚时，这里将省略该详细描述。另外，定义这里 使用的术语以适当描述示例性实施例，因此可根据用户、操作者的意图或自 定义来改变这些术语。因此，必须基于本说明书的以下全面描述来定义这些术语。图1是示出根据示例性实施例的存储装置100的配置的框图。参照图1，存储装置100可包括多层单元阵列110、编程单元120和编程 电平稳定单元130。多层单元阵列110可包括多个多层单元。在非易失性存储器(如，闪存、 电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)等)的多层单元中存储数据的处理 可称为编程处理，还可以是改变多层单元的阈值电压的处理。可使用诸如Fowler-Nordheim ( F-N)隧道、热载流子效应等的机制来执 行在易失性存储器的多层单元中对数据进行编程的处理。F-N隧道可改变多 层单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，包括：　存储单元阵列，包括多个多层单元；　编程单元，在所述多个多层单元中对第一数据页进行编程，并用编程的第一数据页在所述多个多层单元中对第二数据页进行编程；　编程电平稳定单元，稳定第一数据页或第二数据页的编程 电平。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛光洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]