芯片封装结构及芯片测试方法技术

技术编号:39004620 阅读:15 留言:0更新日期:2023-10-07 10:36
本发明专利技术提供了一种芯片封装结构及芯片测试方法,所述芯片封装结构包括:印刷线路板,包括相背的第一表面和第二表面,且所述第二表面具有焊盘;裸晶,包括焊脚,所述裸晶固定在所述印刷线路板的第二表面;塑封层,位于所述印刷线路板的第二表面并包裹所述裸晶;所述塑封层的顶面具有第一凹槽,所述第一凹槽在平行于第二表面的截面的尺寸大于温度传感器的截面的尺寸,且所述第一凹槽在所述印刷线路板的第二表面的正投影与所述裸晶在所述印刷线路板的第二表面的正投影至少部分重合;所述第一凹槽的底璧与所述裸晶的顶面之间具有第一保护层。本发明专利技术可在避免裸晶受物理损伤、环境污染的同时,便于更加精确地对裸晶的进行温度检测。便于更加精确地对裸晶的进行温度检测。便于更加精确地对裸晶的进行温度检测。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及芯片测试方法


[0001]本专利技术涉及芯片测试领域,更具体地说,涉及一种芯片封装结构及芯片测试方法。

技术介绍

[0002]温度是影响芯片性能的重要指标,很多芯片的性能参数都与温度密切相关。因此,在芯片测试过程中,需要记录在不同测试条件下芯片的温度。
[0003]目前,大多数厂家在晶圆热设计验证完成后,需将晶圆切割成晶粒(裸晶)、并将裸晶塑封成芯片再提供给使用者,使用者并不了解晶圆的热设计验证的实际情况,而塑封后的芯片无法准确的测得裸晶的热设计温度,只能从厂家获得裸晶热设计验证结果。
[0004]若使用者要测试裸晶温度,需将芯片的塑封层拆卸,而该种方式容易将芯片损坏,且工艺成本较高。若不拆除塑封层,则只能通过热阻测试,而热阻测试的准确性依赖于热阻参数的准确性,以及功耗和环境温度测量的准确性,通常无法进行精确的温度测量。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题在于,针对上述塑封后芯片测试繁琐、热阻测试准确性不高的问题,提供一种芯片封装结构及芯片测试方法。
[0006]本专利技术解决上述技术问题的技术方案是,提供一种芯片封装结构,包括:
[0007]印刷线路板,包括相背的第一表面和第二表面,且所述第二表面具有焊盘;
[0008]裸晶,包括焊脚,所述裸晶固定在所述印刷线路板的第二表面,且所述裸晶的焊脚与所述印刷线路板第二表面的焊盘相电连接;
[0009]塑封层,位于所述印刷线路板的第二表面并包裹所述裸晶;
[0010]所述塑封层的顶面具有第一凹槽,所述第一凹槽在平行于第二表面的截面的尺寸大于温度传感器的截面的尺寸,且所述第一凹槽在所述印刷线路板的第二表面的正投影与所述裸晶在所述印刷线路板的第二表面的正投影至少部分重合;所述第一凹槽的底璧与所述裸晶的顶面之间具有第一保护层,且所述第一保护层的传热阻小于0.08m2·
K/W。
[0011]作为本专利技术的进一步改进,所述第二保护层的厚度在0.4

3mm之间。
[0012]作为本专利技术的进一步改进,所述塑封层由掺杂有绝缘导热填充物的环氧树脂构成,且所述绝缘导热填充物的导热系数为20

200W/(m
·
K);所述第一保护层与塑封层一体。
[0013]作为本专利技术的进一步改进,所述第一保护层由第一金属片构成,所述第一金属片的导热系数为250

450W/(m
·
K),且所述第一金属片与所述裸晶的顶面之间填充有由导热胶构成的第一导热层。
[0014]作为本专利技术的进一步改进,所述第一凹槽的开口处具有第一填充层,所述第一填充层覆盖第一凹槽的开口,且所述第一填充层与所述第一凹槽的侧壁间的连接强度小于所述塑封层的强度。
[0015]作为本专利技术的进一步改进,所述第一填充层与第一保护层的顶面之间具有间隙,所述第一填充层由弹性材料制成,且所述第一填充层包括贯穿上表面和下表面的接缝。
[0016]作为本专利技术的进一步改进,所述裸晶以引线键合方式固定在所述印刷线路板的第二表面;
[0017]所述印刷线路板的第一表面具有第二凹槽,所述第二凹槽在平行于第一表面的截面的尺寸大于温度传感器的截面的尺寸,且所述第二凹槽与所述裸晶在所述印刷线路板的第一表面的正投影至少部分重合;所述第二凹槽的底璧与所述裸晶的顶面之间具有第二保护层,且所述第二保护层的传热阻小于10mK
·
K/W。
[0018]作为本专利技术的进一步改进,所述第二保护层与印刷线路板一体,且所述第二保护层的厚度在0.4

3mm之间。
[0019]作为本专利技术的进一步改进,所述裸晶与印刷线路板的第一表面之间填充有由导热胶构成的第二导热层;所述第二保护层由第二金属片构成,且所述第二金属片的导热系数为250

450W/(m
·
K)。
[0020]本专利技术还提供一种芯片测试方法,所述方法包括:
[0021]提供一测试板及具有如上所述的芯片封装结构的塑封芯片,并将所述塑封芯片装配到所述测试板;
[0022]将接触型温度传感器插入到第一凹槽内并与所述第一保护层的顶面接触;
[0023]使所述测试板运行测试程序并获取所述接触型温度传感器的温度检测信号。
[0024]本专利技术具有以下有益效果:通过在芯片的塑封层上设置供温度传感器插入的第一凹槽,并在第一凹槽的底璧与裸晶的顶面之间设置第一保护层,可在避免裸晶受物理损伤、环境污染的同时,便于更加精确地对裸晶的进行温度检测。
附图说明
[0025]图1是本专利技术第一实施例提供的芯片封装结构的示意图;
[0026]图2是本专利技术第二实施例提供的芯片封装结构的示意图;
[0027]图3是本专利技术第三实施例提供的芯片封装结构的示意图;
[0028]图4是图3中芯片封装结构的俯视图;
[0029]图5是本专利技术第四实施例提供的芯片封装结构中塑封层顶面及第一填充层的示意图;
[0030]图6是本专利技术第五实施例提供的芯片封装结构的示意图;
[0031]图7是本专利技术第六实施例提供的芯片封装结构的示意图。
具体实施方式
[0032]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。
[0033]本领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”、“包括”为一开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内,本领域技术人员能够在一定误差范围内解决技术问题,基本达到技术效果。
[0034]在申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0035]在本申请的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性;术语“多个”是指两个或两个以上;除非另有规定或说明,术语“连接”、“固定”等均应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接,或电连接;“连接”可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0036]如图1所示,是本专利技术第一实施例提供的芯片封装结构的示意图,该芯片封装结构可应用于芯片封装,例如内存芯片、闪存芯片本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:印刷线路板,包括相背的第一表面和第二表面,且所述第二表面具有焊盘;裸晶,包括焊脚,所述裸晶固定在所述印刷线路板的第二表面,且所述裸晶的焊脚与所述印刷线路板第二表面的焊盘电连接;塑封层,位于所述印刷线路板的第二表面并包裹所述裸晶;所述塑封层的顶面具有第一凹槽,所述第一凹槽在平行于第二表面的截面的尺寸大于温度传感器的截面的尺寸,且所述第一凹槽在所述印刷线路板的第二表面的正投影与所述裸晶在所述印刷线路板的第二表面的正投影至少部分重合;所述第一凹槽的底璧与所述裸晶的顶面之间具有第一保护层,且所述第一保护层的传热阻小于0.08m2·
K/W。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二保护层的厚度在0.4

3mm之间。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封层由掺杂有绝缘导热填充物的环氧树脂构成,且所述绝缘导热填充物的导热系数为20

200W/(m
·
K);所述第一保护层与塑封层一体。4.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一保护层由第一金属片构成,所述第一金属片的导热系数为250

450W/(m
·
K),且所述第一金属片与所述裸晶的顶面之间填充有由导热胶构成的第一导热层。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一凹槽的开口处具有第一填充层,所述第一填充层覆盖第一凹槽的开口,且所述第一填充层与所述第一凹槽的侧壁间的连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖浩秦明跃李文俊
申请(专利权)人:深圳宏芯宇电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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