电容传感器、以及电容传感器的制造方法技术

电容传感器(1)具备：基材膜(10)，其具有透光性；抗蚀剂层(20)，其设置于基材膜(10)的一个主面(11)的一部分，且与基材膜(10)相比而言与规定的导电性高分子的紧贴力较高，并具有透光性；以及电极(31～36)，其由包含规定的导电性高分子的导电性材料构成，且至少一部分设置于抗蚀剂层(20)的与基材膜(10)侧为相反侧的面，并具有透光性，在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，基材膜(10)的主面(11)的未形成抗蚀剂层(20)的区域(15)包围电极(31～36)。蚀剂层(20)的区域(15)包围电极(31～36)。蚀剂层(20)的区域(15)包围电极(31～36)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容传感器、以及电容传感器的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种电容传感器、以及电容传感器的制造方法。

技术介绍

[0002]公知有一种能够用于触控面板式显示器等的电容传感器。下述专利文献1公开一种电容传感器，在具有透光性的基材膜上设置有由导电性高分子构成的具有透光性的电极。另外，下述专利文献1公开了：在基材膜与电极之间设置有提高基材膜与导电性高分子的紧贴力的层。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本专利第6167103号公报

技术实现思路

(一)要解决的技术问题
[0004]一般有如下倾向：在基材膜整面设置提高紧贴力的层。因此，对于上述专利文献1的电容传感器而言，设置上述层时与不设置该层时相比，具有如下倾向：就电容传感器整体而言厚度增加，电容传感器的挠性降低。另外，有时安装电容传感器的部位是曲面，从安装性的观点出发而希望抑制挠性降低。
[0005]因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够提高电极的紧贴力且能够抑制挠性降低的电容传感器、以及电容传感器的制造方法。(二)技术方案
[0006]为了实现上述目的，本专利技术的电容传感器具备：基材膜，其具有透光性；抗蚀剂层，其设置于所述基材膜的一个主面的一部分，且与所述基材膜相比而言与规定的导电性高分子的紧贴力较高，并具有透光性；以及电极，其由包含所述规定的导电性高分子的导电性材料构成，且至少一部分设置于所述抗蚀剂层的与所述基材膜侧为相反侧的面，并具有透光性，在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述基材膜的所述一个主面的未形成所述抗蚀剂层的区域包围所述电极。
[0007]另外，关于本专利技术的电容传感器的制造方法，其特征在于，具备：抗蚀剂层形成工序，在具有透光性的基材膜的一个主面的一部分涂覆树脂材料而形成与规定的导电性高分子的紧贴力比所述基材膜高且具有透光性的抗蚀剂层；以及电极形成工序，至少在所述抗蚀剂层的与所述基材膜侧为相反侧的面的一部分涂覆包含所述规定的导电性高分子的导电性材料而形成具有透光性的电极，在所述抗蚀剂层形成工序中以如下方式涂覆所述树脂材料，即：在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述抗蚀剂层被所述基材膜的所述一个主面的未形成所述抗蚀剂层的区域包围，在所述电极形成工序中以如下方式涂覆所述导电性材料，即：在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述电极被所述区域包围。
[0008]对于该电容传感器、以及电容传感器的制造方法而言，将具有透光性的电极的至
少一部分经由抗蚀剂层安装于基材膜。构成该电极的导电性材料所包含的规定的导电性高分子与抗蚀剂层的紧贴力比规定的导电性高分子与基材膜的紧贴力高。因此，与不在基材膜上设置抗蚀剂层的情况相比，能够提高电极与基材膜的紧贴力。另外，对于该电容传感器、以及电容传感器的制造方法而言，在沿基材膜的厚度方向观察的情况下，基材膜的一个主面的未形成抗蚀剂层的区域包围电极。因此，根据该电容传感器，与在基材膜的一个主面的整面设置有抗蚀剂层的情况相比，至少能够抑制电极周围的挠性降低，能够提高向装置等上的曲面状的部位进行安装的安装性。另外，根据该电容传感器的制造方法，能够制造一种电容传感器，该电容传感器能够提高电极的紧贴力并且能够抑制挠性降低。
[0009]可以是，上述的电容传感器还具备设置于所述区域并且与所述电极分离的屏蔽层。
[0010]通过成为这样的结构，从而与电容传感器不具备屏蔽层的情况相比，能够抑制外部的电磁场等的影响到达电极。
[0011]在这种情况下，可以是，所述屏蔽层比所述电极厚。
[0012]通过成为这样的结构，与屏蔽层比电极薄的情况相比，能够减小电极的厚度及抗蚀剂层的厚度的合计与屏蔽层的厚度的差。因此，与屏蔽层比电极薄的情况相比，能够减少电容传感器的以基材膜为基准的电极侧的面的凹凸量。
[0013]在这种情况下，可以是，在沿所述基材膜的所述一个主面的方向上，所述电极的至少一部分与所述屏蔽层的一部分相互重合。
[0014]根据这样的结构，与在沿基材膜的一个主面的方向上电极与屏蔽层不相互重合的情况相比，能够抑制来自沿基材膜的一个主面的方向的电磁场等的影响到达电极。
[0015]在上述的电容传感器中，可以是，所述基材膜具有：设置有所述抗蚀剂层的主部、以及与所述主部连接且设置有与所述电极电连接的端子的尾部，所述基材膜的所述尾部上的所述一个主面包含于所述区域。
[0016]根据这样的结构，由于在基材膜的尾部不设置抗蚀剂层，因此与在尾部设置有抗蚀剂层的情况相比，能够抑制电容传感器的包含尾部的部位的挠性降低，能够容易使端子配置于期望的位置。
[0017]关于上述的电容传感器，可以是，还具备外抗蚀剂层，该外抗蚀剂层由与构成所述抗蚀剂层的树脂相同的树脂构成，并覆盖所述电极。
[0018]根据这样的结构，与外抗蚀剂层由与构成抗蚀剂层的树脂不同的树脂构成的情况相比，能够缩小抗蚀剂层的由热引起的伸缩量与外抗蚀剂层的由热引起的伸缩量的差，能够抑制由热引起的伸缩所导致的裂缝。
[0019]如上所述，根据本专利技术，能够提供一种能够提高电极的紧贴力且能够抑制挠性降低的电容传感器、以及电容传感器的制造方法。
附图说明
[0020]图1是概要地示出本专利技术实施方式的电容传感器的俯视图。图2是概要地示出图1所示的电容传感器的分解立体图。图3是概要地示出沿图1的III－III线的电容传感器的剖面的图。图4是表示本实施方式的电容传感器的制造方法的工序的流程图。
具体实施方式
[0021]以下参照附图对本专利技术的电容传感器、以及电容传感器的制造方法的优选实施方式进行详细说明。以下例示的实施方式用于使本专利技术容易理解而非限定解释本专利技术。本专利技术能够在不脱离其主旨的前提下对以下的实施方式进行变更、改进。此外，在以下参照的附图中，存在为了容易理解而改变各部件的尺寸进行表示的情况。
[0022]图1是概要地示出本实施方式的电容传感器的俯视图，图2是概要地示出图1所示的电容传感器的分解立体图，图3是概要地示出沿图1的III－III线的电容传感器的剖面的图。如图1至图3所示，本实施方式的电容传感器1具备：基材膜10、抗蚀剂层20、电极31～36、端子41～47、配线51～57、屏蔽层60、外抗蚀剂层70、背面抗蚀剂层80。此外，在图1中，配线51～57用粗线表示。
[0023]基材膜10是具有透光性、绝缘性、以及挠性的树脂制膜。作为基材膜10，例如可举出由聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚对苯二甲酸乙酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、丙烯酸(PMMA)等树脂构成的膜，基材膜10可以是单层结构也可以是多层结构。基材膜10的厚度例如为10μm以上且200μm以下。在本实施方式中，基材膜10由大致长方形状的主部10M、以及与主部10M连接且在与主部10M的短尺寸方向大致平行的方向上为长尺寸带状的尾部10T构成。主部10M的一个短边和尾部10T的一个长边位于同一直线上。此外，基材膜10的形状没有特别限制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电容传感器，其特征在于，具备：基材膜，其具有透光性；抗蚀剂层，其设置于所述基材膜的一个主面的一部分，且与所述基材膜相比而言与规定的导电性高分子的紧贴力较高，并具有透光性；以及电极，其由包含所述规定的导电性高分子的导电性材料构成，且至少一部分设置于所述抗蚀剂层的与所述基材膜侧为相反侧的面，并具有透光性，在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述基材膜的所述一个主面的未形成所述抗蚀剂层的区域包围所述电极。2.根据权利要求1所述的电容传感器，其特征在于，还具备设置于所述区域并且与所述电极分离的屏蔽层。3.根据权利要求2所述的电容传感器，其特征在于，所述屏蔽层比所述电极厚。4.根据权利要求3所述的电容传感器，其特征在于，在沿所述基材膜的所述一个主面的方向上，所述电极的至少一部分与所述屏蔽层的一部分相互重合。5.根据权利要求1至4的任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述基材膜具有：设置有所述抗蚀剂层的主部、以及与所述主部连接并设置有与所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：龟岛贵，
申请(专利权)人：株式会社藤仓，
类型：发明
国别省市：