一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构制造技术

本发明专利技术公开了一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，涉及电波暗室技术领域，包括:相互适配的屏蔽壳体，屏蔽壳体之间内嵌设有第一密封件和第二密封件，第一密封件和第二密封件分别嵌入轴承，轴承内穿插有传动轴；第一密封件一侧嵌入连接件，连接件内嵌入第一壁齿件，第一壁齿件内设有第一卡槽，且第二密封件内嵌入第二壁齿件，第二壁齿件内设有第二卡槽，且传动轴分别与第一卡槽和第二卡槽适配。本发明专利技术通过在屏蔽壳体内分别嵌入第一密封件和第二密封件形成电磁屏蔽层，同时通过嵌入连接件配合第一壁齿件以及第二壁齿件，并分别通过第一卡槽和第二卡槽与传动轴适配连接，实现电磁屏蔽的轴穿墙结构，不仅电磁屏蔽效果好，而且适配性高。而且适配性高。而且适配性高。

【技术实现步骤摘要】
一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构


[0001]本专利技术涉及电波暗室
，具体来说，涉及一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构。

技术介绍

[0002]全(半)电波暗室(以下简称电波暗室)，是主要用于模拟自由空间及开阔场，同时用于辐射无线电骚扰(EMI)和辐射敏感度(EMS)测量的密闭屏蔽室。电波暗室的尺寸和射频吸波材料的选用主要由受试设备(EUT)的外行尺寸和测试要求确定，一般分为1m法、3m法或10m法。
[0003]电波暗室的屏蔽效能是电波暗室的基础性能，一般情况下，电波暗室的屏蔽壳体由一块块钢板拼接而成，屏蔽性能由完整的屏蔽壳体保证，但在某些特殊的电波暗室应用中需要有穿墙结构，以此将动力从电波暗室外部传输进暗室内部，或者将电波暗室内部动能传输到电波暗室外部进行消耗，目前穿墙结构电磁屏蔽效果较差，存在一定的使用局限性。
[0004]针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0005]针对相关技术中的问题，本专利技术提出一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
[0006]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0007]一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，包括:相互适配的屏蔽壳体，所述屏蔽壳体之间内嵌设有第一密封件和第二密封件，所述第一密封件和所述第二密封件分别嵌入轴承，所述轴承内穿插有传动轴；
[0008]所述第一密封件一侧嵌入连接件，所述连接件内嵌入第一壁齿件，所述第一壁齿件内设有第一卡槽，且所述第二密封件内嵌入第二壁齿件，所述第二壁齿件内设有第二卡槽，且所述传动轴分别与所述第一卡槽和所述第二卡槽适配；
[0009]所述第一密封件和所述第二密封件之间填充有电磁屏蔽层。
[0010]进一步的，所述连接件一侧设有凹槽，所述第一壁齿件与所述连接件通过所述凹槽卡接。
[0011]进一步的，所述传动轴两侧分别设有螺纹槽，所述螺纹槽分别与所述第一卡槽和所述第二卡槽适配。
[0012]进一步的，所述电磁屏蔽层，包括：含氟聚酰亚胺保护层和位于所述含氟聚酰亚胺保护层之间的含氟聚酰亚胺衬底，且所述含氟聚酰亚胺保护层和所述含氟聚酰亚胺衬底之间填充有银纳米线层。
[0013]进一步的，所述含氟聚酰亚胺保护层和所述含氟聚酰亚胺衬底由含氟聚酰亚胺胶液涂布制备而成。
[0014]进一步的，所述银纳米线层由银纳米线涂布液涂布制备而成。
[0015]进一步的，所述银纳米线涂布液，包括如下质量份数的原料：0.01～1份银纳米线、0.01
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2份分散树脂、0.02
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0.05份的熔钎剂、0.01
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0.1份的润湿剂和50～80份溶剂。
[0016]进一步的，所述第一密封件和所述第二密封件外分别设有干扰件。
[0017]进一步的，所述干扰件，包括：承载件、屏蔽件和信号发射层，所述承载件位于所述屏蔽件和所述信号发射层之间，且所述屏蔽件嵌入所述第一密封件和所述第二密封件一侧。
[0018]进一步的，所述屏蔽件为网格状导电结构。
[0019]本专利技术的有益效果：
[0020]1、本专利技术可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，通过在屏蔽壳体内分别嵌入第一密封件和第二密封件形成电磁屏蔽层，同时通过嵌入连接件配合第一壁齿件以及第二壁齿件，并分别通过第一卡槽和第二卡槽与传动轴适配连接，实现电磁屏蔽的轴穿墙结构，不仅电磁屏蔽效果好，而且适配性高。
[0021]2、本专利技术可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，通过采用含氟聚酰亚胺与银纳米线复合的电磁屏蔽层，电磁屏蔽性能好，对不同频段的电磁波均具有屏蔽效益，同时含氟聚亚酰胺层抗高温且银纳米线质量轻、透过率高，使得电磁屏蔽层轻质、寿命且延展性好。
[0022]3、本专利技术可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，通过第一密封件和第二密封件分别设有干扰件，具备很好的屏蔽内部信号的扩散以及外部信号的干扰，同时通过信号发射层可用于发送信号，以达到干扰目的，增强电磁屏蔽的效果。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是根据本专利技术实施例的一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构的剖视结构示意图；
[0025]图2是根据本专利技术实施例的一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构的电磁屏蔽层结构示意图。
[0026]图中：
[0027]1、屏蔽壳体；2、第一密封件；3、第二密封件；4、轴承；5、传动轴；6、嵌入连接件；7、第一壁齿件；8、第一卡槽；9、第二壁齿件；10、第二卡槽；11、电磁屏蔽层；12、干扰件。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]根据本专利技术的实施例，提供了一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构。
[0030]如图1所示，根据本专利技术实施例的可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，包括:相互适配的屏蔽壳体1，屏蔽壳体1之间内嵌设有第一密封件2和第二密封件3，第一密封件2和第二密封件3分别嵌入轴承4，轴承4内穿插有传动轴5；
[0031]第一密封件2一侧嵌入连接件6，连接件6内嵌入第一壁齿件7，第一壁齿件7内设有第一卡槽8，且第二密封件3内嵌入第二壁齿件9，第二壁齿件9内设有第二卡槽10，且传动轴5分别与第一卡槽8和第二卡槽10适配；
[0032]第一密封件2和第二密封件3之间填充有电磁屏蔽层11。
[0033]另外，连接件6一侧设有凹槽，第一壁齿件7与连接件6通过凹槽卡接。
[0034]另外，传动轴5两侧分别设有螺纹槽，螺纹槽分别与第一卡槽8和第二卡槽10适配。
[0035]借助于上述方案，通过在屏蔽壳体1内分别嵌入第一密封件2和第二密封件3形成电磁屏蔽层11，同时通过嵌入连接件6配合第一壁齿件7以及第二壁齿件9，并分别通过第一卡槽8和第二卡槽10与传动轴5适配连接，实现电磁屏蔽的轴穿墙结构，不仅电磁屏蔽效果好，而且适配性高。
[0036]另外，电磁屏蔽层11，包括：含氟聚酰亚胺保护层和位于含氟聚酰亚胺保护层之间的含氟聚酰亚胺衬底，且含氟聚酰亚胺保护层和含氟聚酰亚胺衬底之间填充有银纳米线层。
[0037]此外，含氟聚酰亚胺保护层和含氟聚酰亚胺衬底由含氟聚酰亚胺胶液涂布制备而成。
[0038]另外，银纳米线层由银纳米线涂布液涂布制备而成。
[0039]另外，银纳米线涂布液，包括如下质量份数的原料：0.01～1份银纳米线、0.01
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2份分散树脂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，其特征在于，包括:相互适配的屏蔽壳体(1)，所述屏蔽壳体(1)之间内嵌设有第一密封件(2)和第二密封件(3)，所述第一密封件(2)和所述第二密封件(3)分别嵌入轴承(4)，所述轴承(4)内穿插有传动轴(5)；所述第一密封件(2)一侧嵌入连接件(6)，所述连接件(6)内嵌入第一壁齿件(7)，所述第一壁齿件(7)内设有第一卡槽(8)，且所述第二密封件(3)内嵌入第二壁齿件(9)，所述第二壁齿件(9)内设有第二卡槽(10)，且所述传动轴(5)分别与所述第一卡槽(8)和所述第二卡槽(10)适配；所述第一密封件(2)和所述第二密封件(3)之间填充有电磁屏蔽层(11)。2.根据权利要求1所述的可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，其特征在于，所述连接件(6)一侧设有凹槽，所述第一壁齿件(7)与所述连接件(6)通过所述凹槽卡接。3.根据权利要求2所述的可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，其特征在于，所述传动轴(5)两侧分别设有螺纹槽，所述螺纹槽分别与所述第一卡槽(8)和所述第二卡槽(10)适配。4.根据权利要求1所述的可保证电磁屏蔽的轴穿墙结构，其特征在于，所述电磁屏蔽层(11)，包括：含氟聚酰亚胺保护层和位于所述含氟聚酰亚胺保护层之间的含氟聚酰亚胺衬底，且所述含氟聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴鹏，陈欣，
申请(专利权)人：北京艾姆克控股有限公司，
类型：发明
国别省市：