晶圆切割方法技术

本申请公开了一种晶圆切割方法，晶圆切割方法包括：将第一晶圆和第二晶圆键合以形成键合晶圆；将键合晶圆固定至承载体；从键合晶圆背离承载体的一侧对键合晶圆进行第一次切割，其中，在第一次切割时切割至少部分键合晶圆且未切割承载体，以在键合晶圆上形成第一切割道；沿第一切割道对键合晶圆进行第二次切割，其中，在第二次切割时切割部分承载体，以在承载体上形成第二切割道。上述方案，通过将第一晶圆和第二晶圆键合后再进行切割，简化了生产工艺，节约时间和成本，将键合晶圆固定至承载体上，切割时分两次切割，降低崩边、裂片、污染或多晶改变的风险。或多晶改变的风险。或多晶改变的风险。

【技术实现步骤摘要】
晶圆切割方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别是涉及晶圆切割方法。

技术介绍

[0002]晶圆需要在完成前道各种制造工序后进行切割，把晶圆切割成单个的芯片。近年来，随着光电产业的迅猛发展，高集成和高性能的半导体晶圆需求也越来越大，为了大幅度节约成本和提高制造效率，在大批量生产中往往在晶圆上沉积集成电路芯片或电路元件结构，然后再分割成各个晶粒，最后再进行封装和焊接，因此，晶圆切割工艺对提高成品率和封装效率有着重要影响。
[0003]现有的晶圆切割工艺中，不同的晶圆分开切割加工，再对半成品裸片进行组装键合，这种工艺无疑是繁琐的，十分浪费时间，生产成本高。若将晶圆键合堆叠起来切割，又面临崩边、裂片、污染或多晶改变、多层叠加导致应力集中、晶圆翘曲程度高的风险。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种晶圆切割方法，以解决现有技术中晶圆键合堆叠起来切割导致的崩边、裂片、污染的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请所提供的技术方案是：
[0006]一种晶圆切割方法，所述晶圆切割方法包括：
[0007]将第一晶圆和第二晶圆键合以形成键合晶圆；
[0008]将所述键合晶圆固定至承载体；
[0009]从所述键合晶圆背离所述承载体的一侧对所述键合晶圆进行第一次切割，其中，在第一次切割时切割至少部分所述键合晶圆且未切割所述承载体，以在所述键合晶圆上形成第一切割道；
[0010]沿所述第一切割道对所述键合晶圆进行第二次切割，其中，在所述第二次切割时切割部分所述承载体，以在所述承载体上形成第二切割道。
[0011]根据本申请一实施方式，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间通过键合焊盘键合。
[0012]根据本申请一实施方式，在所述将所述键合晶圆固定至承载体的步骤之前，所述晶圆切割方法还包括：
[0013]通过硅通孔技术将所述键合焊盘引至所述键合晶圆背离所述承载体的一侧。
[0014]根据本申请一实施方式，所述第一次切割与所述第二次切割的切割线宽相同。
[0015]根据本申请一实施方式，所述第二晶圆位于所述第一晶圆和所述承载体之间，所述第二晶圆的朝向所述第一晶圆的一面具有引线焊盘；
[0016]所述第一次切割时切割至露出所述引线焊盘；
[0017]所述第一次切割的切割线宽大于所述第二次切割的切割线宽，且所述第二次切割的切割轨迹位于露出的相邻所述引线焊盘之间。
[0018]根据本申请一实施方式，所述将所述键合晶圆固定至承载体，包括：
[0019]在所述键合晶圆和所述承载体中的至少一者的表面上设置粘合层；
[0020]将所述键合晶圆和所述承载体通过所述粘合层进行粘接固定。
[0021]根据本申请一实施方式，在所述沿所述第一切割道对所述键合晶圆进行第二次切割的步骤之后，所述晶圆切割方法还包括：
[0022]对所述粘合层进行解粘合处理，以降低所述粘合层的粘度。
[0023]根据本申请一实施方式，在所述对所述粘合层进行解粘合处理的步骤之后，所述晶圆切割方法还包括：
[0024]在所述承载体背向所述键合晶圆的一面贴承载膜；
[0025]沿所述第二切割道对所述承载体进行裂片处理，得到多个分开的晶粒；
[0026]对所述承载膜进行扩膜处理，使所有晶粒向四周均匀扩开。
[0027]根据本申请一实施方式，在所述将所述键合晶圆固定至承载体的步骤之前，所述晶圆切割方法还包括对所述键合晶圆进行减薄处理。
[0028]根据本申请一实施方式，所述第一晶圆和所述第二晶圆中至少一个为微机电系统晶圆或微型电子晶圆。
[0029]本申请的有益效果是：
[0030]本申请通过将第一晶圆和第二晶圆键合后再进行切割，两晶圆不用分开切割、再对半成品裸片进行繁复的组装键合，简化了生产工艺，节约时间和成本。
[0031]将键合晶圆固定至承载体上，切割时分两次切割，且第一次切割时未切到承载体，从而在键合晶圆上形成第一切割道，第二次切割时再沿第一切割道切到承载体，从而在承载体上形成第二切割道，以便于后续裂片，降低崩边、裂片、污染或多晶改变的风险。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
[0033]图1是本申请提供的晶圆切割方法的一示例性实施例的流程图；
[0034]图2是图1中步骤S120的流程图；
[0035]图3是本申请提供的晶圆切割方法的另一示例性实施例的流程图；
[0036]图4是本申请提供的晶圆切割方法的实施例一的流程图；
[0037]图5是本申请实施例一的方法流程图对应的晶圆结构示意图；
[0038]图6是本申请实施例二的方法流程图对应的晶圆结构示意图。
[0039]附图标记说明：
[0040]键合晶圆100
[0041]第一晶圆110
[0042]第二晶圆120
[0043]引线焊盘121
[0044]键合焊盘130
[0045]第一切割道140
[0046]第二切割道150
[0047]粘合层200
[0048]承载体300
[0049]承载膜400
[0050]基板500
[0051]金属引线600
[0052]第一芯片1100
[0053]第二芯片1200
具体实施方式
[0054]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0055]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0056]请参阅图1，图1是本申请的晶圆切割方法的一示例性实施例的流程示意图。具体而言，结合图5和图6，可以包括如下步骤：
[0057]S110：将第一晶圆110和第二晶圆120键合以形成键合晶圆100。
[0058]S120：将键合晶圆100固定至承载体300。
[0059]S130：从键合晶圆100背离承载体300的一侧对键合晶圆100进行第一次切割，其中，在第一次切割时切割至少部分键合晶圆100且未切割承载体300，以在键合晶圆100上形成第一切割道140。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，所述晶圆切割方法包括：将第一晶圆和第二晶圆键合以形成键合晶圆；将所述键合晶圆固定至承载体；从所述键合晶圆背离所述承载体的一侧对所述键合晶圆进行第一次切割，其中，在第一次切割时切割至少部分所述键合晶圆且未切割所述承载体，以在所述键合晶圆上形成第一切割道；沿所述第一切割道对所述键合晶圆进行第二次切割，其中，在所述第二次切割时切割部分所述承载体，以在所述承载体上形成第二切割道。2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间通过键合焊盘键合。3.根据权利要求2所述的晶圆切割方法，其特征在于，在所述将所述键合晶圆固定至承载体的步骤之前，所述晶圆切割方法还包括：通过硅通孔技术将所述键合焊盘引至所述键合晶圆背离所述承载体的一侧。4.根据权利要求3所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一次切割与所述第二次切割的切割线宽相同。5.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第二晶圆位于所述第一晶圆和所述承载体之间，所述第二晶圆的朝向所述第一晶圆的一面具有引线焊盘；所述第一次切割时切割至露出所述引线焊盘；所述第一次切割的切割线宽大于所述第二次切...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷永庆，申艳珍，彭瑞钦，袁燊喜，
申请(专利权)人：麦斯塔微电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：