半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法技术

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法。用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括半导体底层和覆盖在半导体底层上的掩模层；在掩模层的阵列区域中设有第一沟槽阵列和第二沟槽阵列；第一沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第一沟槽，第二沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第二沟槽；在行方向上，第一沟槽和第二沟槽交替且错位排布，在列方向上，第一沟槽和第二沟槽也交替且错位排布；位于掩模层中的第一沟槽和第二沟槽向下延伸至半导体底层中，且在半导体底层中第一沟槽和第二沟槽沿着各自长度的延伸方向相互贯通。基于刻蚀工艺菜单对上述半导体结构进行干法刻蚀，以评估该刻蚀工艺菜单的聚合物生成量。聚合物生成量。聚合物生成量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域中，需要等离子体参与干法刻蚀。然而在干法蚀刻过程中，等离子体中的反应物与被刻蚀材料发生反应会生成各种副产物，其中包括对蚀刻工艺有重大影响的反应副产物聚合物(polymer)。虽然一定量的聚合物对半导体器件特定形貌的形成至关重要，但过量的聚合物会造成图形积压变形的缺陷。
[0003]相关技术采用的干法刻蚀工艺菜单开发过程缺少对该工艺菜单可能产生的聚合物进行定量评估，而是基于采用该工艺菜单进行大量作业后才能确定该工艺菜单所产生聚合物的量，然而此方案一旦发现工艺菜单所对应产生的聚合物过量则需要重新开发优化工艺菜单，进而耽误半导体器件的量产过程。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法，可以解决相关技术中缺少对该工艺菜单可能产生的聚合物进行定量评估的问题。
[0005]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请的第一方面提供一种用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，所述用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括：
[0006]所述用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括半导体底层和覆盖在所述半导体底层上的掩模层；
[0007]在所述掩模层的阵列区域中设有第一沟槽阵列和第二沟槽阵列；
[0008]所述第一沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第一沟槽，所述第二沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第二沟槽；
[0009]在行方向上，所述第一沟槽和所述第二沟槽交替且错位排布，在列方向上，所述第一沟槽和所述第二沟槽也交替且错位排布；
[0010]位于所述掩模层中的第一沟槽和第二沟槽向下延伸至所述半导体底层中，且在所述半导体底层中所述第一沟槽和第二沟槽沿着各自长度的延伸方向相互贯通。
[0011]可选地，所述行方向与所述列方向相互垂直。
[0012]可选地，所述第一沟槽的长度朝所述行方向延伸，所述第一沟槽的宽度朝所述列方向延伸，所述第二沟槽的长度朝所述列方向延伸，所述第二沟槽的宽度朝所述行方向延伸。
[0013]可选地，与所述第一沟槽阵列中的任一个第一沟槽相邻的所有第二沟槽，均与所述第一沟槽在所述列方向上错位，且错位的距离大于所述第一沟槽的宽度；
[0014]与所述第二沟槽阵列中的任一个第二沟槽相邻的第一沟槽，均与所述第二沟槽在所述行方向上错位，且错位的距离大于或等于所述第二沟槽的宽度。
[0015]可选地，在所述阵列区域中，所述贯通区包括位于所述阵列区域中部的中部贯通区和位于所述阵列区域边缘的边缘贯通区。
[0016]可选地，在所述掩模层中对应所述贯通区位置处形成悬浮结构，所述悬浮结构用于间隔相邻的两个所述第一沟槽以及相邻两个所述第二沟槽。
[0017]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请的第二方面提供一种评估刻蚀工艺菜单的方法，所述评估刻蚀工艺菜单的方法包括以下步骤：
[0018]获取刻蚀工艺菜单；
[0019]基于所述刻蚀工艺菜单对如本申请第一方面所述的半导体结构进行干法刻蚀；所述干法刻蚀形成的聚合物从位于所述阵列区域边缘的第一沟槽和/或第二沟槽中开始沉积；
[0020]基于所述掩模层中沉积有聚合物的第一沟槽和第二沟槽评估所述刻蚀工艺菜单中聚合物生成量。
[0021]可选地，所述基于所述掩模层中沉积有聚合物的第一沟槽和第二沟槽评估所述刻蚀工艺菜单中聚合物生成量的步骤，包括：
[0022]计数所述掩模层中沉积有聚合物的第一沟槽和第二沟槽；
[0023]基于沉积有聚合物的第一沟槽和第二沟槽的数量，确定述刻蚀工艺菜单中聚合物生成量。
[0024]可选地，所述基于所述掩模层中沉积有聚合物的第一沟槽和第二沟槽评估所述刻蚀工艺菜单中聚合物生成量的步骤，包括：
[0025]确定所述掩模层中沉积有聚合物的第一沟槽和第二沟槽在所述阵列区域100中的分布；
[0026]基于沉积有聚合物的第一沟槽和第二沟槽在所述阵列区域中的分布，确定所述刻蚀工艺菜单中聚合物生成量。
[0027]可选地，在所述基于沉积有聚合物的第一沟槽和第二沟槽在所述阵列区域中的分布，确定所述刻蚀工艺菜单中聚合物生成量的步骤中，当沉积有聚合物的第一沟槽和第二沟槽越靠近所述阵列区域的中心，确定刻蚀工艺菜单中聚合物生成量越多。
[0028]本申请技术方案，至少包括如下优点：能够直观地量化聚合物的堆积程度，以此作为评估刻蚀工艺菜单中聚合物生成量的标准。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1示出了本申请提供的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构一实施例中掩模层的俯视图。
[0031]图2示出了本申请提供的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构一实施例中半导体底层的俯视图。
[0032]图3示出了图1的A
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A向剖视结构示意图。
[0033]图4示出了图1的B
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B向剖视结构示意；
[0034]图5示出了本申请一实施例提供的一种评估刻蚀工艺菜单的方法的流程图。
具体实施方式
[0035]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0036]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0037]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0038]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0039]图1示出了本申请提供的用于评本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，所述用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括：所述用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括半导体底层和覆盖在所述半导体底层上的掩模层；在所述掩模层的阵列区域中设有第一沟槽阵列和第二沟槽阵列；所述第一沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第一沟槽，所述第二沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第二沟槽；在行方向上，所述第一沟槽和所述第二沟槽交替且错位排布，在列方向上，所述第一沟槽和所述第二沟槽也交替且错位排布；位于所述掩模层中的第一沟槽和第二沟槽向下延伸至所述半导体底层中，且在所述半导体底层中所述第一沟槽和第二沟槽沿着各自长度的延伸方向相互贯通。2.如权利要求1所述的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，所述行方向与所述列方向相互垂直。3.如权利要求1所述的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，所述第一沟槽的长度朝所述行方向延伸，所述第一沟槽的宽度朝所述列方向延伸，所述第二沟槽的长度朝所述列方向延伸，所述第二沟槽的宽度朝所述行方向延伸。4.如权利要求3所述的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，与所述第一沟槽阵列中的任一个第一沟槽相邻的所有第二沟槽，均与所述第一沟槽在所述列方向上错位，且错位的距离大于所述第一沟槽的宽度；与所述第二沟槽阵列中的任一个第二沟槽相邻的第一沟槽，均与所述第二沟槽在所述行方向上错位，且错位的距离大于或等于所述第二沟槽的宽度。5.如权利要求1所述的用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构，其特征在于，在所述阵列区域中，所述贯通区包括位于所述阵列区域中部的中部贯通区和位于所述阵列区域边缘的边缘贯通区。6.如权利要求1所述的用于评估...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧少敏，谭理，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：