一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺，包括如下步骤：基板预处理：对基板表面进行清洗烘干；溅射：在基板上溅射一层种子薄层；光刻：对基板表面涂覆的光刻胶进行光刻处理；洁净基板开窗的铜表面：通过plasma去除铜面氧化物及光刻胶残留，并在表面形成微蚀刻的铜面；生长金属柱：使用化学溶液和电流将金属沉积在基板开窗的铜表面，形成金属柱，并避免共面度偏差；揭膜：去除光刻胶残膜；蚀刻：使用蚀刻药水去掉绿油表面种子层。通过采用曝光显影和电镀工艺的结合，对其基板加工的尺寸和形状可通过参数进行调节，并且提高了产品的生产精度。并且提高了产品的生产精度。并且提高了产品的生产精度。

【技术实现步骤摘要】
一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺。

技术介绍

[0002]目前，随着集成度的提高，目前倒装芯片凸块间距(Flipchipbumppitch)日趋减小，现有技术中，首先根据基板顶层绿油开窗位置及大小加工对应的钢网，钢网贴合绿油表面，使用刮刀将焊锡压入网孔，钢网与基板脱离，焊锡过回流焊，最后使用整平设备压平锡珠，调整其共度面。
[0003]但现有技术中，因采用印刷工艺，钢网的开孔限制了bumppitch进一步减小，并且回流焊之后锡柱共面度差，需增加整形工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺，旨在解决现有技术中的采用印刷工艺，钢网的开孔限制了bumppitch进一步减小，并且回流焊之后锡柱共面度差，需增加整形工艺的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺，包括如下步骤：
[0006]基板预处理：对基板表面进行清洗烘干；
[0007]溅射：在基板上溅射一层种子薄层；
[0008]光刻：对基板表面涂覆的光刻胶进行光刻处理；
[0009]洁净基板开窗的铜表面：通过plasma去除铜面氧化物及光刻胶残留，并在表面形成微蚀刻的铜面；
[0010]生长金属柱：使用化学溶液和电流将金属沉积在基板开窗的铜表面，或将金属加热至熔点，通过喷涂、加压、浸没的方式使铜液填充到光刻胶开窗的范围内，形成金属柱，并避免共面度偏差；
[0011]揭膜：去除光刻胶残膜；
[0012]蚀刻：使用蚀刻药水去掉绿油表面种子层。
[0013]其中，所述光刻包括如下步骤：
[0014]光刻胶涂覆：将光刻胶涂覆在基板表面，并使用旋转机械平均地将光刻胶涂覆在基板的表面；
[0015]预烘烤：将基板放入预烘烤炉中，加热固化；
[0016]掩膜对准和曝光：将掩膜对准基板表面，并使用紫外线照射仪进行曝光，在曝光过程中，紫外线通过掩膜的透明部分照射到光刻胶表面，使得该部位的光刻胶发生化学反应；
[0017]后烘烤：将基板放入后烘烤炉中，并加热光刻胶，使其完全固化，加强图案的精度和耐久度；
[0018]显影：将基板表面放在显影液之中，使光刻胶暴露的部分溶解，精确露出基板表面
绿油开窗的位置。
[0019]本专利技术的一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺的有益效果为：本专利技术通过采用曝光显影和电镀工艺的结合，对其基板加工的尺寸和形状可通过参数进行调节，并且提高了产品的生产精度，可以进一步地缩小了倒装芯片bumppitch。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本专利技术的基于曝光显影工艺的基板加工工艺的工艺步骤流程图。
[0022]图2是本专利技术的光刻工艺的工艺步骤流程图。
[0023]图3是现有技术的基板加工工艺的结构图。
[0024]图4是本专利技术的基于曝光显影工艺的基板加工工艺的结构图。
具体实施方式
[0025]请参阅图1至图2，本专利技术提供了一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺，包括如下步骤：
[0026]S1：基板预处理：对基板表面进行清洗烘干；
[0027]S2：溅射：在基板上溅射一层种子薄层；
[0028]S3：光刻：对基板表面涂覆的光刻胶进行光刻处理；
[0029]S4：洁净基板开窗的铜表面：通过plasma去除铜面氧化物及光刻胶残留，并在表面形成微蚀刻的铜面；
[0030]S5：生长金属柱：使用化学溶液和电流将金属沉积在基板开窗的铜表面，或将金属加热至熔点，通过喷涂、加压、浸没的方式使铜液填充到光刻胶开窗的范围内，形成金属柱，并避免共面度偏差；
[0031]S6：揭膜：去除光刻胶残膜；
[0032]S7：蚀刻：使用蚀刻药水去掉绿油表面种子层。
[0033]进一步地，所述光刻包括如下步骤：
[0034]S31：光刻胶涂覆：将光刻胶涂覆在基板表面，并使用旋转机械平均地将光刻胶涂覆在基板的表面；
[0035]S32：预烘烤：将基板放入预烘烤炉中，加热固化；
[0036]S33：掩膜对准和曝光：将掩膜对准基板表面，并使用紫外线照射仪进行曝光，在曝光过程中，紫外线通过掩膜的透明部分照射到光刻胶表面，使得该部位的光刻胶发生化学反应；
[0037]S34：后烘烤：将基板放入后烘烤炉中，并加热光刻胶，使其完全固化，加强图案的精度和耐久度；
[0038]S35：显影：将基板表面放在显影液之中，使光刻胶暴露的部分溶解，精确露出基板表面绿油开窗的位置。
[0039]在本实施方式中，本专利技术通过采用曝光显影和电镀工艺的结合，对其基板加工的尺寸和形状可通过参数进行调节，并且提高了产品的生产精度，可以进一步地缩小了倒装芯片bumppitch，提高回流焊后的锡柱共面度，无需增加整形工艺，大幅提高了产品的品质，同时提高了对产品的加工效率。
[0040]以上所揭露的仅为本专利技术一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本专利技术权利要求所作的等同变化，仍属于专利技术所涵盖的范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：基板预处理：对基板表面进行清洗烘干；溅射：在基板上溅射一层种子薄层；光刻：对基板表面涂覆的光刻胶进行光刻处理；洁净基板开窗的铜表面：通过plasma去除铜面氧化物及光刻胶残留，并在表面形成微蚀刻的铜面；生长金属柱：使用化学溶液和电流将金属沉积在基板开窗的铜表面，或将金属加热至熔点，通过喷涂、加压、浸没的方式使铜液填充到光刻胶开窗的范围内，形成金属柱，并避免共面度偏差；揭膜：去除光刻胶残膜；蚀刻：使用蚀刻药水去掉绿油表面种子层。2.如权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹春政，罗志耀，宝荐，
申请(专利权)人：升新高科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：