本实用新型专利技术公开了一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，涉及金刚石单晶合成技术领域，包括底座、万向轮、合成箱、基台本体、升降柱和升降组件，通过升降电机带动螺纹杆转动，螺纹杆带动螺纹环移动，螺纹环通过螺纹块带动L板移动，L板带动密封柱升降，密封柱带动基台本体进行升降，进而控制基台本体和微波等离子体之间的距离，进而控制基台本体表面的金刚石生长温度，不需要调节微波输出功率，避免影响金刚石单晶合成效率，降低合成金刚石单晶的成本，简单实用。简单实用。简单实用。
【技术实现步骤摘要】
一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置
[0001]本技术涉及一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，属于金刚石单晶合成
技术介绍
[0002]金刚石俗称“金刚钻”，也就是我们常说的钻石的原身，它是一种由碳元素组成的矿物，是自然界由单质元素组成的粒子物质，是碳同素异形体，化学气相沉积法是合成单晶金刚石的主要方式之一，在通过化学气相沉积法合成单晶金刚石时需要用到合成基台，在合成单晶金刚石时，温度是金刚石合成重要影响因素，但是基台是固定的，只能通过调节合成箱内部的输出功率来调节温度，调节输出功率又会影响金刚石的生长速率，影响金刚石单晶合成效率。
[0003]为此，我们提出一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置。
技术实现思路
[0004]本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，能够对基台的高度进行调节，进而调节基台上的金刚石与合成箱内部的等离子体之间的距离，进而调节温度，不需要调节输出功率，避免影响金刚石单晶合成效率，降低合成金刚石单晶的成本。
[0005]本技术通过以下技术方案来实现上述目的，一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，包括底座、万向轮、合成箱、基台本体、升降柱和升降组件，所述升降组件设置在所述升降柱内部且与所述基台本体对应，所述升降组件包括升降电机、升降结构和连接结构，所述升降电机和所述升降结构设置在所述升降柱内部，所述连接结构设置在所述合成箱内部且与所述基台本体对应，所述万向轮设置在所述底座底部，所述合成箱设置在所述底座顶部，所述基台本体设置在所述合成箱内部，所述升降柱固定焊接在所述底座顶部且设置在所述合成箱背侧。
[0006]优选的，为了方便对升降组件进行安装，所述升降柱内部开设有升降腔和升降槽，所述升降电机通过螺栓安装在所述升降腔内部，所述升降结构设置在所述升降槽内部。
[0007]优选的，为了方便进行升降工作，所述升降结构包括螺纹杆、螺纹环和螺纹块，所述螺纹杆两端分别转动安装在所述升降槽内底壁上和固定焊接在所述升降电机的输出轴上，所述螺纹环螺纹啮合套设在所述螺纹杆上，所述螺纹块固定焊接在所述螺纹环一侧。
[0008]优选的，为了方便与基台本体连接，所述连接结构包括L板和密封柱，所述L板固定焊接在所述螺纹块一侧，所述密封柱固定焊接在所述L板底部且设置在所述合成箱内部。
[0009]优选的，为了方便调节微波等离子体和基台本体之间的距离，进而调控温度，所述合成箱顶部开设有密封调节孔，所述合成箱内顶壁上设置有微波等离子体，所述密封柱设置在所述密封调节孔内部，所述基台本体固定焊接在所述密封柱底端一侧且与所述微波等离子体对应。
[0010]优选的，为了方便对合成工作进行把控，所述合成箱一侧开设有观察窗和开合门，所述开合门设置在所述观察窗底部。
[0011]优选的，为了方便保证装置稳定停放，所述底座底部开设有收纳槽，所述收纳槽一侧开设有安全滑槽，所述收纳槽内部设置有稳定组件，所述稳定组件包括气缸和稳定结构，所述气缸通过螺栓安装在所述收纳槽内顶壁上，所述稳定结构设置在所述收纳槽内部且与所述万向轮对应。
[0012]优选的，为了对万向轮和收纳槽的相对位置进行控制，所述稳定结构包括收纳板和安全滑块，所述收纳板固定焊接在所述气缸的输出轴上，所述安全滑块固定焊接在所述收纳板一侧且滑动连接在所述安全滑槽内部，所述万向轮设置在所述收纳板底部且与所述收纳槽对应。
[0013]本技术的有益效果是：本技术通过升降电机带动螺纹杆转动，螺纹杆带动螺纹环移动，螺纹环通过螺纹块带动L板移动，L板带动密封柱升降，密封柱带动基台本体进行升降，进而控制基台本体和微波等离子体之间的距离，进而控制基台本体表面的金刚石生长温度，不需要调节微波输出功率，避免影响金刚石单晶合成效率，降低合成金刚石单晶的成本，简单实用。
附图说明
[0014]图1为本技术结构的立体图。
[0015]图2为本技术结构升降组件和基台本体的立体图。
[0016]图3为本技术结构中升降组件的立体图。
[0017]图4为本技术结构中稳定组件的立体图。
[0018]图中：1、底座；2、万向轮；3、合成箱；4、基台本体；5、升降柱；6、升降组件；7、升降电机；8、升降结构；9、连接结构；10、螺纹杆；11、螺纹环；12、螺纹块；13、L板；14、密封柱；15、观察窗；16、开合门；17、稳定组件；18、气缸；19、稳定结构；20、收纳板；21、安全滑块。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1
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4所示，一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，包括底座1、万向轮2、合成箱3、基台本体4、升降柱5和升降组件6，升降组件6设置在升降柱5内部且与基台本体4对应，升降组件6包括升降电机7、升降结构8和连接结构9，升降电机7和升降结构8设置在升降柱5内部，连接结构9设置在合成箱3内部且与基台本体4对应，万向轮2设置在底座1底部，合成箱3设置在底座1顶部，基台本体4设置在合成箱3内部，升降柱5固定焊接在底座1顶部且设置在合成箱3背侧。
[0021]作为本技术的一种技术优化方案，如图1、图2、图3所示，升降柱5内部开设有升降腔和升降槽，升降电机7通过螺栓安装在升降腔内部，升降结构8设置在升降槽内部，升降结构8包括螺纹杆10、螺纹环11和螺纹块12，螺纹杆10两端分别转动安装在升降槽内底壁
上和固定焊接在升降电机7的输出轴上，螺纹环11螺纹啮合套设在螺纹杆10上，螺纹块12固定焊接在螺纹环11一侧，连接结构9包括L板13和密封柱14，L板13固定焊接在螺纹块12一侧，密封柱14固定焊接在L板13底部且设置在合成箱3内部，合成箱3顶部开设有密封调节孔，合成箱3内顶壁上设置有微波等离子体，密封柱14设置在密封调节孔内部，基台本体4固定焊接在密封柱14底端一侧且与微波等离子体对应，合成箱3一侧开设有观察窗15和开合门16，开合门16设置在观察窗15底部，通过升降电机7带动螺纹杆10转动，螺纹杆10带动螺纹环11移动，螺纹环11通过螺纹块12带动L板13移动，L板13带动密封柱14升降，密封柱14带动基台本体4进行升降，进而控制基台本体4和微波等离子体之间的距离，进而控制基台本体4表面的金刚石生长温度，不需要调节微波输出功率，避免影响金刚石单晶合成效率，降低合成金刚石单晶的成本，简单实用。
[0022]作为本技术的一种技术优化方案，如图1、图4所示，底座1底部开设有收纳槽，收纳槽一侧开设有安全滑槽，收纳槽内部设置有稳定组件17，稳定组件17包括气缸18和稳定结构1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，包括底座(1)、万向轮(2)、合成箱(3)、基台本体(4)、升降柱(5)和升降组件(6)，其特征在于：所述升降组件(6)设置在所述升降柱(5)内部且与所述基台本体(4)对应，所述升降组件(6)包括升降电机(7)、升降结构(8)和连接结构(9)，所述升降电机(7)和所述升降结构(8)设置在所述升降柱(5)内部，所述连接结构(9)设置在所述合成箱(3)内部且与所述基台本体(4)对应，所述万向轮(2)设置在所述底座(1)底部，所述合成箱(3)设置在所述底座(1)顶部，所述基台本体(4)设置在所述合成箱(3)内部，所述升降柱(5)固定焊接在所述底座(1)顶部且设置在所述合成箱(3)背侧。2.根据权利要求1所述的一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，其特征在于：所述升降柱(5)内部开设有升降腔和升降槽，所述升降电机(7)通过螺栓安装在所述升降腔内部，所述升降结构(8)设置在所述升降槽内部。3.根据权利要求2所述的一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，其特征在于：所述升降结构(8)包括螺纹杆(10)、螺纹环(11)和螺纹块(12)，所述螺纹杆(10)两端分别转动安装在所述升降槽内底壁上和固定焊接在所述升降电机(7)的输出轴上，所述螺纹环(11)螺纹啮合套设在所述螺纹杆(10)上，所述螺纹块(12)固定焊接在所述螺纹环(11)一侧。4.根据权利要求3所述的一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，其特征在于：所述连接结构(9)包括L板(13)和密封...
【专利技术属性】
技术研发人员：王凯，秦静，
申请(专利权)人：美若科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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