本发明专利技术公开了一种二氧化硅共熔物，用以与一１００重量份的粘着剂以及一骨干材组成一介电层胶片，借以制作出一改良积层板，该二氧化硅共熔物相对于该粘着剂的重量份为１０～９０，并且包含以下成分及重量百分比：二氧化硅，其重量百分比为５５～６５ｗｔ％；三氧化二铝，其重量百分比为１２～２２ｗｔ％；三氧化二硼，其重量百分比为５～１５ｗｔ％；氧化钙，其重量百分比为４～１２ｗｔ％；氧化镁，其重量百分比为０～６ｗｔ％；以及一混合金属氧化物，由氧化钠、氧化钾与三氧化二铁所组成，其重量百分比小于１ｗｔ％。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二氧化硅共熔物，尤其涉及一种用以与一粘着剂以及一骨干材组 成一介电层胶片的二氧化硅共熔物。
技术介绍
在日常生活中，积层板(Laminate)通常是广泛布设线路制作成印刷电路板，再于 印刷电路板上设置电子组件，借以制作成各种消费性电子产品。积层板通常包含介电层与 导电层，在实务运用层面上，导电层通常是由导电性佳的金属或其合金所组成，其中又以铜 箔最为常见。介电层通常可包含骨干材(main support material ；又可称为补强材)与粘 着剂，其本身通常是与导电层彼此接着，并且具备特定的介电性质。在利用现有技术制作印刷线路板时，会采用积层板，一般常称为铜箔基板(Copper clad l aminate)，在制作积层板时，会利用粘着剂与至少一填料混合后再涂布于骨干上， 烘烤形成半固化状态的介电层胶片，再利用铜箔(即导电层)上下包覆一张或多张迭合 的介电层胶片，经高温压合后形成积层板。接着，可在积层板两面导电层制成线路，成为 双面线路板，再由多组双面线路板与半固化的介电层胶片交错迭合，经高温压合后形成多 层印刷电路板，再经钻孔及电镀以连接层间的线路；或将多组双面线路板先钻孔、电镀后 再与半固化的介电层胶片交错迭合，经高温压合后形成多层高密度连接(High density interconnection)印刷电路板。在实务运用上，多层印刷电路板或高密度连接印刷电路板需由数千至数万电镀后 孔洞进行层间线路连接，为了便于钻孔，以及减少钻头在钻孔过程中的磨耗，在一般状况 下，积层板的硬度不宜太大。同时，在实务运用上，由于介电层与导电层通常是彼此接着以形成积层板，为了在 加工过程(如钻孔、焊接、裁切、插接组件等)中，确保积层板的介电层与导电层不会彼此剥 离(peeling)，通常会要求介电层与导电层之间必须具备足够的接着力。此外，由于在制作上述的消费性电子产品时，通常会对印刷电路板进行至少一次 的焊接作业，借以将电子元件与电路彼此电性连接；因此，在实务运用上，通常也会要求印 刷电路板必须具备足够的耐热能力及较小的铅直方向膨胀系数，以避免在焊接过程中，造 成线路板的分层或变形，失去应有功能。放眼现有改良积层板的填料技术中，通常是采用氢氧化铝、滑石粉、二氧化硅或氧 化铝充当填料，此外，对于无卤积层板，为了使介电层具备较佳的阻燃性，通常可额外添加 特定份量的氢氧化铝来提升介电层的阻燃效果。然而，经由实验证明，在利用氢氧化铝充当填料时，所制作出的积层板虽然具有较 佳的阻燃性，普遍存在焊锡耐热性不佳的问题。在利用滑石粉充当填料时，所制作出的积层 板普遍存在焊锡耐热性不佳与铜箔接着力不足的问题。在利用二氧化硅充当填料时，所制 作出的积层板普遍存在硬度过高，导致钻针损耗率遽增的问题。在利用氧化铝充当填料时， 所制作出的积层板也普遍存在硬度过高，导致钻针损耗率遽增的问题。上述问题都将会在实施方式中，提供相关的实验数据加以左证，在此暂时不予以详述。基于以上因素，本案专利技术人深感实有必要开发出一种新的填料，借以使所制作出 的电路基板同时可以解决上述焊锡耐热性不佳、铜箔接着力不足、硬度过高与钻针损耗率 遽增等问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种积层板的二氧化硅共熔物填料，以解决 现有技术所提供的填料在制作成积层板后，普遍存在焊锡耐热性不佳、铜箔接着力不足、硬 度过高与钻针损耗率遽增等问题。本专利技术为解决现有技术的问题所采用的技术手段是提供一种二氧化硅共熔物，其 用以与一 100重量份的粘着剂以及一骨干材(main support material)组成一介电层胶 片，该二氧化硅共熔物相对于该粘着剂的重量份为10 90，并且包含以下成分及重量百分 比二氧化硅(SiO2),其重量百分比为55 65wt% ；三氧化二铝(Al2O3),其重量百分比为 12 22wt% ；三氧化二硼(B2O3)，其重量百分比为5 15wt% ；氧化钙(CaO)，其重量百分 比为4 12wt% ；氧化镁(MgO)，其重量百分比为0 6wt% ；以及一混合金属氧化物，由氧 化钠(Na20)、氧 化钾(K2O)与三氧化二铁(Fe2O3)所组成，其重量百分比小于lwt%。本专利技术对照现有技术的功效经过以本专利技术所提供的二氧化硅共熔物充当填料制作出的积层板，与现有技术以 氢氧化铝、滑石粉、二氧化硅或氧化铝充当填料所制作出的积层板进行对照实验后，证明以 本专利技术所提供的二氧化硅共熔物充当填料制作出的积层板不论在焊锡耐热性、铜箔接着 力、硬度与造成钻针损耗的情形，都可符合一般实务运用上的标准。本专利技术在产业利用上具 有较佳的经济价值与功效。本专利技术所采用的具体实施例，将通过以下的实施例及附图作进一步的说明。 附图说明图1为本专利技术较佳实施例的二氧化硅共熔物的简易制作流程图；图2为钻针对实验组积层板钻2500孔后的磨损影像；图3为钻针对对照组一积层板钻2500孔后的磨损影像；图4为钻针对对照组二积层板钻2500孔后的磨损影像；图5为钻针对对照组三积层板钻2500孔后的磨损影像；以及图6为钻针磨耗量的量测与计算方式。其中，附图标记CE 切削边缘CC 切削转角W 磨耗量具体实施例方式由于本专利技术所提供的二氧化硅共熔物，可充当填料而广泛运用于制作各种积层 板，并可进一步运用于制作各种电子产品，其组合实施方式更是不胜枚举，故在此不再一一赘述，仅列举其中一个较佳实施例加以具体说明，并进行对照实验来验证其功效。首先，请参阅图1，其为本专利技术较佳实施例的二氧化硅共熔物的简易制作流程图。 如图1所示，在制作二氧化硅共熔物时，必须先将二氧化硅(Si02)、三氧化二铝(A1203)、 三氧化二硼(BA)、氧化钙(CaO)、氧化镁(MgO)以及一混合金属氧化物分别依照55 65wt%,12 22wt%、5 15wt%、4 12wt%、0 及小于重量百分比加 以混合，借以形成一混合物(步骤110)。 在本较佳实施例中，二氧化硅(SiO2)的重量百分比为61. 0%;三氧化二铝(Al2O3) 的重量百分比为17.5wt% ；三氧化二硼(B2O3)的其重量百分比为11.5wt% ；氧化钙(CaO) 的重量百分比为8.0wt% ；氧化镁(MgO)的重量百分比为1.5wt% ；混合金属氧化物是由氧 化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)与三氧化二铁(Fe2O3)所组成，且氧化钠(Na2O)的重量百分比为 0.042wt%，氧化钾(K2O)的重量百分比为0.025wt%，三氧化二铁(Fe2O3)的重量百分比为 0. 035wt%。接着，可将混合物加热共熔，以形成二氧化硅共熔物(步骤120)，所谓共熔是泛指 将上述所有组成成分在一共熔条件(包含特定的温度、压力与组成比例条件)下彼此互熔， 形成一相成分均勻的共熔物。举凡在材料学领域技术人员，自当可以了解上述关于共熔的 定义，在此就不再予以赘述。在形成二氧化硅共熔物后，可将经过加热共熔后的混合物加以研磨，借以形成粉 末状的二氧化硅共熔物(步骤130)。最后，可将粉末状的二氧化硅共熔物依据粒径大小区 分成至少一粒径等级，使各粒径等级的粉末状的二氧化硅共熔物具有相近的粒径尺寸(步 骤140)，而采用小于IOOum粒径的二氧化硅填料于日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种积层板的二氧化硅共熔物填料，用以与一１００重量份的粘着剂以及一骨干材组成一介电层胶片，借以制作出该积层板，该二氧化硅共熔物具有１００微米最大粒径尺寸，且相对于该粘着剂的重量份为１０～９０，并且包含以下成分：二氧化硅，其重量百分比为ｐｗｔ％；三氧化二铝，其重量百分比为ｑｗｔ％；三氧化二硼，其重量百分比为ｒｗｔ％；氧化钙，其重量百分比为ｓｗｔ％；氧化镁，其重量百分比为ｔｗｔ％；以及一混合金属氧化物，由氧化钠、氧化钾与三氧化二铁所组成，其重量百分比为ｕｗｔ％；其中，５５＜ｐ＜６５，１２＜ｑ＜２２，５＜ｒ＜１５，４＜ｓ＜１２，０＜ｔ＜６，ｕ＜１，且ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ≤１００。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭义仁，周立明，余利智，何景新，
申请(专利权)人：台光电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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