储存装置以及延长储存装置的使用寿命的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种储存装置与延长储存装置使用寿命的方法，该储存装置包含有：至少一非易失性存储器单元、至少一错误更正码处理单元及一控制单元。该非易失性存储器单元包含多个信息区块，该多个信息区块分别包含有多个信息页；该错误更正码处理单元耦接于该非易失性存储器单元，并且用以对该非易失性存储器单元进行错误检测与错误更正；该控制单元耦接于该非易失性存储器单元与该错误更正码处理单元，并且用以依据该错误更正码处理单元的一错误检测结果来选择性地将该非易失性存储器单元中一特定信息区块标记为不正常的信息区块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种储存装置以及相关的方法，尤指一种可以延长使用寿命的储存 装置以及一种可以延长一储存装置的使用寿命的方法。
技术介绍
一般而言，在传统具有NAND型闪存(NAND type flash memory)的储存装置中，如 果其中一信息区块(block)出现信息页写入失败(page program fail)或信息区块清除失 败(block erase fail)时，就会将该信息区块标记为不正常的信息区块(bad block)，并且 将该信息区块中的数据拷贝到另一个正常的信息区块。因此传统具有NAND型闪存的储存 装置通常都没有很长的使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的之一在于提供一种可以延长使用寿命的储存装置以及一 种可以延长一储存装置的使用寿命的方法，以解决上述的问题。依据本专利技术的权利要求，其揭露一种储存装置，该储存装置包含有至少一非易失 性存储器单元、一错误更正码处理单元(error correction code engine, ECC engine)以 及一控制单元。该非易失性存储器单元包含有多个信息区块(block)，该多个信息区块分别 包含有多个信息页(page)；该错误更正码处理单元耦接于该非易失性存储器单元，并且用 以对该非易失性存储器单元进行错误检测与错误更正；该控制单元耦接于该非易失性存储 器单元与该错误更正码处理单元，并且用以依据该错误更正码处理单元的一错误检测结果 来选择性地将该非易失性存储器单元中一特定信息区块标记为不正常的信息区块。依据本专利技术的权利要求，其揭露一种延长一储存装置的使用寿命的方法，其中该 储存装置包含有至少一非易失性存储器单元以及至少一错误更正码处理单元，并且该非易 失性存储器单元包含有多个信息区块，该多个信息区块分别包含有多个信息页，该方法包 含有利用该错误更正码处理单元对该非易失性存储器单元进行错误检测与错误更正；以 及依据该错误更正码处理单元的一错误检测结果来选择性地将该非易失性存储器单元中 一特定信息区块标记为不正常的信息区块。综上所述，本专利技术所揭露的储存装置以及相关的方法不会像传统具有NAND型闪 存(NAND type flash memory)的储存装置一样，在一信息区块出现信息页写入失败(page program fail)或信息区块清除失败(block erase fail)时，不做进一步的判断就将该信 息区块标记为不正常的信息区块(bad block)，因此可以延长储存装置的使用寿命。附图说明图1所绘示的为本专利技术的一实施例的储存装置的简化方块示意图。图2所绘示的为依据本专利技术的储存装置的运作方式来概述本专利技术的一种延长一 储存装置的使用寿命的方法的一第一实施例的流程示意图。图3所绘示的为依据本专利技术的储存装置的运作方式来概述本专利技术的一种延长一 储存装置的使用寿命的方法的一第二实施例的流程示意图。具体实施例方式在本说明书以及后续的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件，而所属 领域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件，本 说明书及后续的申请专利范围并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功 能上的差异来作为区分的准则，在通篇说明书及权利要求当中所提及的「包含有」为一开放 式的用语，故应解释成「包含有但不限定于」，此外，「耦接」一词在此是包含有任何直接及 间接的电气连接手段，因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置 可以直接电气连接于该第二装置，或透过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装 置。请参考图1，图1所绘示的为本专利技术的一实施例的储存装置100的简化方块示意 图。如图1所示，储存装置100包含有三个非易失性存储器单元110、120、130、三个错误 更正码处理单元(error correction code engine, ECC engine) 140、150、160 以及一控制 单元170。非易失性存储器单元110、120、130均包含有多个信息区块(block)(未显示)， 该多个信息区块分别包含有多个信息页(page)(未显示)；三个错误更正码处理单元140、 150、160分别耦接于三个非易失性存储器单元110、120、130，并且用以分别对非易失性存 储器单元110、120、130进行错误检测与错误更正；以及控制单元170耦接于非易失性存储 器单元110、120、130与错误更正码处理单元140、150、160，并且用以依据每一错误更正码 处理单元的一错误检测结果来选择性地将相对应的一非易失性存储器单元中的一特定信 息区块标记为不正常的信息区块。在此请注意，本专利技术的储存装置100可以为一固态硬盘， 非易失性存储器单元110、120、130可以为NAND型闪存(NAND type flash memory)，以及控 制单元170可以为一中央处理器。举例来说，当非易失性存储器单元110中的一特定信息区块的一信息页出现信息 页写入失败(page program fail)时，错误更正码处理单元140会检查该信息页的错误位 数来产生一错误检测结果；以及控制单元170会将该信息页的错误位数与一预定临界值进 行比较，并于该信息页的错误位数大于该预定临界值时，将该特定信息区块标记为不正常 的信息区块，以及于该信息页的错误位数不大于该预定临界值时，不将该特定信息区块标 记为不正常的信息区块，其中该预定临界值是大于0且小于错误更正码处理单元140可更 正的最大位数。此外，在另一种情况中，当非易失性存储器单元120中的一特定信息区块出现信 息区块清除失败(block erase fail)时，错误更正码处理单元150会逐一检查该特定信息 区块中多个信息页的错误位数来产生一错误检测结果；以及控制单元170会将该特定信息 区块中已检查的每一信息页的错误位数与一预定临界值进行比较，并于该特定信息区块中 至少一信息页的错误位数大于该预定临界值时，将该特定信息区块标记为不正常的信息区 块，以及于该特定信息区块中所有信息页的错误位数均不大于该预定临界值时，不将该特 定信息区块标记为不正常的信息区块，其中该预定临界值是大于0且小于错误更正码处理 单元140可更正的最大位数。请参考图2，图2所绘示的为依据上述的储存装置100的运作方式来概述本专利技术的 一种延长一储存装置的使用寿命的方法的一第一实施例的流程示意图，其中该储存装置包 含有至少一非易失性存储器单元以及至少一错误更正码处理单元，并且该非易失性存储器 单元包含有多个信息区块(block)，该多个信息区块分别包含有多个信息页(page)。假如 大体上可以得到相同的结果，则流程中的步骤不一定需要照图2所示的顺序来执行，也不 一定需要是连续的，也就是说，这些步骤之间可以插入其它的步骤。本专利技术的第一实施例的 方法包含有下列步骤步骤200:开始。步骤210 利用该错误更正码处理单元对该非易失性存储器单元进行错误检测与 错误更正，其中当该非易失性存储器单元中的该特定信息区块的一信息页出现信息页写入 失败(page program fail)时，利用该错误更正码处理单元检查该信息页的错误位数来产 生一错误检测结果。步骤2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种储存装置，包含有：至少一非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元包含有多个信息区块，该多个信息区块分别包含有多个信息页；至少一错误更正码处理单元，耦接于该非易失性存储器单元，用以对该非易失性存储器单元进行错误检测与错误更正；以及一控制单元，耦接于该非易失性存储器单元与该错误更正码处理单元，用以依据该错误更正码处理单元的一错误检测结果来选择性地将该非易失性存储器单元中一特定信息区块标记为不正常的信息区块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明胜，
申请(专利权)人：智微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]