光传感器的输出比例调整方法技术

本发明专利技术涉及一种光传感器的输出比例调整方法，该光传感器的调整方法包括以下步骤：测得光传感器的响应光谱；解析响应光谱在不同波长下的光响应比；设计光传感器的受光面积比，且其设计方式依据：“响应光谱”、“光响应比和受光面积的乘积与光电流输出值存在一定比例的关系”、以及“受光面积与光电流输出值又成正比关系”等三者来设计；以及，依据上一步骤的设计而得到相同比例（例如１∶１∶１）、或所需比例（意即１∶１∶１以外的任意比，例如１∶２∶１、１∶２∶３或３∶４∶５．．．等均可）的光电流输出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是指一种利用响应光谱、光 响应比以及受光面积比来设计出具有相同比例(1 1 1)或所需比例(除了 1 1 1 以外的任意比)的光电流输出的调整方法。
技术介绍
现有光传感器的设计较为简单，主要是将RGB三原色的面积比设定为1 1 1 即可(例如现有光传感器上的R、G、B三个元件各占一个圆形体的120度，因此面积相 同)，而在面积比为1 1 1的情况下，依专利技术人手上的现有产品可知，其光电流(Light current，单位为yA，微安)比为18 23 16。现有的设计方式虽较为简单，却会因为光电流比为18 23 16而有着功率放大 电路的设计或使用反而变得复杂的缺陷，甚至于还有着所使用的IC必须要有多颗才能符 合要求的高成本缺陷。因此，如何设计出一种能改善上述缺陷的输出比例调整方法，为本设计人所极欲 解决的一大问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种应用于光传感器的全新 的输出比例调整方法，通过响应光谱、光响应比以及受光面积比来设计出具有相同比例或 所需比例的光电流输出，从而具有功率放大电路的设计或使用较为简单的功效，甚至于还 具有所使用的IC仅需一颗的降低成本功效。为达上述目的，本专利技术提供一种，其调整方法包括 以下步骤测得该光传感器的响应光谱；解析该响应光谱在不同波长下的光响应比；设计 该光传感器的受光面积比，且其设计方式是依据该响应光谱来设计，其中该光响应比和该 受光面积的乘积与光电流输出值存在一定比例的关系，该受光面积与该光电流输出值又成 正比关系；以及，依据上一步骤的设计而得到相同比例(或所需比例)的光电流输出。为了能够更进一步了解本专利技术的特征、特点和
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术 的详细说明与附图，只是所附图式仅提供参考与说明用，非用以限制本专利技术。附图说明图1为本专利技术第二实施例的流程图；图2为本专利技术第二实施例中，感光二极管的响应光谱；图3为本专利技术第二实施例中，在不同波长下的光响应比；图4为本专利技术第二实施例中，依响应光谱设计出来的受光面积比；图5为本专利技术第二实施例中所得到的相同比例的光电流输出；图6为本专利技术第三实施例中，感光二极管的响应光谱；图7为本专利技术第三实施例中，在不同波长下的光响应比；图8为本专利技术第三实施例中，依响应光谱设计出来的受光面积比；图9为本专利技术第三实施例中所得到的相同比例的光电流输出。具体实施例方式本专利技术包括第一、第二和第三实施例，第一实施例 为用以感测RGB三原色的传感器(无图式)，而如图1以及图2 5所示为第二实施例，如 图6 9所示则为第三实施例，第二、三实施例主要均以特殊的调整方法来得到相同比例的 光电流(单位为μΑ，微安)输出，为用以感测不同波长(单位为nm，nanometer，纳米)需 求的传感器。当然，亦可利用该特殊的调整方法再加以变化，即能依人们需要而得到“不同 比例(换言之，即为所需比例)”的光电流输出(通过本专利技术的第二、三实施例来达成)。 首先介绍本专利技术的第一实施例，该光传感器为感测 RGB三原色的传感器，而该调整方法包括以下步骤(1)、设定原有RGB面积比为1 1 1。其中该光传感器为一种硅(Si)材质的感 光二极管(第一种材质的感光二极管)。(2)、取得当原有RGB面积比为1 1 1时的原有RGB光电流比为X Y Z。(3)、取得欲调整出来的新RGB光电流比为1 1 1。(4)、换算当新RGB光电流比的比值为1 1 1时的新RGB面积比为1 X/Y X/Z。设原有RGB面积比为1 1 1时的原有RGB光电流比为16 23 18，则当新RGB 光电流比的比值为1 1 1时的新RGB面积比为1 16/23 16/18，再经换算之后，该新 RGB面积比(当新RGB光电流比的比值为1 1 1时)即为0.3869 0.2691 0.3439。 换言之，若将新RGB面积比设计为0.3869 0.2691 0. 3439，该新RGB光电流比的比值即 为 1 1 1。请参阅图1 5所示关于的本专利技术第二实施例，该 光传感器为感测不同波长需求的传感器，而该调整方法包括以下步骤(1)、测得该光传感器的响应光谱(如图2所示)，其中该光传感器为一种硅(Si) 材质的感光二极管(第一种材质的感光二极管)，而图中的横轴为波长。(2)、解析该响应光谱在不同波长下的光响应比(如图3所示)，所解析出来的光响 应比为波长为400 (nm，nanometers，纳米)时，光响应比为6% ；波长为450 (nm)时，光响 应比为11% ；...；波长为950(nm)时，光响应比为99% ；波长为1000 (nm)时，光响应比为 98% ；波长为1050 (nm)时，光响应比为63% ；波长为llOO(nm)时，光响应比为17%。换言 之，波长在400 950 (nm)之间时，光响应比为渐渐拉高，而波长在950 (nm)以后且一直到 1100 (nm)之间时，光响应比迅速下降。(3)、设计该光传感器的受光面积比。其设计方式依据以下三点来设计，其一、依据 如图2所示的响应光谱来设计，其二、依据光响应比和受光面积的乘积与光电流输出值存 在一定比例的关系来设计，其三、依据受光面积与光电流输出值成正比关系来设计。据此三 点设计依据，就能设计出所需的受光面积比(如图3所示)。所设计出来的受光面积比为 波长为400 (nm，nanometers，纳米)时，受光面积比为29. 8%;波长为450 (nm)时，受光面积比为16. ；波长为500(nm)时，受光面积比为10. 1 % ..；波长为1000 (nm)时，受光面 积比为1.8% ；波长为1050 (nm)时，受光面积比为2.8% ；波长为1100 (nm)时，受光面积比 为10.5%。换言之，受光面积比的图形(见图4)与光响应比的图形(见图3)相反。(4)、依据上述的第3步骤的设计，以得到相同比例的光电流输出(如图5所示)，例如RGB光电流输出比为1 1 1。由于波长、光响应比以及受光面积比等三种数值均为 已知，因此就能通过“光响应比和受光面积的乘积与光电流输出值存在一定比例的关系”而 计算出光电流输出均为相同。例如，波长为400(nm，nanometers，纳米)、光响应比为6 %、 且受光面积为29. 83%时，其光电流输出约为0. 0179 ( μ A，微安)；以及，波长为1100 (nm)， 光响应比为17%、且受光面积为10. 50%时，其光电流输出约为0. 0179(μΑ，微安)。至于 所述“光响应比和受光面积的乘积与光电流输出值存在一定比例的关系”仅为基本式，其完 整式还须加上其它属于常数的变量，于此不另赘述。请参阅图6 9所示关于的本专利技术第三实施例，该 光传感器为感测不同波长需求的传感器，而该调整方法包括以下步骤(1)、测得该光传感器的响应光谱(如图6所示，图中的横轴为波长)，其中该光 传感器为一种磷化镓(GaP)、磷化镓砷(GaAsP)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、砷化铟镓 (InGaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)或氮化铟镓(InGaN)材质的感光二极管(第二种材质 的感光二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光传感器的输出比例调整方法，其特征在于，包括以下步骤：测得该光传感器的响应光谱；解析该响应光谱在不同波长下的光响应比；设计该光传感器的受光面积比，且其设计方式依据该响应光谱来设计，其中该光响应比和该受光面积的乘积与光电流输出值存在一定比例的关系，该受光面积与该光电流输出值又成正比关系；以及依据上一步骤的设计而得到相同比例的光电流输出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周文隆，朱倪廷，
申请(专利权)人：鼎元光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]