基于可见光范围的半导体纳米线的光传感器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种基于可见光范围的半导体纳米线的光传感器及其制造方法。基于半导体纳米线的光传感器包括：衬底，至少所述衬底的顶表面由绝缘体形成；两个电极，在衬底上以预定的间隔彼此间隔开；金属催化剂层，分别设置在两个电极上；以及可见光范围的半导体纳米线，从两个电极上的金属催化剂层生长出来。当分别从两个电极上的金属催化剂层生长的半导体纳米线在衬底上方的两个电极之间浮置时，从金属催化剂层中的一个生长的半导体纳米线与从另一个金属催化剂层生长的半导体纳米线接触。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于半导体纳米线的光传感器，包括：　衬底，具有由绝缘体形成的顶表面；　两个电极，在所述衬底上以预定的间隔彼此间隔开；　金属催化剂层，分别设置在所述两个电极上；以及　多个可见光范围的半导体纳米线，从所述两个电极上的 所述金属催化剂层生长出来，　其中，在分别从所述两个电极上的所述金属催化剂层生长的所述可见光范围的半导体纳米线在所述衬底上方的所述两个电极之间被浮置时，从所述金属催化剂层中的一个生长出的所述可见光范围的半导体纳米线与从另一个所述金属催化 剂层生长出的所述可见光范围的半导体纳米线接触。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔炅镇，朴宰宽，金东完，崔荣进，朴庆洙，朴宰焕，边在哲，
申请(专利权)人：韩国科学技术研究院，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]