布线图案制造技术

本公开提供一种布线图案。布线图案包含第一布线区域、第二布线区域与内连线区。第一布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第一导线。多条第一导线沿垂直于该第一方向的第二方向具有第一节距。第二布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第二导线。多条第二导线沿着第二方向具有第二节距，第二节距大致相等于第一节距。内连线区包含二沿着第一方向分离配置的主体部、以及连接于二主体部的连接部。连接部沿着第二方向的宽度小于二主体部沿着第二方向的宽度。的宽度。的宽度。

【技术实现步骤摘要】
布线图案


[0001]本公开有关于布线图案，且特别有关于形成于半导体芯片上的布线图案。

技术介绍

[0002]光刻(photolithography)工艺为集成电路(integrated circuits，ICs)制造中重要的工艺之一，其可应用于将布线图案自光掩模上以一定的比例转移至半导体芯片表面上的光刻胶层，进而将集成电路的布线图案转移至半导体芯片上。上述形成布线图案的工艺还可能包含使用流体的清洁步骤与干燥步骤，以去除多个处理步骤留下的残余物。
[0003]然而，随着集成电路的复杂度与集成度日益提升，布线图案的线宽与间距亦随之不断缩小，具有细小线宽与间距的布线图案容易倒塌(collapse)，进而降低产品的可靠度(reliability)与良率。
[0004]因此，改善图案倒塌问题是相当重要的。

技术实现思路

[0005]本公开有关于布线图案(routing pattern)，其可改善图案倒塌问题，并可有效提升布线图案制造过程的工艺窗口(process window)。
[0006]根据本公开的一实施例，提供布线图案。布线图案包含多个线型特征与配置于多个线型特征中的二者之间的内连线特征。多个线型特征沿着第一方向延伸且具有沿着第二方向的第一线宽(line width)。第二方向垂直于第一方向。内连线特征包含沿着第二方向凹陷的凹部。内连线特征具有沿着第二方向的第二线宽。第一线宽小于第二线宽。
[0007]根据本公开的一实施例，提供布线图案。布线图案包含第一布线区域、第二布线区域与内连线区。第一布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第一导线。多条第一导线沿垂直于该第一方向的第二方向具有第一节距(pitch)。第二布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第二导线。多条第二导线沿着第二方向具有第二节距，第二节距大致相等于第一节距。内连线区包含二沿着第一方向分离配置的主体部、以及连接于二主体部的连接部。连接部沿着第二方向的宽度小于二主体部沿着第二方向的宽度。
[0008]为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下。
附图说明
[0009]图1为根据本公开的第一实施例的布线图案的俯视示意图；
[0010]图1A为沿着图1的延伸线E1的布线图案的剖面示意图；
[0011]图2为根据本公开的第二实施例的布线图案的俯视示意图；
[0012]图2A为图2的圈选处的放大示意图；
[0013]图3为根据本公开的第三实施例的布线图案的俯视示意图；
[0014]图4为根据本公开的第四实施例的布线图案的俯视示意图；
[0015]图4A为图4的圈选处的放大示意图；
[0016]图5为根据本公开的第五实施例的布线图案的俯视示意图；
[0017]图6为根据本公开的第六实施例的布线图案的俯视示意图；及
[0018]图7
‑
12为根据本公开一实施例的用以形成布线图案的方法。
[0019]附图标记说明
[0020]10，20，30，40，50，60：布线图案
[0021]101，102：布线区域
[0022]101a，102a：线型特征
[0023]101LW，102LW，103LW：线宽
[0024]101p，102p，103p：节距
[0025]103，203，403：内连线区
[0026]103a，203a，403a，503a，603a，907：内连线特征
[0027]104，204，904：绝缘区
[0028]105，205，405：通孔元件
[0029]110，210，410：主体部
[0030]110w，111w：宽度
[0031]111，211，411：连接部
[0032]112，212，412，512，612：凹部
[0033]201
‑
1～201
‑
n，401
‑
1～401
‑
n，501
‑
1～501
‑
n，906
‑
1，906
‑
2，906
‑
3：线型特征
[0034]203S1，203S2：侧边
[0035]701：基板
[0036]702：绝缘层
[0037]703：未图案化光刻胶层
[0038]801：光掩模
[0039]802：光掩模图案
[0040]803：光刻胶曝光区
[0041]804：光刻胶非曝光区
[0042]960：图案化光刻胶层
[0043]962：沟道
[0044]961：线型光刻胶特征
[0045]905：导电材料层
[0046]D1，D2：方向
[0047]E1：延伸线
[0048]L1，L2：凹部长度
[0049]LW1，LW2，LW3，LW4：线宽
[0050]P1，P2，P3，P4：节距
[0051]VL1，VL2：通孔长度
[0052]VW1，VW2：通孔宽度
[0053]W1，W2，W3，W4：宽度
具体实施方式
[0054]以下提出相关实施例，配合附图以详细说明本公开所提出的布线图案及其制造方法。然而，本公开并不以此为限。实施例中的叙述，例如细部结构、制造方法的步骤和材料应用等，仅为举例说明之用，本公开欲保护的范围并非仅限于所述态样。相关
者当可在不脱离本公开的精神和范围的前提下，对实施例的结构和制造方法加以变化与修饰，以符合实际应用所需。因此，未于本公开提出的其他实施态样也可能可以应用。再者，附图简化以利清楚说明实施例的内容，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和附图仅作叙述实施例之用，而非用以限缩本公开保护范围。相同或相似的元件符号用以代表相同或相似的元件。
[0055]说明书与权利要求书中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等用词是为了修饰元件，其本身并不意含及代表该元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，这些序数的使用，仅是用来使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。
[0056]本公开的多个实施例可应用于多种布线图案。例如，实施例可应用于，但不限于，形成于层间(inter
‑
layer)介电层中或层间介电层上的导电线路。布线图案可例如形成于半导体结构中的第一金属层(ML1)、第二金属层(ML2)及/或第三金属层(ML3)中。
[0057]请参照图1，图1为根据本公开的第一实施例的布线图案10的俯视示意图。布线图案10包含布线区域101、布线区域102与内连线区103。内连线区103可配置于布线区域101与布线区域102之间。
[0058]布线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种布线图案，包含：一第一布线区域，包含多条沿着一第一方向延伸的第一导线，这些第一导线沿着一垂直于该第一方向的第二方向具有一第一节距；一第二布线区域，包含多条沿着该第一方向延伸的第二导线，这些第二导线沿着该第二方向具有一第二节距，该第二节距大致相等于该第一节距；以及一内连线区，包含二沿着该第一方向分离配置的主体部、以及一连接于这些主体部的连接部，该连接部沿着该第二方向的一宽度小于这些主体部沿着该第二方向的一宽度。2.根据权利要求1所述的布线图案，其中，该内连线区的这些主体部和该连接部界定出一凹部，该凹部的开口沿该第二方向朝向该第一布线区域或该第二布线区。3.根据权利要求1所述的布线图案，还包含两个通孔元件，这些通孔元件分别配置于该内连线区的这些主体部。4.一种布线图案，包含：多个线型特征，沿着一第一方向延伸且具有沿着一第二方向的一第一线宽，该第二方向垂直于该第一方向；以及一内连线特征，配置于这些线型特征中的二者之间，该内连线特征包含沿着该第二方向凹陷的一凹部，该内连线特征具有沿着该第二方向的一第二线宽，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金成，林云珠，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：