太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件技术

本申请实施例涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，太阳能电池制备方法包括：提供基底，基底包括相对的第一表面和第二表面；自第一表面向基底掺杂第一掺杂离子形成第一掺杂导电层；在第二表面上形成钝化接触结构，钝化接触结构包括掺杂有第二掺杂离子的第二掺杂导电层，第一掺杂离子和第二掺杂离子中的一者为P型离子，另一者为N型离子；对第一表面和钝化接触结构远离基底的表面中的至少一者进行清洗处理，清洗处理采用的清洗剂至少包括碱性溶液和添加剂，且添加剂中包含正电荷基团和负电荷基团中的至少一者；形成与第一掺杂导电层和第二掺杂导电层中的一者欧姆接触的电极。至少有利于提高太阳能电池的光吸收率和光电转换效率。率和光电转换效率。率和光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请实施例涉及太阳能电池
，特别涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]化石能源存在大气污染并且储量有限，而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点，因此，太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源，由于太阳能电池具有良好的光电转化效率，太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。
[0003]为了提高太阳能电池的效率，通常会在太阳能电池的正面和/或背面形成钝化接触结构，利用钝化接触结构的场钝化和/或化学钝化能力，提高太阳能电池的载流子隧穿能力，降低载流子在基底表面的复合。例如，隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(Tunnel Oxide Passivated Contact solar cel l，TOPCon)、发射极背面钝化太阳能电池(Passivated Emitter and Rear Cel l，PERC)和背接触太阳能电池(Back Contact，BC)中均有应用。然而，当前的太阳能电池的实际光电转换效率仍存在一定的限制。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的光谱响应和光电转换效率。
[0005]本申请实施例提供一种太阳能电池制备方法，包括：提供基底，所述基底包括相对的第一表面和第二表面；自所述第一表面向所述基底掺杂第一掺杂离子，以形成第一掺杂导电层；在所述第二表面上形成钝化接触结构，所述钝化接触结构包括掺杂有第二掺杂离子的第二掺杂导电层，所述第一掺杂离子和所述第二掺杂离子中的一者为P型离子，另一者为N型离子；对所述第一表面和所述钝化接触结构远离所述基底的表面中的至少一者进行清洗处理，所述清洗处理采用的清洗剂至少包括碱性溶液和添加剂，且所述添加剂中包含正电荷基团和负电荷基团中的至少一者；形成电极，所述电极与所述第一掺杂导电层和所述第二掺杂导电层中的一者欧姆接触。
[0006]在一些实施例中，沿垂直所述第一表面的方向上，所述第一掺杂导电层包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层中所述第一掺杂离子的浓度大于所述第二导电层中所述第一掺杂离子的浓度，对所述第一表面进行清洗的方法包括：在所述第一掺杂离子为P型掺杂离子的情况下，采用由包含所述正电荷基团的所述添加剂制成所述清洗剂对所述第一表面进行清洗，去除所述第一导电层；在所述第一掺杂离子为N型掺杂离子的情况下，采用由包含所述负电荷基团的所述添加剂制成所述清洗剂，对所述第一表面进行清洗，去除所述第一导电层。
[0007]在一些实施例中，沿垂直所述第一表面的方向上，所述第二掺杂导电层包括层叠设置的第三导电层和第四导电层，所述第三导电层中所述第二掺杂离子的浓度大于所述第四导电层中所述第二掺杂离子的浓度，对所述钝化接触结构远离所述基底的表面进行清洗
的方法包括：在所述第二掺杂离子为P型掺杂离子的情况下，采用由包含所述正电荷基团的所述添加剂制成的所述清洗剂，对所述钝化接触结构远离所述基底的表面进行清洗，去除所述第三导电层；在所述第二掺杂离子为N型掺杂离子的情况下，采用由包含所述负电荷基团的所述添加剂制成的所述清洗剂，对所述钝化接触结构远离所述基底的表面进行清洗，去除所述第三导电层。
[0008]在一些实施例中，沿垂直所述第一表面的方向上，所述第一掺杂导电层包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层中所述第一掺杂离子的浓度大于所述第二导电层中所述第一掺杂离子的浓度，所述第二掺杂导电层包括层叠设置的第三导电层和第四导电层，所述第三导电层中所述第二掺杂离子的浓度大于所述第四导电层中所述第二掺杂离子的浓度，对所述第一表面和所述钝化接触结构远离所述基底的表面中的至少一者进行清洗的方法包括：采用由包含所述正电荷基团及所述负电荷基团的所述添加剂制成的所述清洗剂，分别对所述第一表面和所述钝化接触结构远离所述基底的表面进行清洗，去除所述第一导电层和所述第三导电层。
[0009]在一些实施例中，所述清洗剂中所述添加剂的浓度为1％至3％。
[0010]在一些实施例中，在所述添加剂中至少包含所述正电荷基团的情况下，所述添加剂中所述正电荷基团的浓度为0.5％至2％，在所述添加剂中至少包含负电荷基团的情况下，所述添加剂中所述负电荷基团的浓度为1％至3％。
[0011]在一些实施例中，所述清洗剂中所述碱性溶液的浓度为0.1％至1％。
[0012]在一些实施例中，所述正电荷基团包括季胺盐、叔胺盐或者聚丙烯酰胺中的至少一者，所述负电荷基团包括羧酸盐、磺酸盐、乙酰基中的至少一者。
[0013]在一些实施例中，所述清洗处理的工艺参数包括清洗时长为100s至300s，清洗温度为20℃至60℃。
[0014]在一些实施例中，所述添加剂还包括：消泡剂、表面活性剂或功能试剂，所述功能试剂用于增强所述碱性溶液与所述基底的材料反应的各向异性效果。
[0015]相应的本申请实施例还提供了一种太阳能电池，通过上述太阳能电池制备方法形成，包括：基底，所述基底具有相对的第一表面和第二表面；第一掺杂导电层，所述第一掺杂导电层位于所述基底的第一表面上，且掺杂有第一掺杂离子；钝化接触结构，所述钝化接触结构位于所述基底的第二表面上，且包括掺杂有第二掺杂离子的第二掺杂导电层，所述第一掺杂离子和所述第二掺杂离子中的一者为P型离子，另一者为N型离子；电极，所述电极位于所述第一掺杂导电层远离所述基底的表面和所述钝化接触结构远离所述基底的表面上，并与所述第一掺杂导电层和所述第二掺杂导电层中的一者欧姆接触。
[0016]相应的本申请实施例还提供了一种光伏组件，包括：电池串，所述电池串由多个上述的太阳能电池连接而成；封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
[0017]本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
[0018]本申请实施例提供的太阳能电池制备方法中，在进行太阳能电池制备的过程中，在通过掺杂导电离子的方式在基底上形成具有导电能力的掺杂导电层后，采用碱性溶液和添加剂构成的清洗剂，对基底进行掺杂处理的第一表面，和在基底的第二表面上形成的钝化接触结构远离基底的表面中的至少一者进行清洗处理，添加剂中包含正电荷基团和负电
荷基团中的至少一者，然后再进行与掺杂导电层欧姆接触的电极的制备。由于清洗剂包含碱性溶液，能够有效的刻蚀掺杂导电层，同时正电荷基团和负电荷基团能够吸附到具有特定掺杂类型的基底表面控制掺杂导电层的刻蚀速率，因此，清洗处理后能够将掺杂导电层中掺杂离子浓度很高的部分准确的去除，避免由于掺杂离子浓度很高的部分对入射光的吸收，降低入射光到达基底过程中的光损失，进而提高太阳能电池的光谱效应和光电转换效率。
附图说明
[0019]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相对的第一表面和第二表面；自所述第一表面向所述基底掺杂第一掺杂离子，以形成第一掺杂导电层；在所述第二表面上形成钝化接触结构，所述钝化接触结构包括掺杂有第二掺杂离子的第二掺杂导电层，所述第一掺杂离子和所述第二掺杂离子中的一者为P型离子，另一者为N型离子；对所述第一表面和所述钝化接触结构远离所述基底的表面中的至少一者进行清洗处理，所述清洗处理采用的清洗剂至少包括碱性溶液和添加剂，且所述添加剂中包含正电荷基团和负电荷基团中的至少一者；形成电极，所述电极与所述第一掺杂导电层和所述第二掺杂导电层中的一者欧姆接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，沿垂直所述第一表面的方向上，所述第一掺杂导电层包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层中所述第一掺杂离子的浓度大于所述第二导电层中所述第一掺杂离子的浓度，对所述第一表面进行清洗的方法包括：在所述第一掺杂离子为P型掺杂离子的情况下，采用由包含所述正电荷基团的所述添加剂制成所述清洗剂对所述第一表面进行清洗，去除所述第一导电层；在所述第一掺杂离子为N型掺杂离子的情况下，采用由包含所述负电荷基团的所述添加剂制成所述清洗剂，对所述第一表面进行清洗，去除所述第一导电层。3.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，沿垂直所述第一表面的方向上，所述第二掺杂导电层包括层叠设置的第三导电层和第四导电层，所述第三导电层中所述第二掺杂离子的浓度大于所述第四导电层中所述第二掺杂离子的浓度，对所述钝化接触结构远离所述基底的表面进行清洗的方法包括：在所述第二掺杂离子为P型掺杂离子的情况下，采用由包含所述正电荷基团的所述添加剂制成的所述清洗剂，对所述钝化接触结构远离所述基底的表面进行清洗，去除所述第三导电层；在所述第二掺杂离子为N型掺杂离子的情况下，采用由包含所述负电荷基团的所述添加剂制成的所述清洗剂，对所述钝化接触结构远离所述基底的表面进行清洗，去除所述第三导电层。4.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，沿垂直所述第一表面的方向上，所述第一掺杂导电层包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层中所述第一掺杂离子的浓度大于所述第二导电层中所述第一掺杂离子的浓度，所述第二掺杂导电层包括层叠设置的第三导电层和第四导电层，所述第三导电层中所述第二掺杂离子的浓...

【专利技术属性】
技术研发人员：张临安，金井升，瞿佳华，孙亚龙，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：