一种GIS电缆T接筒电路制造技术

本发明专利技术公开了一种GIS电缆T接筒电路，涉及电力设备技术领域，包括一种GIS电缆T接筒电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二三极管、第一运算放大器、第一开关、第一连接端、第二连接端、第三连接端、第四连接端、第一继电器、第二继电器。本发明专利技术可以对隔离开关之间进行自动检测和控制。之间进行自动检测和控制。之间进行自动检测和控制。

【技术实现步骤摘要】
一种GIS电缆T接筒电路


[0001]本专利技术涉及电力设备
，特别涉及一种GIS电缆T接筒电路。

技术介绍

[0002]公开号：CN112054382A公开了一种GIS电缆T接筒电路，通过电磁锁闭模块将T接筒的接地点保持在锁闭状态，使得封闭电力回路中剩余的电能随着接地端排出，确保工作人员在无电流情况下解开接地线，避免安全事故的发生。但闭锁模块的信号均需工作人员根据指示进行手动控制，并且无法进行自动检测以及隔离开关之间的信号联动。

技术实现思路

[0003]针对上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种GIS电缆T接筒电路，包括控制单元，所述控制单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二三极管、第一运算放大器、第一开关、第一连接端、第二连接端、第三连接端、第四连接端、第一继电器、第二继电器，所述第一开关一端和电源连接，第一开关另一端和第一电阻一端连接，第一电阻另一端和第一继电器线圈一端连接，第一继电器常闭触点一端和电源连接，第一继电器常闭触点另一端和第一连接端、第一运算放大器反相端连接，第一运算放大器输出端和第一三极管基极连接，第一三极管集电极和电源连接，第一三极管发射极和第四电阻一端连接，第四电阻另一端和第二三极管发射极、第五电阻一端连接，第二三极管基极和第四连接端、第六电阻一端连接，第二三极管集电极和第七电阻一端连接，第七电阻另一端和第二连接端、第二继电器线圈一端连接，第二继电器常开触点一端和第三连接端连接，第一继电器线圈另一端、第五电阻另一端、第六电阻另一端、第二继电器线圈另一端和接地端连接。
[0004]进一步的，所述控制单元还包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第三MOS管、第四三极管、第五三极管、第二运算放大器、第三运算放大器、第二开关，所述第八电阻一端和第二开关一端连接，第二开关另一端和电源连接，第八电阻另一端和第三MOS管源极连接，第三MOS管栅极和第二运算放大器输出端、第九电阻一端连接，第三MOS管漏极和第十电阻一端、第三运算放大器同相端连接，第二运算放大器同相端和第十一电阻一端、第二继电器常开触点另一端连接，第九电阻另一端和第十二电阻一端连接，第十二电阻另一端和第四三极管基极连接，第四三极管集电极和第二三极管基极连接，第四三极管发射极和第五三极管发射极连接，第五三极管集电极和电源连接，第十电阻另一端、第十一电阻另一端和接地端连接。
[0005]进一步的，所述控制单元还包括第十三电阻、第十四电阻、第六MOS管、第三开关、第五连接端、第一可控硅，所述第十三电阻一端和第三MOS管源极连接，第六MOS管栅极和第九电阻一端连接，第六MOS管漏极和第二运算放大器反相端连接，第六MOS管源极和第一可控硅控制极连接，第一可控硅阳极和第三开关公共端连接，第一可控硅阴极和第十四电阻一端连接，第三开关第一连接端和电源连接，第三开关第二连接端、第十四电阻另一端、第
十三电阻另一端和接地端连接。
[0006]进一步的，所述控制单元还包括第十五电阻、第十六电阻，所述第十五电阻一端和电源连接，第十五电阻另一端和第二运算放大器反相端、第十六电阻一端连接，第十六电阻另一端和接地端连接。
[0007]进一步的，所述控制单元还包括第十七电阻、第十八电阻，所述第十七电阻一端和电源连接，第十七电阻另一端和第三运算放大器反相端、第十八电阻一端连接，第十八电阻另一端和接地端连接。
[0008]进一步的，所述控制单元还包括第十九电阻，所述第十九电阻一端和第一运算放大器反相端连接，第十九电阻另一端和接地端连接。
[0009]进一步的，所述控制单元还包括第二十电阻，所述第二十电阻一端和第一三极管基极连接，第二十电阻另一端和接地端连接。
[0010]进一步的，所述控制单元还包括第二十一电阻，所述第二十一电阻一端和第五三极管发射极连接，第二十一电阻另一端和接地端连接。
[0011]本专利技术与现有技术相比的有益效果是：本专利技术可以对隔离开关之间进行联动控制，并在线路中存在电流故障的情况时，对隔离开关之间的联动进行抑制。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1为本专利技术提供的整体结构示意图。
[0014]图2为GIS电缆T接筒电路连接端连接示意图。
[0015]图3为GIS电缆T接筒电路示意图。
具体实施方式
[0016]为了使本专利技术的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本专利技术进行具体说明，应当理解，以下文字仅仅用以描述本专利技术的一种或几种具体的实施方式，并不对本专利技术具体请求的保护范围进行严格限定。
[0017]参阅附图，本专利技术是一种GIS电缆T接筒电路，其特征在于，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一运算放大器U1、第一开关S1、第一连接端P1、第二连接端P2、第三连接端P3、第四连接端P4、第一继电器K1、第二继电器K2，所述第一开关S1一端和电源连接，第一开关S1另一端和第一电阻R1一端连接，第一电阻R1另一端和第一继电器K1线圈一端连接，第一继电器K1常闭触点一端和电源连接，第一继电器K1常闭触点另一端和第一连接端P1、第一运算放大器U1反相端连接，第一运算放大器U1输出端和第一三极管Q1基极连接，第一三极管Q1集电极和电源连接，第一三极管Q1发射极和第四电阻R4一端连接，第四电阻R4另一端和第二三极管Q2发射极、第五电阻R5一端连接，第二三极管Q2基极和第四连接端P4、第六
电阻R6一端连接，第二三极管Q2集电极和第七电阻R7一端连接，第七电阻R7另一端和第二连接端P2、第二继电器K2线圈一端连接，第二继电器K2常开触点一端和第三连接端P3连接，第一继电器K1线圈另一端、第五电阻R5另一端、第六电阻R6另一端、第二继电器K2线圈另一端和接地端连接。
[0018]具体地，还包括第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第三MOS管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第二运算放大器U2、第三运算放大器U3、第二开关S2，所述第八电阻R8一端和第二开关S2一端连接，第二开关S2另一端和电源连接，第八电阻R8另一端和第三MOS管Q3源极连接，第三MOS管Q3栅极和第二运算放大器U2输出端、第九电阻R9一端连接，第三MOS管Q3漏极和第十电阻R10一端、第三运算放大器U3同相端连接，第二运算放大器U2同相端和第十一电阻R11一端、第二继电器K2常开触点另一端连接，第九电阻R9另一端和第十二电阻R12一端连接，第十二电阻R12另一端和第四三极管Q4基极连接，第四三极管Q4集电极和第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GIS电缆T接筒电路，其特征在于，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一运算放大器U1、第一开关S1、第一连接端P1、第二连接端P2、第三连接端P3、第四连接端P4、第一继电器K1、第二继电器K2，所述第一开关S1一端和电源连接，第一开关S1另一端和第一电阻R1一端连接，第一电阻R1另一端和第一继电器K1线圈一端连接，第一继电器K1常闭触点一端和电源连接，第一继电器K1常闭触点另一端和第一连接端P1、第一运算放大器U1反相端连接，第一运算放大器U1输出端和第一三极管Q1基极连接，第一三极管Q1集电极和电源连接，第一三极管Q1发射极和第四电阻R4一端连接，第四电阻R4另一端和第二三极管Q2发射极、第五电阻R5一端连接，第二三极管Q2基极和第四连接端P4、第六电阻R6一端连接，第二三极管Q2集电极和第七电阻R7一端连接，第七电阻R7另一端和第二连接端P2、第二继电器K2线圈一端连接，第二继电器K2常开触点一端和第三连接端P3连接，第一继电器K1线圈另一端、第五电阻R5另一端、第六电阻R6另一端、第二继电器K2线圈另一端和接地端连接。2.根据权利要求1所述的GIS电缆T接筒电路 ，其特征在于，还包括第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第三MOS管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第二运算放大器U2、第三运算放大器U3、第二开关S2，所述第八电阻R8一端和第二开关S2一端连接，第二开关S2另一端和电源连接，第八电阻R8另一端和第三MOS管Q3源极连接，第三MOS管Q3栅极和第二运算放大器U2输出端、第九电阻R9一端连接，第三MOS管Q3漏极和第十电阻R10一端、第三运算放大器U3同相端连接，第二运算放大器U2同相端和第十一电阻R11一端、第二继电器K2常开触点另一端连接，第九电阻R9另一端和第十二电阻R12一端连接，第十二电阻R12另一端和第四三极管Q4基极连接，第四三极管Q4集电极和第二三极管Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：章志伟，张红萍，华叔林，潘申珍，宗华平，
申请(专利权)人：江苏银锡高温线缆有限公司，
类型：发明
国别省市：