转移方法及显示面板技术

本申请提供了一种转移方法及显示面板，所述转移方法包括：提供驱动背板、以及提供设置有多个芯片的供体基板；其中，芯片包括位于背离供体基板一侧的芯片电极，驱动背板包括多个接收区域，每个接收区域设置有露出的接收电极；且芯片电极和/或接收电极的侧面外围设置有缓冲块；使至少部分芯片的芯片电极与接收区域的接收电极相对且间隔设置；使至少部分芯片与供体基板分离，且分离后的芯片掉落至对应位置处的接收区域内；其中，位于芯片和接收区域之间的缓冲块支撑芯片且使得芯片电极与对应位置处的接收电极之间具有间隙；使缓冲块高度降低，并使芯片电极与对应位置处的接收电极电连接。通过上述设计方式，本申请能够提高转移良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
转移方法及显示面板


[0001]本申请属于显示
，具体涉及一种转移方法及显示面板。

技术介绍

[0002]随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展，未来可期的主流核心显示Micro
‑
LED无机发光二极管技术具有显著的性能优势，因此越来越引起人们的关注。其中，Micro
‑
LED可视为微小化的芯片，可单独点亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势，其未来将成为能与AMOLED显示并驾齐驱的新型显示技术。
[0003]目前，在利用激光转移技术将芯片从供体基板转移至驱动背板上时，芯片从供体基板上隔空掉落至驱动背板上，落点位置不稳定，转移良率较低。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种转移方法及显示面板，以提高转移良率。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种转移方法，包括：提供驱动背板、以及提供设置有多个芯片的供体基板；其中，所述芯片包括位于背离所述供体基板一侧的芯片电极，所述驱动背板包括多个接收区域，每个所述接收区域设置有露出的接收电极；且所述芯片电极和/或所述接收电极的侧面外围设置有缓冲块；使至少部分所述芯片的所述芯片电极与所述接收区域的所述接收电极相对且间隔设置；使所述至少部分所述芯片与所述供体基板分离，且分离后的所述芯片掉落至对应位置处的所述接收区域内；其中，位于所述芯片和所述接收区域之间的所述缓冲块支撑所述芯片且使得所述芯片电极与对应位置处的所述接收电极之间具有间隙；使所述缓冲块高度降低，并使所述芯片电极与对应位置处的所述接收电极电连接。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，所述显示面板采用上述任一实施例中所述的转移方法形成，所述显示面板包括：驱动背板，所述驱动背板包括多个接收区域，且每个所述接收区域设置有接收电极；多个芯片，一个所述接收区域设置有一个所述芯片，且所述芯片面向所述接收区域一侧设置有芯片电极，所述芯片电极与对应位置处的所述接收电极电连接；多个缓冲块，每个所述接收区域设置有所述缓冲块，且所述缓冲块位于所述芯片电极和所述接收电极的侧面外围，所述缓冲块的两端与所述接收区域和所述芯片抵顶。
[0007]区别于现有技术情况，本申请的有益效果是：本申请所提供的转移方法中驱动背板上的接收电极的侧面外围和/或供体基板上的芯片电极的侧面外围设置有缓冲块；当芯片与供体基板分离，掉落至其下方的驱动背板上的接收区域内时，由于缓冲块的作用，降低芯片从供体基板上掉落时冲击速度过大所导致的芯片掉落至驱动背板的瞬间被弹走的概率，以提高芯片落点位置精度；且该缓冲块可以使得掉落的芯片的芯片电极与驱动背板上对应位置处的接收电极之间有间隙，以降低芯片电极与接收电极破损的概率；后续可以通过使缓冲块的高度降低的方式，使芯片电极与对应位置处的接收电极产生电连接，以保证
电连接的精度。
附图说明
[0008]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
[0009]图1为本申请转移方法一实施方式的流程示意图；
[0010]图2为图1中提供设置有多个芯片的供体基板的步骤一实施方式的流程示意图；
[0011]图3a为图2中步骤S201对应的一实施方式的结构示意图；
[0012]图3b为图2中步骤S202对应的一实施方式的结构示意图；
[0013]图3c为图2中步骤S202对应的另一实施方式的结构示意图；
[0014]图4为图1中提供驱动背板的步骤一实施方式的流程示意图；
[0015]图5a为图4中步骤S301对应的一实施方式的结构示意图；
[0016]图5b为图4中步骤S302对应的一实施方式的结构示意图；
[0017]图6a为图1中步骤S102对应的一实施方式的结构示意图；
[0018]图6b为图1中步骤S103对应的一实施方式的结构示意图；
[0019]图6c为图1中步骤S104对应的一实施方式的结构示意图；
[0020]图7a为图1中步骤S102对应的另一实施方式的结构示意图；
[0021]图7b为图1中步骤S103对应的另一实施方式的结构示意图；
[0022]图8a为图1中步骤S102对应的另一实施方式的结构示意图；
[0023]图8b为图1中步骤S103对应的另一实施方式的结构示意图；
[0024]图9a为图1中步骤S102对应的另一实施方式的结构示意图；
[0025]图9b为图1中步骤S103对应的另一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0027]请参阅图1，图1为本申请转移方法一实施方式的流程示意图，该转移方法包括：
[0028]S101：提供驱动背板、以及提供设置有多个芯片的供体基板；其中，芯片包括位于背离供体基板一侧的芯片电极，驱动背板包括多个接收区域，每个接收区域设置有露出的接收电极；且芯片电极和/或接收电极的侧面外围设置有缓冲块。
[0029]具体地，本申请对于上述步骤S101中提供驱动背板和提供设置有多个芯片的供体基板的先后顺序并无限定；即提供驱动背板的步骤可以位于提供设置有多个芯片的供体基板的步骤之前，或者，提供驱动背板的步骤可以位于提供设置有多个芯片的供体基板的步骤之后，或者，提供驱动背板的步骤可以与提供设置有多个芯片的供体基板的步骤在不同工序同时进行。
[0030]在一个实施例中，请参阅图2，图2为图1中提供设置有多个芯片的供体基板的步骤一实施方式的流程示意图，该步骤具体包括：
[0031]S201：在供体基板10上设置多个芯片12，其中，芯片12包括芯片主体120和位于芯片主体120背离供体基板10一侧的两个芯片电极122。
[0032]具体地，请参阅图3a，图3a为图2中步骤S201对应的一实施方式的结构示意图。可选地，上述供体基板10可以为生长基板，其材质可以为蓝宝石衬底等；芯片12可以为LED，其可自蓝宝石衬底表面生长形成，且芯片12表面的芯片电极122背离生长基板设置；芯片12可以为红色LED或蓝色LED或绿色LED，供体基板10上相邻芯片12发出的光线颜色可以相同或者不同。
[0033]另一可选地，上述供体基板10可以为临时基板，该临时基板可以包括临时衬底和位于临时衬底表面的临时胶层；其中，临时衬底可以为玻璃基板等。此时上述步骤S201的实现过程可以为：A、使生长基板与中间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转移方法，其特征在于，包括：提供驱动背板、以及提供设置有多个芯片的供体基板；其中，所述芯片包括位于背离所述供体基板一侧的芯片电极，所述驱动背板包括多个接收区域，每个所述接收区域设置有露出的接收电极；且所述芯片电极和/或所述接收电极的侧面外围设置有缓冲块；使至少部分所述芯片的所述芯片电极与所述接收区域的所述接收电极相对且间隔设置；使所述至少部分所述芯片与所述供体基板分离，且分离后的所述芯片掉落至对应位置处的所述接收区域内；其中，位于所述芯片和所述接收区域之间的所述缓冲块支撑所述芯片且使得所述芯片电极与对应位置处的所述接收电极之间具有间隙；使所述缓冲块高度降低，并使所述芯片电极与对应位置处的所述接收电极电连接。2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述提供设置有多个芯片的供体基板的步骤，包括：在供体基板上设置多个芯片，其中，所述芯片包括芯片主体和位于所述芯片主体背离所述供体基板一侧的两个所述芯片电极；在所述芯片主体背离所述供体基板一侧形成第一缓冲块，且所述第一缓冲块位于所述芯片电极的侧面外围，所述第一缓冲块背离所述供体基板一侧相对所述芯片电极背离所述供体基板一侧远离所述供体基板；其中，所述位于所述芯片和所述接收区域之间的所述缓冲块包括所述第一缓冲块；和/或，所述提供驱动背板的步骤，包括：形成驱动背板，其中，所述芯片包括位于背离所述供体基板一侧的两个所述芯片电极，所述驱动背板的接收面包括多个所述接收区域，每个所述接收区域上设置有两个所述接收电极；在每个所述接收区域内形成第二缓冲块，且所述第二缓冲块位于所述接收电极的侧面外围，所述第二缓冲块背离所述接收面一侧相对所述接收电极背离所述接收面一侧远离所述接收面；其中，所述位于所述芯片和所述接收区域之间的所述缓冲块包括所述第二缓冲块。3.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述第一缓冲块位于同一所述芯片的两个所述芯片电极之间；和/或，所述第二缓冲块位于同一所述接收区域的两个所述接收电极之间。4.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，在远离所述芯片主体的方向上，所述第一缓冲块的横截面尺寸逐渐减小；和/或，在远离所述接收区域的方向上，所述第二缓冲块的横截面尺寸逐渐减小。5.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述位于所述芯片和所述接收区域之间的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛翠翠，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：