一种新型磁控溅射设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型磁控溅射设备，包括用于安装整个溅射设备的设备支架及其下方设置的方便其移动的脚轮，设备支架前方设置有反应腔，反应腔后端与涡轮分子泵接通，反应腔的右侧与真空缓冲室接通，可以实现在真空条件下，不进行靶材更换就完成不同材料的多层镀膜，反应腔内设置有涡轮分子泵方向开口的U型环状的丝材，可以充分利用溅射材料对周围的丝材进行镀膜，提高靶材的利用率，反应腔配有真空缓冲室，反应腔可以始终保持高真空状态，通过机械手进行基片的传递，缩短工艺等待时间的同时减少腔室污染提高成膜质量。同时减少腔室污染提高成膜质量。同时减少腔室污染提高成膜质量。

【技术实现步骤摘要】
一种新型磁控溅射设备


[0001]本技术涉及成膜领域，尤其涉及一种新型磁控溅射设备。

技术介绍

[0002]溅射镀膜是指在真空室中，利用荷能粒子（如正离子）轰击靶材，使靶材表面原子或原子团逸出，逸出的原子在工件的表面形成与靶材成分相同的薄膜，这种制备薄膜的方法称为溅射镀膜；
[0003]现在技术中，磁控溅射设备在溅射过程中靶材的损耗很大，往往利用到的贵金属靶材仅占整个靶材质量的25%，在溅射成膜过程中产生大量贵金属原材料的浪费,单一靶材和单一腔室无法用于多层成膜且成膜质量较低。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决上述技术中的任意一种问题，从而提出一种新型磁控溅射设备。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种新型磁控溅射设备，包括用于安装整个溅射设备的设备支架及其下方设置的方便其移动的脚轮，设备支架前方设置有反应腔，反应腔后端与涡轮分子泵接通，反应腔的右侧与真空缓冲室接通，反应腔、真空缓冲室和涡轮分子泵之间通过管道与机械泵接通，机械泵一侧设置有油过滤器，反应腔上侧固定有两款不同材质的靶材，反应腔下侧固定有基板，反应腔内设置有涡轮分子泵方向开口的U型环状的丝材。
[0006]进一步的，反应腔主体为金属腔体，金属腔体背面设置有连接口，金属腔体内壁下方设置有基板安装口，基板卡设在基板安装口内，金属腔体内壁上方后端设置有两个对称的靶材安装口，两个靶材安装口内卡设有两款不同材质的靶材，靶材安装口前端设置有第一工艺气体接口，反应腔的左侧内壁底部设置有送料口，反应腔的右侧内壁设置有第二工艺气体接口。
[0007]进一步的，金属腔体内设置有呈U型排布的轴杆和电机，丝材呈U型环状套设在轴杆和电机的输出轴外壁，轴杆可转动，电机可带动丝材在轴杆辅助下转动。
[0008]进一步的，金属腔体的连接口与涡轮分子泵接通，涡轮分子泵末端设置有控制器，控制器侧面设置有与PC端连接的通讯接口。
[0009]进一步的，金属腔体的送料口与真空缓冲室接通，真空缓冲室用于辅助基板在反应腔内的上下料，反应腔可以始终保持高真空状态。
[0010]本技术的有益效果是：金属腔体内设置有两个靶材安装口，可以实现在真空条件下，不进行靶材更换就完成不同材料的多层镀膜，基板和靶材之间设置有多排丝材，丝材套设在轴杆和电机的输出轴外壁，电机可带动丝材转动，丝材与阴极接通，可以充分利用溅射材料对周围的丝材进行镀膜，提高靶材的利用率，反应腔配有真空缓冲室，反应腔可以始终保持高真空状态，通过机械手进行基片的传递，缩短工艺等待时间的同时减少腔室污
染提高成膜质量。
附图说明
[0011]图1为本技术整体的结构示意图；
[0012]图2为本技术整体的前视图；
[0013]图3为本技术整体的俯视图；
[0014]图4为本技术反应腔的结构示意图；
[0015]图5为本技术反应腔的剖面图；
[0016]图6为本技术金属腔体的结构示意图；
[0017]图7为本技术丝材的安装示意图。
[0018]在图1至图7，部件名称或线条与附图编号的对应关系为：反应腔1、金属腔体11、基板12、轴杆13、丝材14、电机15、靶材16、基板安装口111、送料口112、连接口113、靶材安装口114、第一工艺气体接口115、第二工艺气体接口116、真空缓冲室2、涡轮分子泵3、设备支架4、机械泵5、油过滤器6、脚轮7。
具体实施方式
[0019]请参考图1至图7；
[0020]本实施例提供了一种新型磁控溅射设备，包括用于安装整个溅射设备的设备支架4及其下方设置的方便其移动的脚轮7，设备支架4前方设置有反应腔1，反应腔1后端与涡轮分子泵3接通，反应腔1的右侧与真空缓冲室2接通，反应腔1、真空缓冲室2和涡轮分子泵3之间通过管道与机械泵5接通，机械泵5一侧设置有油过滤器6，反应腔1上侧固定有两款不同材质的靶材16，反应腔1下侧固定有基板12，反应腔1内设置有涡轮分子泵3方向开口的U型环状的丝材14。
[0021]优选的，反应腔1主体为金属腔体11，金属腔体11背面设置有连接口113，金属腔体11内壁下方设置有基板安装口111，基板12卡设在基板安装口111内，金属腔体11内壁上方后端设置有两个对称的靶材安装口114，两个靶材安装口114内卡设有两款不同材质的靶材16，靶材安装口114前端设置有第一工艺气体接口115，反应腔1的左侧内壁底部设置有送料口112，反应腔1的右侧内壁设置有第二工艺气体接口116。
[0022]在具体实施例中，氩气从第一工艺气体接口115通入至金属腔体11内，高能量穿过靶材安装口114轰击靶材16，靶材16作为阴极，基板12作为阳极在氩气作为介质的基础下，靶材16向基板12发生溅射，沉积在基板12形成薄膜，两个靶位可以实现在真空条件下，不进行靶材16更换就完成不同材料的多层镀膜。
[0023]优选的，金金属腔体11内设置有呈U型排布的轴杆13和电机15，丝材14呈U型环状套设在轴杆13和电机15的输出轴外壁，轴杆13可转动，电机15可带动丝材14在轴杆13辅助下转动。
[0024]在具体实施例中，丝材14呈U型，基板12和靶材16之间无丝材14遮挡，轴杆13和电机15的输出轴外壁为树脂材质防止对丝材14造成损伤，丝材14与阴极接通，可以充分利用溅射材料对周围的丝材14进行镀膜，提高靶材16的利用率。
[0025]优选的，金属腔体11的连接口113与涡轮分子泵3接通，涡轮分子泵3末端设置有控
制器，控制器侧面设置有与PC端连接的通讯接口。
[0026]在具体实施例中，可通过PC远程控制涡轮分子泵3的启停，无需人员在设备本体上操作，防止设备漏电导致的人员受伤。
[0027]优选的，金属腔体11的送料口112与真空缓冲室2接通，真空缓冲室2用于辅助基板12在反应腔1内的上下料，反应腔1可以始终保持高真空状态。
[0028]在具体实施例中，反应腔1连接的真空缓冲室2，反应腔1可以始终保持高真空状态，真空缓冲室2内通过机械手进行基板12的传递，缩短工艺等待时间的同时减少腔室污染提高成膜质量。
[0029]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型磁控溅射设备，其特征在于：包括用于安装整个溅射设备的设备支架（4）及其下方设置的方便其移动的脚轮（7），设备支架（4）前方设置有反应腔（1），反应腔（1）后端与涡轮分子泵（3）接通，反应腔（1）的右侧与真空缓冲室（2）接通，反应腔（1）真空缓冲室（2）和涡轮分子泵（3）之间通过管道与机械泵（5）接通，机械泵（5）一侧设置有油过滤器（6），反应腔（1）上侧固定有两款不同材质的靶材（16），反应腔（1）下侧固定有基板（12），反应腔（1）内设置有涡轮分子泵（3）方向开口的U型环状的丝材（14）。2.根据权利要求1所述的新型磁控溅射设备，其特征在于：所述反应腔（1）主体为金属腔体（11），金属腔体（11）背面设置有连接口（113），金属腔体（11）内壁下方设置有基板安装口（111），基板（12）卡设在基板安装口（111）内，金属腔体（11）内壁上方后端设置有两个对称的靶材安装口（114），两个靶材安装口（114）内卡设有两款不同材质的靶材...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂亮亮，王祥，牛琳，
申请(专利权)人：南昌三盛半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：