像素结构及其驱动方法技术

本发明专利技术公开了一种像素结构及其驱动方法。所述像素结构，包括第一子像素及第二子像素。所述第一子像素包括第一开关晶体管及第一液晶电容，其中当所述第一开关晶体管导通时，所述第一液晶电容被偏压至第一灰度电压。所述第二子像素包括第二开关晶体管、第二液晶电容、第三开关晶体管、共享电容及第四开关晶体管，其中当所述第二开关晶体管导通时，所述第二液晶电容被偏压至所述第一灰度电压；当所述第四开关晶体管导通时，所述共享电容被重置到预设电压；当所述第三开关晶体管导通时，所述第二液晶电容与所述共享电容通过所述第三开关晶体管进行电荷共享至第二灰度电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器，且特别涉及一种广视角液晶显示器的。
技术介绍
大尺寸液晶显示器中，由于像素分布于较广的面积，因此使用者在观看时无法正 视显示器上每一像素所显示的影像，因此随着使用者观看角度的不同会产生亮度及对比 度的差异。为解决这一问题，广视角技术应运而生，其中，多域垂直配向(multi-domain vertical alignments, MVA)已经被证实能够有效改善色偏(color washout)现象。电容 耦合式(capacitance coupling type,C. C. type)像素结构为一种广视角技术，使用这种结 构不需更改显示器的驱动方式，然而在显示时却存在残影(image sticking)的问题。另一 种广视角技术为双晶体管式(two transistors type,Τ. Τ. type)像素结构，这种结构解决 了残影问题，但由于必须在所述像素结构中使用两倍数量的栅极线或数据线，因此需要较 高的制造成本。为了改善已知像素结构所存在的问题，三星电子(Samsung Electronics)在SID Symposium Digest 2008提出了一种电荷共享式(charge-shared type)像素结构9，包括 子像素(sub-pixel)91及子像素92，如图1所示。通过在电容之间进行电荷的重新共享 (charge sharing)，所述像素结构9的子像素92与子像素91在操作时可维持不同灰度电 压。然而，由于电容Cs在TFT3导通前保持前一个帧(frame)的电压，因此当TFT3导通时， 液晶电容Cm难以通过电荷共享以精确达到所需显示的电压电平，使得所述像素在每一帧 所显示的灰度亮度均受到前一帧的影响而不同于实际所需操作的灰度。参照图1及2所示，图2为图1中像素结构9的电压从高灰度亮度切换至中灰度 亮度时，两子像素中各电容的电压时序图，其中、表示第一栅极线Gn导通所述像素结构9 的时间区间，t2表示第二栅极线Gn+Ι导通与其耦接的像素结构(与所述像素结构9相邻) 的时间区间。如图所示，在所述时间区间、，第一栅极线Gn同时导通开关晶体管TFTl及 TFT2，使得子像素91的液晶电容电压Va及子像素92的液晶电容电压Vc2根据数据线Data 的电压同时降至中灰度电压；在时间区间t2，第二栅极线Gn+Ι导通开关晶体管TFT3，此时 子像素92中通过电容ClC2、Cst2及Cs之间的电荷共享而使得子像素92的液晶电容电压Vc2 不同于子像素91的液晶电容电压VC1。参照图1及3所示，图3为图1中像素结构9的电压从另一灰度亮度(例如低于图 2的初始灰度亮度)切换至同一中灰度亮度时，两子像素中各电容的电压时序图，其中子像 素91的液晶电容电压Va及子像素92的液晶电容电压\2随时间的变化与图2相似，其差 别在于第二栅极线Gn+Ι导通开关晶体管TFT3前，所述共享电容(；具有较低的电压Vcs'， 因此当开关晶体管TFT3导通后，图3中子像素92的液晶电容电压\2’与图2的液晶电容 电压\2具有不同的灰度电压。也即，在每次显示期间，子像素92的灰度电压均受到前一帧 灰度电压的影响。有鉴于此，有必要提出一种液晶显示器的像素结构，其能够更准确地控制子像素 的灰度电压电平。
技术实现思路
本专利技术提出一种，其中每一像素的子像素中的共享电容被 耦接至一时变电压，通过控制所述时变电压，可使得子像素中的液晶电容在电荷共享后能 达到所需显示的灰度电压。本专利技术还提出一种，其中在电荷共享前，子像素中的共享 电容的电压预先经过重置，使得子像素中的液晶电容在电荷共享后能达到所需显示的灰度 电压。本专利技术提出一种像素结构，包括第一栅极线、数据线用以提供灰度电压、第一子像 素及第二子像素。所述第一子像素包括第一开关晶体管及第一液晶电容，其中当所述第一 栅极线导通所述第一开关晶体管时，所述数据线通过所述第一开关晶体管将所述第一液晶 电容偏压至第一灰度电压。所述第二子像素包括第二开关晶体管、第二液晶电容、耦接第二 栅极线的第三开关晶体管、及耦接时变电压的共享电容，其中当所述第一栅极线导通所述 第二开关晶体管时，所述数据线通过所述第二开关晶体管将所述第二液晶电容偏压至所述 第一灰度电压；当所述第二栅极线导通所述第三开关晶体管时，所述第二液晶电容与所述 共享电容通过所述第三开关晶体管进行电荷共享至第二灰度电压；其中所述第二灰度电压 根据所述时变电压而改变。本专利技术还提出一种像素结构，包括第一栅极线、数据线用以提供灰度电压、第一子 像素及第二子像素。所述第一子像素包括第一开关晶体管及第一液晶电容，其中当所述第 一栅极线导通所述第一开关晶体管时，所述数据线通过所述第一开关晶体管将所述第一液 晶电容偏压至第一灰度电压。所述第二子像素包括第二开关晶体管、第二液晶电容、耦接第 二栅极线的第三开关晶体管、共享电容及第四开关晶体管，其中当所述第一栅极线导通所 述第二开关晶体管时，所述数据线通过所述第二开关晶体管将所述第二液晶电容偏压至所 述第一灰度电压；当所述第一栅极线导通所述第四开关晶体管时，所述共享电容被重置到 预设电压；当所述第二栅极线导通所述第三开关晶体管时，所述第二液晶电容与所述共享 电容通过所述第三开关晶体管进行电荷共享至第二灰度电压。本专利技术还提出一种像素结构的驱动方法，所述像素结构包括第一栅极线、第一子 像素及第二子像素。所述第一子像素包括第一开关晶体管及第一液晶电容。所述第二子像 素包括第二开关晶体管、第二液晶电容、共享电容及第三开关晶体管耦接第二栅极线。所述 驱动方法包括下列步骤以所述第一栅极线导通所述第一开关晶体管及所述第二开关晶体 管，以分别将所述第一液晶电容及所述第二液晶电容偏压至第一灰度电压；将所述共享电 容重置到预设电压；以及以所述第二栅极线导通所述第三开关晶体管，以使所述第二液晶 电容与所述共享电容进行电荷共享而达到第二灰度电压。本专利技术另提出一种像素结构的驱动方法，所述像素结构包括第一栅极线、第一子 像素及第二子像素。所述第一子像素包括第一开关晶体管及第一液晶电容。所述第二子 像素包括第二开关晶体管、第二液晶电容、耦接第二栅极线的第三开关晶体管、及耦接至时 变电压的共享电容。所述驱动方法包括下列步骤以所述第一栅极线导通所述第一开关晶体管及所述第二开关晶体管，以分别将所述第一液晶电容及所述第二液晶电容偏压至第一 灰度电压；根据所述共享电容的电压改变所述时变电压；以及以所述第二栅极线导通所述 第三开关晶体管，以使所述第二液晶电容与所述共享电容进行电荷共享而达到第二灰度电 压。本专利技术的中，所述共享电容的电压可重置于固定电压或时 变电压；所述固定电压例如可为阵列基板的公共电压，且所述时变电压可根据前一帧期间 所述共享电容的电压而决定，藉以使得子像素中的液晶电容在电荷共享后能达到所需显示的灰度电压。附图说明图1所示为一种已知像素结构的示意图；图2所示为图1的像素结构中电容电压的时序图；图3所示为图1的像素结构中电容电压的另一时序图；图4所示为本专利技术实施例的像素结构的示意图；图5所示为图4的像素结构中电容电压的时序图；以及图6所示为图4的像素结构中电容电压的另一时序图。主要元件符号说明1、9像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：第一栅极线；数据线，用以提供灰度电压；第一子像素，包括第一开关晶体管及第一液晶电容，其中当所述第一栅极线导通所述第一开关晶体管时，所述数据线通过所述第一开关晶体管将所述第一液晶电容偏压至第一灰度电压；以及第二子像素，包括第二开关晶体管、第二液晶电容、耦接第二栅极线的第三开关晶体管、以及耦接时变电压的共享电容，其中当所述第一栅极线导通所述第二开关晶体管时，所述数据线通过所述第二开关晶体管将所述第二液晶电容偏压至所述第一灰度电压；当所述第二栅极线导通所述第三开关晶体管时，所述第二液晶电容与所述共享电容通过所述第三开关晶体管进行电荷共享至第二灰度电压；其中所述第二灰度电压根据所述时变电压而改变。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖大舜，施博盛，吴昭慧，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]