蚀刻剂制造技术

本申请提供了蚀刻剂。该蚀刻剂包括：过硫酸盐；含氟化合物；含氯化合物；环胺化合物；无机酸；第一化合物；和水，其中所述第一化合物为含有以下的化合物：砜基、磺酸基或其组合；和胺基，并且蚀刻剂的界面渗透抑制指数(Y)为至少约0.10且不大于约0.35的值，界面渗透抑制指数(Y)是通过方程式1计算的值：方程式1Y＝1.4

【技术实现步骤摘要】
蚀刻剂
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年3月21日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2022
‑
0034934号的优先权和权益，其公开通过引用以其整体并入本文中。


[0003]在本文中描述的本公开的实施方式涉及蚀刻剂。

技术介绍

[0004]随着表达一种或多种适当的电信号信息的显示装置的领域(例如，在信息技术的领域)的进展，正在研究和开发一种或多种具有卓越的或适当的特性(比如减少厚度，减轻重量和低功耗)的适当的平板显示装置。在这些显示装置中，有机发光显示装置可被制造成轻量化和薄型化，并且具有相对宽视角和快速响应速率的优势，因此作为下一代显示装置引起关注。

技术实现思路

[0005]实施方式的方面涉及能够蚀刻多层膜的蚀刻剂。
[0006]另外的方面将部分在随后的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
[0007]根据实施方式，蚀刻剂包括：过硫酸盐；含氟化合物；含氯化合物；环胺化合物；无机酸；第一化合物；和水，其中第一化合物为含有以下的化合物：砜基、磺酸基或其组合；和胺基，并且蚀刻剂的界面渗透抑制指数(Y)为至少约0.10且不大于约0.35的值，界面渗透抑制指数是通过<方程式1>计算的值：
[0008]方程式1
[0009]Y＝1.4
×
10
‑4×
M(X1)+1.3
×
10
‑4×
M(X2)+1.45
×
10
‑3×
M(X3)+1.5
×
10
‑5×
[0010]M(X1)
×
M(X2)+1.6
×
10
‑3×
M(X1)
×
M(X3)+6.5
×
10
‑4×
M(X2)
×
M(X3)，
[0011]其中，在方程式1中，
[0012]M(X1)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，第一化合物的wt％，
[0013]M(X2)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，含氯化合物的wt％，并且
[0014]M(X3)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，水的wt％。
[0015]蚀刻剂能够蚀刻多层膜，并且当通过使用蚀刻剂制造显示装置时，可减少缺陷率。
附图说明
[0016]本公开的某些实施方式的上面以及其他的方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见。
[0017]图1至图3分别示出使用扫描电子显微镜对根据本公开的实施例1至实施例3的蚀刻样品的观察的结果；
[0018]图4至图5分别示出使用聚焦离子束扫描电子显微镜(FIB
‑
SEM)对根据本公开的比较例1和比较例2的蚀刻样品的轮廓测量的结果；并且
[0019]图6至图8分别示出使用扫描电子显微镜对根据本公开的比较例3至比较例5的蚀刻样品的观察的结果。
具体实施方式
[0020]现在将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考附图来描述实施方式，以解释本描述的各方面。如在本文中使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b或c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者(例如，同时)，a和c二者(例如，同时)，b和c二者(例如，同时)，所有的a、b和c，或其变体。
[0021]本公开可包括一种或多种适当的修改和一种或多种适当的实施方式，并且具体的实施方式将在所附附图中阐释并在详细描述中更详细地描述。本公开的效果和特征以及实施本公开的方法将结合附图参考下面更详细描述的实施方式而变得清楚。然而，本公开不限于下面公开的实施方式，并且可以以一种或多种适当的形式来实现。
[0022]如在本文中使用的术语“第一”、“第二”等，仅用于将一个组件与另一个组件区分开，并不用于限制的目的。
[0023]如在本文中使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
[0024]如在本文中使用的术语比如“包括”和/或“具有”等旨在指示在本说明书中公开的特征或元件的存在，并不旨在排除可存在或可添加一个或多个其他特征或元件的可能性。
[0025]如在本文中使用的，当元件(比如层、膜、区或组件)被称为“在”另一元件(比如层、膜、区或组件)“上”时，它可“直接在”其他元件(比如层、膜、区或组件)“上”，或也可存在居间的层、膜、区或组件。
[0026]在附图中，为了易于描述，元件的尺寸被放大或缩小。例如，附图中示出的每个元件的尺寸或厚度为了易于描述而任意阐释，并且因此本公开不限于此。
[0027]根据实施方式，蚀刻剂包括：过硫酸盐；含氟化合物；含氯化合物；环胺化合物；无机酸；第一化合物；和水，其中第一化合物为含有以下的化合物：砜基、磺酸基或其组合；和胺基，并且蚀刻剂的界面渗透抑制指数(Y)为至少约0.10且不大于约0.35的值，界面渗透抑制指数是通过<方程式1>计算的值：
[0028]方程式1
[0029]Y＝1.4
×
10
‑4×
M(X1)+1.3
×
10
‑4×
M(X2)+1.45
×
10
‑3×
M(X3)+1.5
×
10
‑5×
[0030]M(X1)
×
M(X2)+1.6
×
10
‑3×
M(X1)
×
M(X3)+6.5
×
10
‑4×
M(X2)
×
M(X3)，
[0031]其中，在方程式1中，
[0032]M(X1)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，第一化合物的wt％，
[0033]M(X2)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，含氯化合物的wt％，并且
[0034]M(X3)指示相对于蚀刻剂的总量100wt％，水的wt％。
[0035]在一个或多个实施方式中，蚀刻剂中的过硫酸盐可包括过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾或者其一种或多种组合。过硫酸盐为主要的蚀刻组分，并且可控制蚀刻速率。例如，过硫酸盐可包括过硫酸铵。又例如，过硫酸盐可为过硫酸铵。在一些实施方式中，当使用其中过硫酸盐包括钠(Na)(例如，过硫酸盐为过硫酸钠)的蚀刻剂制造显示装置时，可通过与玻璃基板反应生成含硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻剂，包括：过硫酸盐；含氟化合物；含氯化合物；环胺化合物；无机酸；第一化合物；和水，其中所述第一化合物为包括以下的化合物：砜基、磺酸基或其组合；和胺基，并且所述蚀刻剂的界面渗透抑制指数Y为至少0.10且不大于0.35的值，所述界面渗透抑制指数Y是通过方程式1计算的值：方程式1Y＝1.4
×
10
‑4×
M(X1)+1.3
×
10
‑4×
M(X2)+1.45
×
10
‑3×
M(X3)+1.5
×
10
‑5×
M(X1)
×
M(X2)+1.6
×
10
‑3×
M(X1)
×
M(X3)+6.5
×
10
‑4×
M(X2)
×
M(X3)，其中，在方程式1中，M(X1)指示相对于所述蚀刻剂的总量100wt％，所述第一化合物的wt％，M(X2)指示相对于所述蚀刻剂的总量100wt％，所述含氯化合物的wt％，并且M(X3)指示相对于所述蚀刻剂的总量100wt％，所述水的wt％。2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述过硫酸盐包括过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾或者其一种或多种组合。3.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述过硫酸盐为过硫酸铵。4.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述含氟化合物包括氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、氟化氢钾或者其一种或多种组合。5.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述含氯化合物包括盐酸、氯化钠、氯化钾、氯化铵、氯化铁(III)、高氯酸钠、高氯酸钾、乙基磺酰氯、甲基磺酰氯或者其一种或多种组合。6.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述环胺化合物包括5
‑
氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉、5
‑
甲基四唑、1
‑
甲基
‑5‑
氨基四唑、1
‑
乙基
‑5‑
氨基四唑或者其一种或多种组合。7.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述无机酸包括硝酸、硫酸、磷酸、亚磷酸或者其一种或多种组合。8.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述第一化合物为含有砜基和胺基的化合物，或者为含有磺酸基和胺基的化合物。9.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述胺基为
‑
NH2。10.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中所述第一化合物为由式1表示的化合物：式1
其中，在式1中，L1和L2各自独立地为单键、*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
20
亚烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
20
亚炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a1和a2各自独立地为0至3中的一个整数，R1、Z1和Z2各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、或
‑
C(＝O)(Q1)，但是R1不为氢，Z1和Z2任选地经单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或者其一种或多种组合取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基；各自未被取代或被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或者其一种或多种组合取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁伸赫，金范洙，赵现洙，金志训，尹暎晋，李恩远，姜东汉，朴芝焄，许宗茂，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：