半导体装置制造方法及图纸

半导体装置。一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；中央图案，其在所述第一基板侧面被露出；多个导电贯孔，其连接至所述中央图案并且在所述第二基板侧面被露出；以及边缘图案，其在所述周边基板侧面被露出并且完全地环绕所述基板来延伸；以及半导体晶粒，其耦接至所述第一基板侧面。板侧面。板侧面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请是申请日为2017年03月14日，申请号为201710149951.9，专利技术名称为“半导体装置”的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术有关于半导体装置。

技术介绍

[0003]目前的半导体装置以及其制造方法例如在产生薄型封装上是不足的，其可能会在边缘处遭受到碎裂。现有及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，透过此种方式与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本
技术实现思路
的比较将会变成是明显的。

技术实现思路

[0004]此
技术实现思路
的各种特点是提供一种具有强化的边缘保护的薄型半导体装置、以及一种制造其的方法。例如且在无限制下，此
技术实现思路
的各种特点提供一种包括一具有一边缘保护的区域的基板的薄型半导体装置、以及一种制造其的方法。
[0005]一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；第一导电层，其在所述第一基板侧面并且包括在所述第一基板侧面的中央图案、以及在所述第一基板侧面而且在所述周边基板侧面的第一边缘图案；以及第二导电层，其在所述第二基板侧面并且电连接至所述第一导电层；半导体晶粒，其包括第一晶粒侧面、与所述第一晶粒侧面相反并且耦接至所述第一基板侧面的第二晶粒侧面、以及多个延伸在所述第一晶粒侧面与所述第二晶粒侧面之间的周边晶粒侧面；以及导电的互连结构，其将所述半导体晶粒电连接至所述中央图案；囊封体，其在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。进一步地，所述半导体装置包括囊封体，所述囊封体在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。进一步地，其中所述第二导电层包括导电贯孔，其从所述第一导电层直接延伸至所述第二基板侧面。进一步地，其中所述第一导电层以及所述第二导电层中的一层是直接电镀在所述第一导电层以及所述第二导电层中的另一层上。进一步地，其中所述第一边缘图案包括所述第一导电层的连续的带，其覆盖所述第一基板侧面的整个周边。进一步地，其中所述第二导电层包括在所述周边基板侧面的第二边缘图案。进一步地，其中所述周边基板侧面中的至少一个是完全由所述第一边缘图案以及所述第二边缘图案所构成。进一步地，其中所述第二边缘图案具有不同于所述第一边缘图案的横向的宽度。进一步地，其中所述第二边缘图案比所述第一边缘图案较厚的。进一步地，其中所述第一导电层包括连接器图案，其连接所述中央图案以及所述第一边缘图案。
[0006]一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧
面；中央图案，其在所述第一基板侧面被露出；多个导电贯孔，其连接至所述中央图案并且在所述第二基板侧面被露出；以及边缘图案，其在所述周边基板侧面被露出并且完全地环绕所述基板来延伸；以及半导体晶粒，其耦接至所述第一基板侧面。进一步地，其中所述边缘图案包括多个在所述周边基板侧面的导电层。进一步地，其中所述边缘图案包括：第一导电层，其在所述周边基板侧面并且具有第一宽度；以及第二导电层，其在所述周边基板侧面并且具有不同于所述第一宽度的第二宽度。进一步地，所述半导体装置包括连接图案，所述连接图案包括多个将所述边缘图案连接至所述中央图案的接地线路的线路。进一步地，所述半导体装置包括单一连续的层的模制材料，所述模制材料覆盖以下的每一个的至少一侧表面：所述中央图案、所述多个导电贯孔、以及所述边缘图案。进一步地，其中所述边缘图案在所述基板的整个周边周围形成连续的导电的带。
[0007]一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；第一导电层，其在所述第一基板侧面并且包括：在所述第一基板侧面的中央图案；以及边缘图案的第一部分，其在所述第一基板侧面并且在所述周边基板侧面；以及第二导电层，其在所述第二基板侧面并且包括：导电贯孔，其在所述第二基板侧面并且连接至所述中央图案；以及所述边缘图案的第二部分，其在所述第二基板侧面而且在所述周边基板侧面，并且连接至所述边缘图案的所述第一部分；以及半导体晶粒，其耦接至所述第一基板侧面。进一步地，其中所述第一导电层及第二导电层中的一层是直接电镀在所述第一导电层及第二导电层中的另一层上。进一步地，其中所述基板包括单一连续的介电层，其围绕所述第一导电层及第二导电层的侧表面。进一步地，其中所述周边基板侧面中的至少一个是完全由所述边缘图案所构成。
附图说明
[0008]图1是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。
[0009]图2是描绘一种制造图1的范例的半导体装置的范例的方法的流程图。
[0010]图3A至3K是描绘在图2中所示的范例的方法的各种特点的横截面图。
[0011]图4是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。
[0012]图5是描绘一种制造图4的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。
[0013]图6是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。
[0014]图7是描绘一种制造图6的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。
[0015]图8是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。
[0016]图9是描绘一种制造图8的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。
[0017]图10是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。
[0018]图11是描绘一种制造图10的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。
[0019]图12是描绘一种制造图10的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。
[0020]图13是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。
[0021]图14是描绘一种制造图13的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。
[0022]图15是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。
[0023]图16是描绘一种制造图15的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。
[0024]图17是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。
[0025]图18是描绘一种制造图17的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。
具体实施方式
[0026]以下的讨论是通过提供本
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的例子来呈现本
技术实现思路
的各种特点。此种例子并非限制性的，并且因此本揭露内容的各种特点的范畴不应该是必然受限于所提供的例子的任何特定的特征。在以下的讨论中，这些措辞“例如”、“譬如”以及“范例的”并非限制性的，并且大致与“举例且非限制性的”、“例如且非限制性的”、及类似者为同义的。
[0027]如同在此所利用的，“及/或”是表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：提供基板的面板，所述基板的面板包括多个基板和一个或多个导电的结构，其中，所述一个或多个导电的结构围绕所述多个基板中的每个基板；以及通过切割穿过围绕每个所述基板的所述一个或多个导电的结构，从所述基板的面板单粒化每个所述基板，其中，每个单粒化基板包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相对的第二基板侧面以及在所述第一基板侧面和第二基板侧面之间延伸的周边基板侧面；以及在所述周边基板侧面处暴露的边缘结构，其中所述边缘结构包括所述一个或多个导电的结构的单粒化周边侧面。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述单粒化之前，提供半导体晶粒，所述半导体晶粒耦合到每个所述基板的所述第一基板侧面处的中央导电图案。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：为每个所述基板提供将所述边缘结构连接到所述中央导电图案中的接地线路的导电的线路。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基板的面板包括单一层的模制材料，所述单一层的模制材料接触且覆盖所述中央导电图案的至少一个侧表面和所述导电的结构的至少一个侧表面。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个导电的结构形成完全围绕每个所述基板的连续导电带。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：每个所述单粒化基板的所述边缘结构包括暴露在所述周边基板侧面处的第一导电层和第二导电层；所述第一导电层从所述周边基板侧面并且沿着所述第一基板侧面延伸第一距离；以及所述第二导电层从所述周边基板侧面并且沿着所述第二基板侧面延伸第二距离，所述第二距离比所述第一距离短。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，每个所述单粒化基板的所述第一导电层的单粒化周边侧面与相应的所述单粒化基板的所述第二导电层的单粒化周边侧面共面。8.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：提供基板的面板，所述基板的面板包括基板与导电的结构，其中，所述导电的结构环绕所述基板；以及通过切割穿过围绕所述基板的所述导电的结构从所述基板的面板单粒化所述基板，其中，经单粒化的所述基板包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相对的第二基板侧面以及在所述第一基板侧面和第二基板侧面之间延伸的基板最外侧面，所述基板最外侧面限定所述基板的周边；导电图案，位于所述第一基板侧面；介电层，包括提供所述介电层的周边的介电层最外侧面；以及边缘图案，位于所述基板最外侧面处且从所述介电层最外侧面向外定位，其中：所述边缘图案包括所述导电的结构的单粒化剩余物；
所述边缘图案的第一导电层包括：第一导电层第一侧面和第一导电层最外侧面，其中，所述第一导电层第一侧面提供所述第一基板侧面的一部分，并且所述第一导电层最外侧面提供所述基板最外侧面的第一部分，其中，所述边缘图案的所述第一导电层具有从所述介电层最外侧面指向外的第一横向宽度；以及所述边缘图案的第二导电层包括第二导电层第二侧面和第二导电层最外侧面，其中，所述第二导电层第二侧面提供所述第二基板侧面的一部分，并且所述第二导电层最外侧面提供所述基板最外侧面的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：班文贝，欧坤锡，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：