晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，能够解决由附着于器件芯片的侧面的加工屑引起的问题。晶片的加工方法包含：分割起点形成工序，在分割预定线上形成分割的起点；保护部件配设工序，配设对晶片的正面进行保护的保护部件；背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削而精加工为期望的厚度，并且在分割预定线上形成分割槽而将晶片分割成器件芯片；片配设工序，在晶片的背面上配设能够伸缩的片，并且从晶片的正面去除保护部件；粘接液包覆工序，将具有流动性的粘接液包覆在晶片的正面上；片伸缩工序，使片伸缩，以便使粘接液浸入至分割槽并且从分割槽排出粘接液；以及清洗工序，从晶片的正面去除粘接液而对分割槽的侧面进行清洗。而对分割槽的侧面进行清洗。而对分割槽的侧面进行清洗。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法


[0001]本专利技术涉及晶片的加工方法，将由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片。

技术介绍

[0002]由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片在背面被磨削而形成为期望的厚度之后，利用切割装置、激光加工装置被分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
[0003]另外，本申请人提出了如下技术：将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的与分割预定线对应的内部而对晶片照射激光光线，形成成为分割的起点的改质层，然后，对晶片的背面进行磨削而精加工成期望的厚度，并且将晶片分割成各个器件芯片(例如，参照专利文献1)。
[0004]在专利文献1所记载的技术中，将激光光线的聚光点定位于磨削前的晶片(即，比较厚的晶片)的内部，因此具有能够在分割预定线的内部适当地形成改质层的优点。另外，当晶片的厚度过薄时，难以将激光光线的聚光点定位于晶片的与分割预定线对应的内部，有时会在晶片的与分割预定线对应的内部形成无法形成改质层的区域。
[0005]另外，在专利文献1所记载的技术中，除了能够将晶片形成为期望的厚度以外，还具有如下的优点：在磨削中从改质层到达正面的裂纹伸长，通过解理将晶片分割成各个器件芯片，因此，即使将晶片薄薄地精加工也能够提高器件芯片的抗弯强度。
[0006]专利文献1：日本特开2014
‑
78569号公报
[0007]但是，有时磨削时产生的加工屑会进入到形成于分割预定线的分割槽并附着于器件芯片的侧面。此时，存在如下的问题：在后续工序中实施的引线接合、芯片接合、器件芯片的层叠等中，从器件芯片的侧面落下、飞散的加工屑会妨碍接合，并且附着于器件芯片的正面而使层叠的器件芯片损伤。
[0008]这样的问题在被称为先切割的技术(例如，参照日本特开平11
‑
40520号公报)中也可能发生，关于该先切割，在分割预定线上形成深度相当于器件芯片的完工厚度的槽作为分割的起点，并对晶片的背面进行磨削直至达到器件芯片的完工厚度为止，从而将晶片分割成各个器件芯片。

技术实现思路

[0009]因此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，能够解决由附着于器件芯片的侧面的加工屑引起的问题。
[0010]根据本专利技术，提供晶片的加工方法，将由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：分割起点形成工序，在该分割预定线上形成分割的起点；保护部件配设工序，在该分割起点形成工序之前或之后配设对该晶片的正面进行保护的保护部件；背面磨削工序，将该保护部
件侧保持于卡盘工作台并对该晶片的背面进行磨削而精加工成期望的厚度，并且在该分割预定线上形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；片配设工序，在该晶片的背面上配设能够伸缩的片，并且从该晶片的正面去除该保护部件；粘接液包覆工序，将具有流动性的粘接液包覆在该晶片的正面上；片伸缩工序，使通过该片配设工序配设的该片伸缩，以便扩展该分割槽的宽度而使该粘接液浸入至该分割槽并且缩小该分割槽的宽度而从该分割槽排出该粘接液；以及清洗工序，从该晶片的正面去除该粘接液而至少对该分割槽的侧面进行清洗。
[0011]优选在该分割起点形成工序中，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的与分割预定线对应的内部而对晶片照射激光光线，从而形成作为分割的起点的改质层。
[0012]优选在该分割起点形成工序中，在分割预定线上形成深度相当于器件芯片的完工厚度的槽而作为分割的起点。
[0013]该保护部件配设工序也可以在该分割起点形成工序之后实施。
[0014]优选在该粘接液包覆工序中使用的粘接液包含聚乙烯醇、聚环氧乙烷、聚丙烯酰胺、羧甲基纤维素、甲阶型酚醛树脂、羟甲基化脲醛树脂以及羟甲基化三聚氰胺树脂中的任意一种，在该清洗工序中，提供清洗水而去除粘接液。
[0015]根据本专利技术的晶片的加工方法，在利用具有流动性的粘接液捕捉附着于器件芯片的侧面的加工屑之后，对分割槽的侧面进行清洗，由此能够将加工屑与粘接液一起从器件芯片的侧面去除。因此，能够解决由附着于器件芯片的侧面的加工屑引起的问题。
附图说明
[0016]图1是示出保护部件配设工序的立体图。
[0017]图2的(a)是在分割起点形成工序中形成改质层的情况的立体图，图2的(b)是沿着分割预定线形成有改质层的晶片的剖视图，图2的(c)是沿着分割预定线形成有改质层的晶片的立体图。
[0018]图3是在分割起点形成工序中通过烧蚀加工形成深度相当于器件芯片的完工厚度的槽的情况的立体图。
[0019]图4是在分割起点形成工序中通过切削加工形成深度相当于器件芯片的完工厚度的槽的情况的立体图。
[0020]图5的(a)是示出在沿着分割预定线形成有深度相当于器件芯片的完工厚度的槽的晶片的正面上配设保护部件的状态的立体图，图5的(b)是示出在图5的(a)所示的晶片的正面上配设了保护部件的状态的剖视图。
[0021]图6的(a)是示出背面磨削工序的立体图，图6的(b)是形成有分割槽的晶片的立体图。
[0022]图7的(a)是示出在片配设工序中在晶片的背面上配设能够伸缩的片的状态的立体图，图7的(b)是示出在片配设工序中从晶片的正面去除保护部件的状态的立体图。
[0023]图8的(a)是示出粘接液包覆工序的立体图，图8的(b)是包覆有粘接液的晶片的剖视图。
[0024]图9是示出片伸缩工序的剖视图。
[0025]图10是示出清洗工序的剖视图。
[0026]标号说明
[0027]2：晶片；2a：晶片的正面；2b：晶片的背面；4：分割预定线；6：器件；8：保护部件；16：改质层(分割的起点)；18：激光加工槽(分割的起点)；30：切削槽(分割的起点)；48：分割槽；50：器件芯片；54：片；56：粘接液；68：清洗水。
具体实施方式
[0028]以下，参照附图对本专利技术的晶片的加工方法的优选实施方式进行说明。
[0029]在图1中示出了通过本专利技术的晶片的加工方法实施加工的圆板状的晶片2。晶片2例如能够由硅等适当的半导体材料形成。晶片2的正面2a由格子状的分割预定线4划分成多个矩形区域，在多个矩形区域中分别形成有IC、LSI等器件6。
[0030](保护部件配设工序)
[0031]在本实施方式中，首先，如图1所示，实施保护部件配设工序，配设对晶片2的正面2a进行保护的保护部件8。作为保护部件8，能够使用具有与晶片2的直径大致相同的直径的圆形状的粘接带。而且，在晶片2的正面2a上粘贴而配设保护部件8。
[0032](分割起点形成工序)
[0033]在本实施方式中，在实施了保护部件配设工序之后，实施分割起点形成工序，在分割预定线4上形成分割的起点。
[0034本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，将由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：分割起点形成工序，在该分割预定线上形成分割的起点；保护部件配设工序，在该分割起点形成工序之前或之后配设对该晶片的正面进行保护的保护部件；背面磨削工序，将该保护部件侧保持于卡盘工作台并对该晶片的背面进行磨削而精加工成期望的厚度，并且在该分割预定线上形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；片配设工序，在该晶片的背面上配设能够伸缩的片，并且从该晶片的正面去除该保护部件；粘接液包覆工序，将具有流动性的粘接液包覆在该晶片的正面上；片伸缩工序，使通过该片配设工序配设的该片伸缩，以便扩展该分割槽的宽度而使该粘接液浸入至该分割槽并且缩小该分割槽的宽度而从该分割槽排出该粘接液；以及清洗工序，从该晶片的正面去除该...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：