发光二极体导线支架总成、其制造方法及该发光二极体技术

本发明专利技术公开一种发光二极体导线支架总成、其制造方法及该发光二极体。通过对应于各发光二极体基座的遮罩，将发光二极体的基座遮蔽部分，并以干式镀法在基座的环绕侧壁上镀上一层与导线支架不相接触的金属反射薄膜层，使得设置于基座中的晶粒在发光时，照射至环绕侧壁光束的反射率被大幅提高，以提升发光二极体的整体发光效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极体导线支架总成、其制造方法及该发光二极体。
技术介绍
由于发光二极体具有高耐震性、寿命长，同时耗电量少、发热度小等的优点，自I960年代商品化以后，发光二极体应用范围逐渐遍及生活中常见的各项用品，如家电制品、 各式仪器的指示灯及交通号志等。目前常见的SMT发光二极体构造如图1所示，除发光二极体晶粒86(以下发光二 极体晶粒简称为晶粒)与一组彼此不相互接触的导线支架32外，还具有一个以不透明塑料 等高分子材料射出成型、中央有丨凹穴62的基座6，以及用已封闭该等凹穴62的透光材料 88层；而该导线支架32有着位于凹穴62底部、可供与晶粒86电性连接的接触部322，以及 暴露于基座6外侧、可供以表面安装技术组装于电路板或其他元件、并与接触部322电性连 接的接脚324。当发光二极体在发光时，其产生的光能有部份朝向凹穴62旁的环绕侧壁622发 射，而不透明基座6的环绕侧壁622表面即使制作得再光滑平整，并以纯白色的塑胶材料射 出成型，其反射率仍然不佳，致使部分光能被该侧壁材质吸收，不仅转变为无用的热能、甚 至对于高亮度LED原本的高发热产生雪上加霜的问题。因此有一种制造方法，是在发光二极体封装前，利用反射效果较佳的金属，从凹穴 置入一只吻合环绕侧壁表面、同时避免接触导线支架的金属环。此种金属环虽然可大幅提 升光束的反射率，在流程上却无适当的附着点可供吸管吸附或机器手臂夹取以进行自动化 作业，必须以人工方式将既轻薄又体积小的金属环嵌入，既消耗人力成本且效率差。为避免上述光能的浪费、提升发光二极体组件的发光使用效能，如何在兼顾环保 与不大幅提升成本的前提下，使发光二极体组件能尽量朝同一方向发射光束、并能自动化 的量产该组件，将是各相关发光二极体的业者所致力研发的目标。
技术实现思路
因此，本专利技术的一目的，在于提供一种能集中发射光束且自动化生产的发光二极 体制造方法。本专利技术另一目的，在于提供一种能集中发射光束的发光二极体导线支架总成。本专利技术再一目的，在提供一种能集中发射光束的发光二极体。本专利技术又一目的，在于提供一种改良的发光二极体基座。所以本专利技术所揭露的一种发光二极体导线支架总成制造方法，包含下列步骤a) 将一片形成有至少两个发光二极体导线支架的导线支架基板置于一组模具中，其中各该导 线支架分别包括供至少一颗发光二极体晶粒电性连接的至少一对接触部、及供组装并电性 连接该等接触部的至少两个接脚；b)分别在对应该等导线支架位置处成型至少两个数目 对应的基座，其中该等基座分别具有一个形成有暴露该等接触部的凹穴的环绕侧壁；c)将该形成有至少两个基座的导线支架基板自模具中脱出；d)以一组遮罩遮蔽该等接触部，并使该等环绕侧壁由与该等接触部间隔一个预定深度处起被暴露；e)以干式镀法在该等环 绕侧壁暴露处形成一层金属反射薄膜层；及f)取走该组遮罩。而依上述方法制成的发光二极体导线支架总成，包含一片形成有至少两个发光 二极体导线支架的导线支架基板，其中各该导线支架分别包括至少两个供发光二极体晶粒 电性连接的接触部、及至少两个供组装并电性连接该等接触部的接脚；至少两个分别对应 成型在该等导线支架位置处、分别具有一个形成有暴露该等接触部的凹穴的平滑环绕侧壁 的基座；至少两个分别在各该凹穴的环绕侧壁暴露处成形的平滑金属反射薄膜层。其中，若在上述步骤中将基座稍作改良，则可制作一种发光二极体，包含一组包 括至少两个供发光二极体晶粒接触的接触部、及至少两个供组装并电性连接该等接触部的 接脚的发光二极体导线支架；一个基座，包括一个形成有暴露该等接触部的凹穴、并包括一 组与该等接触部间隔一个预定深度的梯级的环绕侧壁；及一层成形在该环绕侧壁梯级以上 部分的平滑金属反射薄膜层；至少一颗电性连接该等接触部的发光二极体晶粒；及一层封 闭该基座环绕侧壁及该发光二极体晶粒的透光材料层。承上所述，本专利技术将揭示不必依靠人力安装金属反射层而自动化生产的发光二极 体导线支架总成及其制造方法，有效提高凹穴的反射率。俾使该发光二极体导线支架总成 在供进一步加工成发光二极体后，能发射更集中的光束、提升发光使用效率。附图说明图1是常见的SMT发光二极体主要结构剖视图，为便于观看，其基座及透光材料不 予增绘剖面线；图2是导线支架总成制造方法第一实施例的流程图；图3是形成有基板与基座，但尚未镀上金属反射薄膜层的导线支架总成示意图；图4是基座遮罩的立体示意图；图5是接触部遮罩的立体示意图；图6是基座遮罩覆盖基座后的立体示意图；图7是绘示图3的尚未镀上金属反射薄膜层的导线支架总成被基座遮罩与接触部 遮罩遮蔽后的示意图，显示被曝露出的部分环绕侧壁；图8是第一实施例中，完成溅镀而拥有一层金属反射薄膜层发的光二极体导线支 架总成、及单一支架的立体示意图；图9是继图2实施例的发光二极体制作流程图；图10是图9实施例中，完成封装的发光二极体剖视示意图；图11是第二实施例的制造流程图；图12是图11实施例中，一组导线支架、一个有梯级的基座及一个散热元件的相对 关系俯视示意图；图13是图11实施例中，尚未置放晶粒与打线的有梯级的导线支架总成，其梯级支 撑遮罩的局部剖视放大示意图；图14是图11实施例中，完成的高功率发光二极体剖视示意图；附图标记说明1…流程图，111-119，111，-116，，120，-121，…步骤，2…发光二极体导线支架总成，22···深度处，26，26"…金属反射薄膜层，28"…散热元件，3…基板，32…导线支架， 322,322"…接触部，324…接脚，6，6〃…基座，62···凹穴，622，622 〃…环绕侧壁，624〃… 梯级，64···顶壁，76···外侧壁，7〃…遮罩，71···基座遮罩，72…接触部遮罩，8，8〃…发光二 极体，86，86〃…晶粒，88，88〃…透光材料。具体实施例方式有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考图式的较佳实 施例的详细说明中，将可清楚的呈现。为便于说明，以下将形成有至少两个发光二极体导线 支架的导线支架基板简称为基板。请参照图2，该流程图1依序揭示本专利技术的发光二极体导线支架总成的制造方法。 首先，步骤111是将一片基板(图未示)置于一组模具中。步骤112则在基板置放妥当后， 将塑胶等高分子材料射出成型至少两个分别在对应该等导线支架位置处的基座，其中每个 基座分别具有一个暴露该等接触部的凹穴，而该凹穴有一环绕侧壁。待模料固定成形后，进 入步骤113，将该形成有至少两个基座的基板自模具中脱出，则可得到如图3、被高分子材 料包覆的基板3，即尚未镀上金属反射层的导线支架总成。接着，进行步骤114将一组如图4所示的基座遮罩71与图5所示的接触部遮罩72， 一并参照图6、图7，分别置放于基座6顶部以遮蔽基座6顶壁64、外侧壁76与接脚324，以 及置放于环绕侧壁622间隔该等接触部322 —个预定深度处22以遮蔽凹穴62内的接触部 322。步骤115则以不经任何化学液体浸泡的干式镀法-本例中的干式镀法例释为溅 镀选定适当的金属如铝作为靶材，使被击打出的粒子在光滑平整的环绕侧壁暴露处形成 一层平滑的铝薄膜。再在步骤116取走遮罩，从而得到如图8所示已镀上铝膜作为金属反 射薄膜层26的发光二极体导线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极体导线支架总成制造方法，其特征在于，该方法包含下列步骤：ａ）将一片形成有至少两个发光二极体导线支架的导线支架基板置于一组模具中，其中各该导线支架分别包括供至少一颗发光二极体晶粒电性连接的至少一对接触部、及供组装并电性连接该等接触部的至少两个接脚；ｂ）分别于对应该等导线支架位置处成型至少两个数目对应的基座，其中该等基座分别具有一个形成有暴露该等接触部的凹穴的环绕侧壁；ｃ）将该形成有至少两个基座的导线支架基板自模具中脱出；ｄ）以一组遮罩遮蔽该等接触部，并使该等环绕侧壁由与该等接触部间隔一个预定深度处起被暴露；ｅ）以干式镀法在该等环绕侧壁暴露处形成一层金属反射薄膜层；及ｆ）取走该组遮罩。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭文发，徐百祥，
申请(专利权)人：全谥精密有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]