一种复合基材及其制备方法与电路板技术

本发明专利技术涉及一种复合基材及其制备方法与电路板，所述复合基材包括基底层和设置于所述基底层至少一个面上的第一电阻层；所述第一电阻层的厚度满足如下关系式：d＝1.2/R+K，其中，d为第一电阻层的厚度，R为方阻，K的取值范围为

【技术实现步骤摘要】
一种复合基材及其制备方法与电路板


[0001]本专利技术薄膜器件
，涉及一种复合基材及其制备方法与电路板。

技术介绍

[0002]复合基材是一种制备埋阻元件的常用原材料。然而，在现有技术中，制备特定阻值的复合基材阻值稳定性差，往往需要停止正在运行的制备工序，并直接对该工序段的产品进行阻值测量，看制备的复合基材是否达到了预期的阻值。当没有达到预期的阻值时，则对复合基材继续加工，直至达到预期阻值。但上述的制备过程的不确定因素很大，往往继续加工容易导致电阻层的阻值与标准值产生较大偏差，导致产品的最终报废。此外，常规的制备为了获得理想阻值的复合基材，需要不间断的停工检测，这一过程也导致工作效率的降低，造成资源的浪费。因此，亟需提供能够减少制备过程中检测电阻工序的复合基材。

技术实现思路

[0003]鉴于现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种复合基材及其制备方法与电路板，通过限定复合基材中第一电阻层中的电阻率ρ和厚度的关系，进而制备出具有理想电阻值R的复合基材，所获得的复合基材具有性能稳定、简化了制备过程，提高了生产效率。
[0004]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种复合基材，所述复合基材包括基底层和设置于所述基底层至少一个面上的第一电阻层；
[0006]所述第一电阻层的厚度满足如下关系式：
[0007]d＝1.2/R+K
[0008]其中，d为第一电阻层的厚度；R为方阻；K的取值范围为
‑
0.3～3；1.2的单位为μΩ
·
m。
[0009]优选地，d的取值范围为5nm～3μm。
[0010]优选地，所述R的取值范围为5～100Ω。
[0011]优选地，所述第一电阻层的材料包括NiCrSi、NiCrAlSi、NiP、NiCr、AlN、TiN、Pt、Cr、Cr
‑
SiO、Cr
‑
Si、Ti
‑
Si、Ti
‑
W、TaN、Mo或Ni
‑
Sn中的任意一种或至少两种的组合。
[0012]优选地，所述复合基材还包括设置于所述第一电阻层远离所述基底层一侧表面的膜层。
[0013]优选地，所述膜层的材料包括聚苯乙烯系热塑性树脂、乙酸乙烯酯类热塑性树脂、聚酯类热塑性树脂、聚乙烯类热塑性树脂、聚酰胺类热塑性树脂、橡胶类热塑性树脂、丙烯酸酯类热塑性树脂、酚醛类热固性树脂、环氧类热固性树脂、热塑性聚酰亚胺热固性树脂、氨基甲酸酯类热固性树脂、三聚氰胺类热固性树脂、醇酸类热固性树脂或ABF树脂中的任意一种或至少两种的组合。
[0014]优选地，所述膜层远离第一电阻层的一侧表面设置有导电层。
[0015]优选地，所述导电层包括单层或多层。
[0016]优选地，所述导电层的材料为含有铜、铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、银或金中的至少一种的箔材。
[0017]优选地，所述导电层的厚度为8μm～35μm。
[0018]优选地，所述膜层和导电层之间设置第二电阻层。
[0019]优选地，所述第二电阻层的厚度为5nm～3μm。
[0020]第二方面，本专利技术提供了一种根据第一方面所述复合基材的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0021]步骤一：设定复合基材层中第一电阻层的电阻值R；
[0022]步骤二：根据步骤一设定的电阻值R并根据公式d＝1.2/R+K，计算第一电阻层的厚度d：
[0023]步骤三：对基底层的表面进行表面处理；
[0024]步骤四：将步骤三中所述的基底层表面形成第一电阻层，制备得复合基材。
[0025]优选地，形成第一电阻层的方式包括电镀、化学镀、物理气相沉积或化学气相沉积中的任意一种或至少两种的组合。优选地，设置第一电阻层后还包括：设置第一电阻层远离所述基底层的一侧表面上的膜层。
[0026]优选地，设置所述膜层后还包括：设置所述膜层远离所述第一电阻层的一侧表面上的第二电阻层。
[0027]优选地，设置所述第二电阻层后还包括：设置所述第二电阻层远离所述膜层的一侧表面上的导电层。
[0028]第三方面，本专利技术提供了一种电路板，所述电路板包括如第一方面所述的复合基材。
[0029]由以上技术方案，本专利技术的有益效果如下：
[0030]本专利技术通过设计片状层叠式的复合基材，并控制电阻层的电阻率ρ、阻值R和电阻层的厚度d满足一定的线性关系式，使得满足该方程式的复合基材具有良好的阻值稳定性，并且利用本专利技术公开的方法制备复合基材具有工艺流程简单，简化了制备工艺，提高了复合基材的生产效率。
附图说明
[0031]图1是实施例1所述复合基材的结构示意图。
[0032]图2是实施例2所述复合基材的结构示意图。
[0033]图3是实施例3所述复合基材的结构示意图。
[0034]图4是实施例4所述复合基材的结构示意图。
[0035]其中：
[0036]1‑
基底层，2
‑
第一电阻层，3
‑
膜层，4
‑
第二电阻层，5
‑
导电层，6
‑
第一导电层，7
‑
第二导电层。
具体实施方式
[0037]下面通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。但下述的实例仅仅是本专利技术的简易例子，并不代表或限制本专利技术的权利保护范围，本专利技术的保护范围以权利要求
书为准。
[0038]经过大量的数据测试，研究人员发现制备的复合基材的电阻值R、电阻率ρ和厚度有一定的线性关系。在维持上述线性关系条件下所获得复合基材具有较为稳定的方阻，并且简化了制备工艺过程，提高了生产的效率。
[0039]根据本专利技术的一个方面，提供了一种复合基材，所述复合基材包括基底层和设置于所述基底层至少一个面上的第一电阻层；
[0040]所述第一电阻层的厚度满足如下关系式：
[0041]d＝1.2/R+K
[0042]其中，d为第一电阻层的厚度，R为方阻，1.2的单位为μΩ
·
m，K的取值范围为
‑
0.3～3，例如可以是
‑
0.3、0、1、2或3，或上述任意两个数值之间组成的范围。
[0043]本专利技术发现在一定范围内电阻层的厚度与其电阻值具有一定的线性相关性，可通过d＝1.2/R+K来调控电阻层的厚度。为了获得具有确定电阻值的电阻层，在实际制备电阻层的过程中需要不断的调整电阻层的厚度，例如每当溅射获得一定厚度的电阻层时，就需检测其电阻值是否达到所需要求，反复多次停止溅射与检测电阻值，直至电阻层达到目标电阻值，从而降低了生产效率。然而，通过d＝1.2/R+K关系式，则可一次性获得所需电阻值的电阻层，无需在制备过程中反复检测，节省了生产时间，提高了生产效率。
[0044]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合基材，其特征在于，所述复合基材包括基底层和设置于所述基底层至少一个面上的第一电阻层；所述第一电阻层的厚度满足如下关系式：d＝1.2/R+K其中，d为第一电阻层的厚度，R为方阻，K的取值范围为
‑
0.3～3。2.根据权利要求1所述的复合基材，其特征在于，所述d的取值范围为5nm～3μm；优选地，所述R的取值范围为5～100Ω。3.根据权利要求1或2所述的复合基材，其特征在于，所述第一电阻层的材料包括NiCrSi、NiCrAlSi、NiP、NiCr、AlN、TiN、Pt、Cr、Cr
‑
SiO、Cr
‑
Si、Ti
‑
Si、Ti
‑
W、TaN、Mo或Ni
‑
Sn中的任意一种或至少两种的组合。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的复合基材，其特征在于，所述复合基材还包括设置于所述第一电阻层远离所述基底层一侧表面的膜层；优选地，所述膜层的厚度为0.5～100μm。5.根据权利要求4所述的复合基材，其特征在于，所述膜层远离第一电阻层的一侧表面设置有导电层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冬梅，张美娟，
申请(专利权)人：珠海达创电子有限公司，
类型：发明
国别省市：