磁性存储单元、存储器及制造方法技术

本申请实施例提供一种磁性存储单元、存储器及制造方法，该磁性存储单元包括：电极层；设于电极层上的磁性隧道结，磁性隧道结包括沿垂直方向顺序堆叠的自由层、势垒层以及参考层；以及与自由层在水平方向上相邻的应力诱导层。应力诱导层包括杨氏模量不同的第一结构和第二结构。通过将第一结构设于自由层的两侧，将第二结构设于自由层的与第一结构的设置方向垂直的两侧，来提供磁性存储单元的磁各向异性，能在降低自由层尺寸的同时，维持磁性存储单元的热稳定性和数据保持能力，实现大幅降低磁性存储单元的能耗。磁性存储单元的能耗。磁性存储单元的能耗。磁性存储单元的能耗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：向清懿，叶力，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：