准分子灯及该准分子灯的制造方法技术

本发明专利技术的目的是在于提供可抑制焊料的劣化的准分子灯及该准分子灯的制造方法。该准分子灯，隔着放电容器的密闭空间相对地形成一对电极；并且各个电极与将电力供应于各个电极所用的引线通过焊料固定。本发明专利技术的准分子灯，是在由介质材料所构成的放电容器内部形成的密闭空间中封入有放电用气体，隔着上述密闭空间、在上述放电容器的外表面形成包含金属薄膜的一对电极，用于馈电给各个电极的各个引线由焊料与各个电极电连接，该准分子灯其特征为：在上述焊料的周围形成有保护膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及准分子灯及准分子灯的制造方法。尤其是，涉及在半导 体基板或液晶基板等的制造工序中，被利用于半导体基板或液晶基板的洗 净等的。
技术介绍
在最近的半导体基板或是液晶基板等的制造工序中，作为除 去附着于半导体基板的硅片或液晶基板的玻璃基板的表面的有机化合物等 的污垢的方法，广泛地被利用着利用紫外线的干式洗净方法。尤其是在使 用从准分子灯所放射的真空紫外光的臭氧或活性氧气的洗净方法中，有更 有效率且在短时间加以洗净的各种洗净装置被提案，例如，公知的有专利文献l (日本特开2000-260396号)。专利文献1所示的紫外线照射处理装置是准分子灯多个连设在被处理 体的运送方向，而构成准分子照射面对于被处理体成为一定距离， 一面向 所定方向运送被处理体， 一面点灯驱动各个准分子灯，由将从各个准分子 灯所放射的准分子光照射到被处理体的表面，来干式洗净被处理体的表面。 依照表示于同文献的紫外线照射处理装置，由氧气使得准分子光被吸收而 为了抑制准分子光的衰减，在将被处理体配置在距准分子照射面8mm以内 的状态下，将准分子光照射在被处理体的表面。可是，现有的准分子灯是具备如专利文献2(日本特开2004-342369号) 所示的馈电构造。图8是表示现有的准分子灯的馈电结构的概略图。表示于同图的准分子灯A是具备在被形成于介质材料所成的长方体 形状的放电容器B的内部的密闭空间S封入有生成准分子的气体，并且设 置于隔着放电容器B的密闭空间S相对的位置的一对电极C、 D。各个电 极C、 D是由真空蒸镀镍或铬等的金属薄膜所形成， 一方的电极D是为了 取出紫外线，在除了附设引线的端部以外形成网目状。在电极D的端部， 由使用焊料F焊接有解开成为露出的多条芯线的状态的引线E的芯线部Ea。专利文献1:日本特开2000-260396号； 专利文献2:日本特开2004-342369号。
技术实现思路
在专利文献1的紫外线照射处理装置中，因以下的理由，判明了通过 氧化焊料F，该焊料F固定有在图8示出的准分子灯A的电极D与引线E 的芯线部Ea，存在降低两者的连接部的机械性强度的可能。S卩，可能从准 分子灯A所放射的紫外线吸收在准分子灯周围存在的氧气而在准分子灯的 周围产成臭氧，并由生成的臭氧氧化焊料F的表面，由此导致焊料F劣化。 这样，当固定有电极与引线的焊料劣化时，则在用来进行下一洗净的被处 理体被运送为止的期间，熄灭准分子灯而待机时，或是点灯驱动准分子灯 来进行被处理体的洗净时等因焊料破损而引线从电极离开，由此，欲对被 处理体照射紫外线时无法点亮准分子灯，或是对被处理体照射紫外线时产 生突然熄掉准分子灯的不方便。如上所述，本专利技术的目的是在于提供可抑制焊料的劣化的准分子灯及 该准分子灯的制造方法，该准分子灯为在由介质材料所构成的放电容器内 部形成的密闭空间中封入有放电用气体，隔着放电容器的密闭空间相对地 形成一对电极、并且由焊料固定着各个电极与将电力供应于各个电极所用 的引线。本专利技术的准分子灯，在由介质材料所构成的放电容器内部形成的密闭 空间中封入有放电用气体，隔着所述密闭空间、在所述放电容器的外表面 形成由金属薄膜构成的一对电极，且用于馈电给各个电极的各个引线通过 焊料与各个电极被电连接，该准分子灯其特征在于，在所述焊料的周围形 成有保护膜。另外，其特征为在上述引线连接有板状馈电端子，该馈电端子与上述 电极通过上述焊料来进行连接。另外，其特征为在上述馈电端子的周围形成有上述保护膜。另外，其特征为上述保护膜包含二氧化硅(silica)。另外，其特征为上述保护膜为涂敷聚硅氮垸(polysilazane)溶液，并通过转化成二氧化硅来形成。另外，其特征是上述电极为连接有上述引线的部位与其以外的部位分开，并且连接有该引线的部位与其他以外的部位通过导电性膏(paste)被性连接，在该导电性膏的周围形成有上述保护膜。另外，本专利技术的准分子灯的制造方法，是在由介质材料所构成的放电 容器内部形成的密闭空间中封入有放电用气体，隔着上述密闭空间、在上 述放电容器的外表面形成由金属薄膜构成的一对电极，用于馈电给各个电极的各个引线通过焊料与各个电极电连接的，其特征为具备以下制造工 序1. 在放电容器的外表面形成由金属薄膜所构成的电极的制造工序，2. 在l的制造工序之后，通过加热熔融焊料，并外部电极与引线由焊 料电连接的制造工序，3. 在2的制造工序之后，在焊料的周围涂敷聚硅氮垸溶液，并使之干燥，而在焊料的周围形成保护膜的工序。根据本专利技术的准分子灯，隔着放电容器的密闭空间而相对形成一对电 极，并且通过焊料来固定各个电极与用于将电力供应于各个电极的各个引 线，在焊料的周围形成有保护膜，因此能可靠地可防止由产生在准分子灯 的周围的臭氧把焊料氧化而劣化。所以， 一直到下一被处理体被运送为止 的等待期间或在点灯驱动放电灯时，焊料不会破损，引线不会从电极离开， 因此，欲点亮准分子灯时能够可靠地可点亮，又能可靠地可防止在对被处 理体照射紫外线来洗净被处理体的期间突然地熄灭准分子灯。另外，在上述引线连接有馈电端子，而馈电端子与上述电极通过上述 焊料固定，因此可将馈电端子与外部电极的连接成更牢固。另外，在上述馈电端子的周围形成有上述保护膜，因此能够可靠地防 止由臭氧使馈电端子劣化。另外，上述保护膜包含二氧化硅，因此可更可靠地防止焊料的劣化。另外，上述保护膜通过涂敷并干燥聚硅氮烷溶液来形成，因此不必进 行高温的加热处理可形成保护膜。所以，通过焊料不会熔融程度的温度的 热处理可形成保护膜，因此具有避免焊料朝固定部以外的部位流动，或是 避免金属电极分散于焊料中而剥落的优点。6另外，上述电极为连接有上述引线的部位与其以外的部位离开，并 且连接有该引线的部位与其以外的部位通过导电性膏来电连接，而在该导 电性膏的周围形成有上述保护膜。因此，不会有电连接引线的部位与其以 外的部位的导电性膏被臭氧劣化可能。还有，根据上述的本专利技术的制造方法，通过使用聚硅氮烷溶液，并以 焊料不会熔解程度的温度进行热处理，可在焊料的周围容易形成包含二氧 化硅的保护膜，因此不会损及焊接部的可靠性、来形成二氧化硅膜，而具 有可提高焊接部的耐久性的优点。附图说明图1是表示本专利技术的准分子灯的整体结构的立体图。 图2是表示本专利技术的准分子灯的主要部分放大截面图。图3 (a)至图3 (d)是表示说明本专利技术的准分子灯的制造方法的概念图。图4是表示具备本专利技术的准分子灯的紫外线照射处理装置的结构概略的概念图。图5是表示本专利技术的准分子灯的其他实施方式的主要部分放大截面图。 图6是表示本专利技术的准分子灯的其他实施方式的主要部分放大截面图。 图7是表示本专利技术的准分子灯的其他实施方式的主要部分放大截面图。 图8是表示公知的准分子灯的结构的概略截面图。 附图标号说明100: 准分于灯1: 放电容器3: 电极3a: 引线固定部3b: 放电形成部4: 电极 11， 12:平坦壁13: 弯曲部14: 馈电装置15， 16:引线15a:芯线15b:被覆部17:焊料18:保护膜19:套管20:馈电端子21:导电性膏具体实施例方式图1是表示本专利技术的准分子灯的整体结构的立体图。图2是表示扩大 本专利技术的准分子灯的电极与引线的连接部的截面图。在图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准分子灯，在由介质材料所构成的放电容器内部形成的密闭空间中封入有放电用气体，隔着所述密闭空间、在所述放电容器的外表面形成由金属薄膜构成的一对电极，且用于馈电给各个电极的各个引线通过焊料与各个电极被电连接，该准分子灯其特征在于，　在 所述焊料的周围形成有保护膜。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤真一，冈本敏之，竹添法隆，
申请(专利权)人：优志旺电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]