阵列基板和显示设备制造技术

提供一种阵列基板。该阵列基板包括跨过多个子像素区域和子像素间区域延伸的阴极层。阴极层包括分别在所述子像素间区域的多个第一区域中的多个第一环结构，所述多个第一区域中的相应第一区域围绕所述多个子像素区域中的相应子像素区域。多个第一环结构中的各个第一环结构向远离基底基板的方向突出，从而形成脊。脊。脊。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板和显示设备


[0001]本专利技术涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板和显示设备。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光器件，并且不需要背光。与传统的液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的颜色和更大的色域。此外，OLED显示设备可以比典型的LCD更具柔性、更薄、更轻。
[0003]OLED显示设备通常包括阳极、包括有机发光层的有机层和阴极。OLED可以是底部发射型OLED或顶部发射型OLED。在底部发射型OLED中，光从阳极侧提取。在底部发射型OLED中，阳极通常是透明的，而阴极通常是反射性的。在顶部发射型OLED中，光从阴极侧被提取。阴极是光学透明的，而阳极是反射性的。

技术实现思路

[0004]在一个方面，本公开提供了一种阵列基板，包括跨过多个子像素区域和子像素间区域延伸的阴极层；其中，所述阴极层包括分别在所述子像素间区域的多个第一区域中的多个第一环结构，所述多个第一区域中的相应第一区域围绕所述多个子像素区域中的相应子像素区域；以及所述多个第一环结构中的各个第一环结构向远离基底基板的方向突出，从而形成脊。
[0005]可选地，阴极层还包括分别位于所述多个子像素区域中的多个第一部分；以及其中，所述各个第一环结构相对于所述基底基板的表面的第一高度大于所述多个第一部分中的各个第一部分相对于所述基底基板的所述表面的第二高度。
[0006]可选地，阴极层形成在所述子像素间区域中的第一凹槽。
[0007]可选地，阴极层还包括位于所述子像素间区域的第二区域中的第二部分，所述第二部分是所述第一凹槽的底部。
[0008]可选地，各个第一环结构相对于所述基底基板的表面的第一高度大于所述第二部分相对于所述基底基板的所述表面的第三高度。
[0009]可选地，阴极层还包括分别在所述多个子像素区域中的多个第一部分；以及其中，所述多个第一部分中的各个第一部分相对于所述基底基板的表面的第二高度大于所述第二部分相对于所述基底基板的所述表面的第三高度。
[0010]可选地，第二部分为在所述多个子像素区域的相邻子像素区域之间在所述子像素间区域中的整个第二区域中延伸的整体部分。
[0011]可选地，第二部分向远离所述基底基板的方向突出。
[0012]可选地，阴极层还包括分别在所述子像素间区域的多个第三区域中的多个第二环结构，所述多个第三区域中的相应第三区域围绕相应第一区域；以及其中，所述多个第二环结构中的相应第二环结构连接到所述相应第一环结构。
[0013]可选地，阴极层在所述子像素间区域中形成第一凹槽；以及所述多个第二环结构
的部分形成所述第一凹槽的侧壁。
[0014]可选地，各个第一环结构相对于所述基底基板的表面的第一高度大于各个第二环结构相对于所述基底基板的所述表面的第四高度。
[0015]可选地，阴极层还包括在所述子像素间区域的第二区域中的第二部分，所述第二部分是所述第一凹槽的底部；以及各个第二环结构是将所述相应第一环结构连接到所述第二部分的台阶。
[0016]可选地，所述阵列基板还包括像素限定层；其中，所述像素限定层包括彼此间隔开的多个第三环结构；以及所述多个第三环结构中的各个第三环结构限定相应子像素区域。
[0017]可选地，各个第三环结构在所述基底基板上的正投影与相应第一环结构在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠，并且与相应第二环结构在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
[0018]可选地，所述阵列基板还包括位于所述像素限定层的更靠近所述基底基板的一侧的平坦化层；其中，各个第三环结构包括第一子环结构和第二子环结构，所述第一子环结构与所述第二子环结构连接；所述第一子环结构不与所述平坦化层接触并且位于相应阳极远离所述平坦化层的一侧；以及所述第二子环结构至少部分地与所述平坦化层接触。
[0019]可选地，第一子环结构在所述基底基板上的正投影与相应第一环结构在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
[0020]可选地，阴极层还包括分别在所述子像素间区域的多个第三区域中的多个第二环结构，所述多个第三区域中的相应第三区域围绕相应第一区域；以及所述第二子环结构在所述基底基板上的正投影与相应第二环结构在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
[0021]可选地，所述阵列基板还包括位于所述阴极层更靠近所述基底基板的一侧的平坦化层；其中，所述阵列基板还包括位于所述子像素间区域中并部分地延伸到所述平坦化层中的第二凹槽；以及像素限定层至少部分不存在于第二凹槽中。
[0022]可选地，在沿着垂直于所述基底基板的表面的平面的截面中，所述阴极层具有在两个相邻子像素区域之间的结构，该结构首先向远离所述基底基板的方向突出，形成第一脊，然后逐步降低到第一中间台阶，然后进一步逐步降低到第一凹槽的基底，然后逐步升高到第二中间台阶，然后进一步逐步升高并向远离所述基底基板的方向突出，形成第二脊。
[0023]在另一方面，本公开提供一种显示设备，包括本文所述的阵列基板和连接至该阵列基板的集成电路。
附图说明
[0024]根据各种公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的的示例，并且不旨在限制本专利技术的范围。
[0025]图1是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的平面图。
[0026]图2是沿图1中A
‑
A
’
线的截面图。
[0027]图3是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的两个相邻子像素区域的截面图。
[0028]图4示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的阴极层的结构。
[0029]图5是根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的阴极层的平面图。
[0030]图6是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的两个相邻子像素区域的截面图。
[0031]图7是根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的像素限定层的平面图。
[0032]图8是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的两个相邻子像素区域的截面图。
[0033]图9示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的有机层的结构。
[0034]图10是根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的有机层的平面图。
[0035]图11是示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的有机层的结构的示意图。
[0036]图12是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的两个相邻子像素区域的截面图。
具体实施方式
[0037]现在将参考以下实施例更具体地描述本公开。应当注意，本文中呈现的一些实施例的以下描述仅用于说明和描述的目的。其不是穷举的或限于所公开的精确形式。
[0038]本公开尤其提供了一种阵列基板和显示设备，其基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。在一个方面，本公开提供了一种阵列基板。在一些实施例中，阵列基板包括跨过多个子像素区域和子像素间区域延伸的阴极层。可选地，阴极层包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板，包括跨过多个子像素区域和子像素间区域延伸的阴极层；其中，所述阴极层包括分别在所述子像素间区域的多个第一区域中的多个第一环结构，所述多个第一区域中的相应第一区域围绕所述多个子像素区域中的相应子像素区域；以及所述多个第一环结构中的各个第一环结构向远离基底基板的方向突出，从而形成脊。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述阴极层还包括分别位于所述多个子像素区域中的多个第一部分；以及其中，所述各个第一环结构相对于所述基底基板的表面的第一高度大于所述多个第一部分中的各个第一部分相对于所述基底基板的所述表面的第二高度。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述阴极层在所述子像素间区域中形成第一凹槽。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述阴极层还包括位于所述子像素间区域的第二区域中的第二部分，所述第二部分是所述第一凹槽的底部。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述各个第一环结构相对于所述基底基板的表面的第一高度大于所述第二部分相对于所述基底基板的所述表面的第三高度。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述阴极层还包括分别在所述多个子像素区域中的多个第一部分；以及其中，所述多个第一部分中的各个第一部分相对于所述基底基板的表面的第二高度大于所述第二部分相对于所述基底基板的所述表面的第三高度。7.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述第二部分为在所述多个子像素区域的相邻子像素区域之间在所述子像素间区域中的整个第二区域中延伸的整体部分。8.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述第二部分向远离所述基底基板的方向突出。9.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板，其中，所述阴极层还包括分别在所述子像素间区域的多个第三区域中的多个第二环结构，所述多个第三区域中的相应第三区域围绕相应第一区域；以及其中，所述多个第二环结构中的相应第二环结构连接到所述相应第一环结构。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述阴极层在所述子像素间区域中形成第一凹槽；以及所述多个第二环结构的部分形成所述第一凹槽的侧壁。11.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，各个第一环结构相对于所述基底基板的表面的第一高度大于各个第二环结构相对于所述基底基板的所述表面的第四高度。12.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述阴极层还包括在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗顺，张大成，黄冠达，陶雄，何云川，杨超，
申请(专利权)人：云南创视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：