一种岩石层去硅质反演的方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种岩石层去硅质反演的方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：对目标岩层的岩性进行分类分析，并根据分类分析结果合成岩层阻抗趋势特性；基于预设的统计分析算法，根据所述岩层阻抗趋势特性与样本数据构建硅质阻抗模型；将所述硅质阻抗模型作为约束条件，对目标岩层进行地质统计学反演得到储层残差阻抗体。本发明专利技术提供的一种岩石层去硅质反演的方法、装置、设备及存储介质，通过对目标岩层的岩性进行分类分析，得到合成岩层阻抗趋势特性，然后通过合成的岩层阻抗趋势特性进行统计分析构建硅质阻抗模型，然后进行地质统计学反演，实现了在反演过程中剔除硅质层对储层反演的影响，从而提高了地质统计学反演的精度。从而提高了地质统计学反演的精度。从而提高了地质统计学反演的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种岩石层去硅质反演的方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及地质反演
，尤其涉及一种岩石层去硅质反演的方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着油气勘探的进程，叠后反演得到了快速的发展，已经形成了多种反演方法，如相对波阻抗反演、稀疏脉冲反演、基于模型反演等，但受各种因素的限制，如地震频宽、模型质量约束、井插值的随机性等，已无法满足深、薄且致密等复杂特征下的储层预测需求。
[0003]现有技术提出了将传统的地质统计学技术与地震反演技术相结合的地质统计学反演方法是充分利用地质、地震和测井信息，以测井信息来把控纵向高分辨率，以地震信息来把控横向高分辨的地质统计学反演方法，现有技术提出的方法目前已实现了对深、薄储层物性及岩性的高精度反演。
[0004]但是，对于高石梯
‑
磨溪区块高石1井区震旦系灯影组灯四段储层而言，其储层不仅具有埋藏深，发育薄而致密，分布不均匀的特征，同时还存在有与储层具有类似地球物理响应特征的硅质层，导致常规的反演方法反演精度低，且是目前该地区地球物理储层预测多解性的重要来源。地质统计学反演虽能够在一定程度上提高薄储层的识别精度，但无法剔除硅质层对储层反演的影响。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，有必要提供一种岩石层去硅质反演的方法、装置、设备及存储介质，用以解决现有技术中地质统计学反演无法剔除硅质层对储层反演的影响，导致反演精度低的问题。
[0006]为达到上述技术目的，本专利技术采取了以下技术方案：/>[0007]第一方面，本专利技术提供了一种岩石层去硅质反演的方法，包括：
[0008]对目标岩层的岩性进行分类分析，并根据分类分析结果合成岩层阻抗趋势特性；
[0009]基于预设的统计分析算法，根据岩层阻抗趋势特性与样本数据构建硅质阻抗模型；
[0010]将硅质阻抗模型作为约束条件，对目标岩层进行地质统计学反演得到储层残差阻抗体。
[0011]在一些可能的实现方式中，对目标岩层的岩性进行分类分析，并根据分类分析结果合成岩层阻抗趋势特性，包括：
[0012]基于预设标准，对目标岩层的地质条件和测井的曲线特征进行分类分析的带目标岩层的储层、致密层和硅质层；
[0013]根据储层、致密层和硅质层的阻抗特性进行处理，合成阻抗趋势特性。
[0014]在一些可能的实现方式中，根据储层、致密层和硅质层的阻抗特性进行处理，合成阻抗趋势特性，包括：
[0015]对致密层和硅质层进行分析得到致密层阻抗和硅质层阻抗；
[0016]采用致密层阻抗和硅质层阻抗替换储层阻抗；
[0017]反向去除替换后的储层阻抗，保留致密层阻抗和硅质层阻抗的值，得到合成的阻抗趋势特性。
[0018]在一些可能的实现方式中，基于预设的统计分析算法，根据岩层阻抗特性与样本数据构建硅质阻抗模型，包括：
[0019]通过预设的统计分析算法确定合成的阻抗趋势特性与样本的硅质含量曲线的共性结构；
[0020]根据共性结构构建目标岩层的硅质阻抗模型。
[0021]在一些可能的实现方式中，将硅质阻抗模型作为约束条件，对目标岩层进行地质统计学反演得到储层残差阻抗体，包括：
[0022]以硅质阻抗模型作为约束条件对目标岩层进行地质统计学反演得到变差函数；
[0023]通过变差函数对目标岩层的结构及尺度进行约束，得到概率分布函数；
[0024]基于概率分布函数进行随机反演得到储层残差阻抗体。
[0025]在一些可能的实现方式中，以硅质阻抗模型作为约束条件对目标岩层进行地质统计学反演得到变差函数，包括：
[0026]以硅质阻抗模型作为约束条件对目标岩层进行地质统计学反演分别获取目标岩层的变差函数和阻抗的变差函数。
[0027]在一些可能的实现方式中，通过变差函数对目标岩层的结构及尺度进行约束，得到概率分布函数，包括：
[0028]基于阻抗的变差函数，根据预设算法生成概率分布函数。
[0029]第二方面，本专利技术还提供了一种岩石层去硅质反演的装置，包括：
[0030]合成模块，用于对目标岩层的岩性进行分类分析，并根据分类分析结果合成岩层阻抗趋势特性；
[0031]建模模块，用于基于预设的统计分析算法，根据岩层阻抗趋势特性与样本数据构建硅质阻抗模型；
[0032]反演模块，用于将硅质阻抗模型作为约束条件，对目标岩层进行地质统计学反演得到储层残差阻抗体。
[0033]第三方面，本专利技术还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，其中，
[0034]存储器，用于存储程序；
[0035]处理器，与存储器耦合，用于执行存储器中存储的程序，以实现上述任一种实现方式中的岩石层去硅质反演的方法中的步骤。
[0036]第四方面，本专利技术还提供了一种计算机可读存储介质，用于存储计算机可读取的程序或指令，程序或指令被处理器执行时，能够实现上述任一种实现方式中的岩石层去硅质反演的方法中的步骤。
[0037]采用上述实施例的有益效果是：本专利技术涉及一种岩石层去硅质反演的方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：对目标岩层的岩性进行分类分析，并根据分类分析结果合成岩层阻抗趋势特性；基于预设的统计分析算法，根据所述岩层阻抗趋势特性与样本数据构建硅质阻抗模型；将所述硅质阻抗模型作为约束条件，对目标岩层进行地质统计学反演得
到储层残差阻抗体。本专利技术提供的一种岩石层去硅质反演的方法、装置、设备及存储介质，通过对目标岩层的岩性进行分类分析，得到合成岩层阻抗趋势特性，然后通过合成的岩层阻抗趋势特性进行统计分析构建硅质阻抗模型，再将硅质阻抗模型作为约束条件进行地质统计学反演，实现了在反演过程中剔除硅质层对储层反演的影响，从而提高了地质统计学反演的精度。
附图说明
[0038]图1为本专利技术提供的岩石层去硅质反演的方法的一实施例的流程示意图；
[0039]图2为本专利技术提供的合成阻抗趋势特性的一实施例的流程示意图；
[0040]图3为本专利技术提供的地质统计学反演的一实施例的流程示意图；
[0041]图4为本专利技术提供的岩石层去硅质反演的装置的一实施例的结构示意图；
[0042]图5为本专利技术实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0043]下面结合附图来具体描述本专利技术的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本专利技术的实施例一起用于阐释本专利技术的原理，并非用于限定本专利技术的范围。
[0044]在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0045]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其他本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种岩石层去硅质反演的方法，其特征在于，包括：对目标岩层的岩性进行分类分析，并根据分类分析结果合成岩层阻抗趋势特性；基于预设的统计分析算法，根据所述岩层阻抗趋势特性与样本数据构建硅质阻抗模型；将所述硅质阻抗模型作为约束条件，对目标岩层进行地质统计学反演得到储层残差阻抗体。2.根据权利要求1所述的岩石层去硅质反演的方法，其特征在于，所述对目标岩层的岩性进行分类分析，并根据分类分析结果合成岩层阻抗趋势特性，包括：基于预设标准，对目标岩层的地质条件和测井的曲线特征进行分类分析的带目标岩层的储层、致密层和硅质层；根据储层、致密层和硅质层的阻抗特性进行处理，合成阻抗趋势特性。3.根据权利要求2所述的岩石层去硅质反演的方法，其特征在于，所述根据储层、致密层和硅质层的阻抗特性进行处理，合成阻抗趋势特性，包括：对所述致密层和所述硅质层进行分析得到致密层阻抗和硅质层阻抗；采用所述致密层阻抗和所述硅质层阻抗替换储层阻抗；反向去除替换后的储层阻抗，保留致密层阻抗和硅质层阻抗的值，得到合成的阻抗趋势特性。4.根据权利要求1所述的岩石层去硅质反演的方法，其特征在于，所述基于预设的统计分析算法，根据所述岩层阻抗趋势特性与样本数据构建硅质阻抗模型，包括：通过预设的统计分析算法确定合成的所述阻抗趋势特性与样本的硅质含量曲线的共性结构；根据所述共性结构构建目标岩层的硅质阻抗模型。5.根据权利要求2所述的岩石层去硅质反演的方法，其特征在于，所述将所述硅质阻抗模型作为约束条件，对目标岩层进行地质统计学反演得到储层残差阻抗体，包括：以所述硅质阻抗模型作为...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱正平，周自强，
申请(专利权)人：长江大学，
类型：发明
国别省市：