Si-SiC类复合结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够提高Si

【技术实现步骤摘要】
Si
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SiC类复合结构体的制造方法


[0001]本专利技术涉及Si
‑
SiC类复合结构体的制造方法。

技术介绍

[0002]Si
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SiC类复合材料具有优异的导热率，期待将其用于各种工业产品。作为这种由Si
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SiC类复合材料形成的结构体(以下设为Si
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SiC类复合结构体。)的制造方法，例如提出了如下技术方案：在将含有Si的含浸金属供给体载置于含有SiC的被含浸体上之后，加热至1200℃以上1600℃以下，由此使得含有Si的熔融金属含浸于被含浸体(参照专利文献1)。
[0003]然而，关于这种技术，由于在含浸金属供给体的整个下表面与被含浸体接触的状态下实施含浸工序，因此，有时含浸金属供给体附着(粘附)于被含浸体。若含浸金属供给体附着(粘附)于被含浸体，则Si
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SiC类复合材料的质量、尺寸、性能等有可能会偏离能够容许的范围。因此，需要消除含浸金属供给体相对于被含浸体的过度的附着，不得不废弃无法充分消除含浸金属供给体的附着的产品。因此，Si
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SiC类复合结构体的成品率有可能会降低。
[0004]另外，含浸金属供给体相对于被含浸体的附着部位有可能在每次制造Si
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SiC类复合结构体时不同，从而还难以预测含浸金属供给体的附着部位。因此，含浸金属供给体相对于被含浸体的附着部分的消除工序有可能变得复杂。这样，关于专利文献1所记载的技术，在Si
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SiC类复合结构体的制造效率的提高方面存有改善的余地。
[0005]专利文献1：国际公开第2011/145387号

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的在于，提供能够提高Si
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SiC类复合结构体的制造效率的Si
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SiC类复合结构体的制造方法。
[0007]本专利技术的实施方式所涉及的Si
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SiC类复合结构体的制造方法包含以下工序：在使含有Si的供给体与含有SiC的成型体接触的状态下，对所述供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体，所述供给体的与所述成型体接触的接触部分为与所述成型体对置的面的一部分。
[0008]在1个实施方式中，在上述供给体的与成型体对置的面设置有朝向上述成型体突出的凸部，所述凸部与所述成型体接触。
[0009]在1个实施方式中，上述凸部的截面包含圆弧形状。
[0010]在1个实施方式中，上述凸部具有棱锥形状。
[0011]在1个实施方式中，上述供给体在多处部位与上述成型体接触。在该情况下，上述供给体的与成型体接触的多个接触部分中的、彼此相邻的接触部分之间的间隔为78.5mm以下。
[0012]在1个实施方式中，上述供给体的与成型体接触的接触部分以线状延伸。
[0013]在1个实施方式中，上述成型体具有蜂窝结构。
[0014]专利技术效果
[0015]根据本专利技术的实施方式，能够实现能提高Si
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SiC类复合结构体的制造效率的Si
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SiC类复合结构体的制造方法。
附图说明
[0016]图1是本专利技术的1个实施方式的Si
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SiC类复合结构体的制造方法所涉及的成型体的俯视图。
[0017]图2是本专利技术的1个实施方式的Si
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SiC类复合结构体的制造方法所涉及的供给体的立体图。
[0018]图3是图2的供给体的仰视图。
[0019]图4是示出使图2的供给体与图1的成型体接触的状态的概要剖视图。
[0020]图5(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图5(b)是示出使图5(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
[0021]图6(a)是本专利技术的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图6(b)是示出使图6(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
[0022]图7(a)是本专利技术的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图7(b)是示出使图7(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
[0023]图8是示出使本专利技术的又一其他实施方式所涉及的供给体与成型体接触的状态的概要俯视图。
[0024]图9(a)是本专利技术的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图9(b)是示出使图9(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
[0025]图10(a)是本专利技术的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图10(b)是示出使图10(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
[0026]图11(a)是本专利技术的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图11(b)是示出使图11(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
[0027]图12示出了通过实施例1而获得的蜂窝结构体的俯视照片。
[0028]图13示出了通过比较例1而获得的蜂窝结构体的俯视照片。
[0029]附图标记说明
[0030]1…
成型体；1a
…
蜂窝成型体；2
…
供给体；21
…
凸部。
具体实施方式
[0031]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明，本专利技术并不限定于这些实施方式。
[0032]A.Si
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SiC类复合结构体的制造方法的概要
[0033]图1是本专利技术的1个实施方式的Si
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SiC类复合结构体的制造方法所涉及的成型体的俯视图；图2是本专利技术的1个实施方式的Si
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SiC类复合结构体的制造方法所涉及的供给体的立体图；图3是图2的供给体的仰视图；图4是示出使图2的供给体与图1的成型体接触的状态的概要剖视图。
[0034]本专利技术的1个实施方式的Si
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SiC类复合结构体的制造方法包含如下工序(含浸工序)：在使得含有Si的供给体2与含有SiC的成型体1接触的状态下，对供给体2进行加热而使得含有Si的熔融金属含浸于成型体1。在含浸工序中，供给体2的与成型体1接触的接触部分
是与成型体1对置的面的一部分。
[0035]本专利技术的专利技术人发现：在含浸工序中，若供给体的一部分与成型体接触，则能够借助该接触部分而使得含有Si的熔融金属含浸于整个成型体，由此完成了本专利技术。根据上述方法，在含浸工序中，供给体的与成型体对置的面的一部分与成型体接触，因此，与供给体的与成型体对置的整个面与成型体接触的情况相比，能够降低供给体相对于成型体的附着量。因此，能够容易地消除供给体的附着，能够提高Si
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SiC类复合结构体的成品率。另外，能够限定供给体有可能附着的部位，因此，能够顺畅地实施附着于成型体的供给体的消除工序。其结果，能够提高Si
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SiC类复合结构体的制造效率。
[0036]成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Si
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SiC类复合结构体的制造方法，包含以下工序：在使含有Si的供给体与含有SiC的成型体接触的状态下，对所述供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体，所述供给体的与所述成型体接触的接触部分为与所述成型体对置的面的一部分。2.根据权利要求1所述的Si
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SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，在所述供给体的与所述成型体对置的面设置有朝向所述成型体突出的凸部，所述凸部与所述成型体接触。3.根据权利要求2所述的Si
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SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，所述凸部的截面包含圆弧形状。4.根据权利要求2所述的Si
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【专利技术属性】
技术研发人员：后藤空，久野修平，木村大辅，松叶浩臣，
申请(专利权)人：NGK阿德列克株式会社，
类型：发明
国别省市：