半导体结构及其制造方法技术

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构，包括：衬底；多个有源区，定义在所述衬底上；浅沟槽隔离，设置于该衬底内，该浅沟槽隔离环绕所述多个有源区；多个导线结构，相互平行地沿着第一方向延伸，所述导线结构包括第一区和第二区，所述第一区位于所述有源区上方，所述第二区位于所述浅沟槽隔离上方；在垂直于所述衬底的方向上，所述第一区深度大于部分所述第二区深度。上述技术方案，通过在两个有源区的端部之间设置在垂直于所述衬底的方向上第一区深度大于部分所述第二区深度的导线结构，避免了行锤击效应导致的邻近存储单元电荷损失或漏电的问题，提高了存储器的使用寿命及可靠性。的使用寿命及可靠性。的使用寿命及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]当存储器矩阵中的一个行被激活后，在反复刷新的过程中会对邻近的行产生噪声或干扰，若激活的频率过高，邻近的单元会变得脆弱而出现电荷损失或漏电的现象，进而造成邻近行内的一个或多个单元的数据发生错误，这种现象被称为行锤击效应。由于存在行锤击效应，最终会导致存储器不稳定或者失效。
[0003]因此如何减轻行锤击效应是需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请所要解决的技术问题是提供一种半导体结构及其制造方法。
[0005]本公开提供了一种半导体结构，包括：衬底；多个有源区，定义在所述衬底上；浅沟槽隔离，设置于该衬底内，该浅沟槽隔离环绕所述多个有源区；多个导线结构，相互平行地沿着第一方向延伸，所述导线结构包括第一区和第二区，所述第一区位于所述有源区上方，所述第二区位于所述浅沟槽隔离上方，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一区深度大于部分所述第二区深度。
[0006]在一些公开实施例中，还包括第一隔离结构，所述第一隔离结构设置在浅沟槽隔离中，所述第一隔离结构位于两个有源区端部之间。
[0007]在一些公开实施例中，所述有源区包括第一端和第二端，所述第一端和第二端为沿所述有源区长度方向的两端；所述第一隔离结构位于相邻两个有源区的第一端和第二端之间。
[0008]在一些公开实施例中，所述导线结构的第二区包括第三区，所述第三区包括位于所述第一隔离结构上方的所述导线结构，所述第三区的深度小于所述第一区深度。
[0009]在一些公开实施例中，所述有源区包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域位于第二掺杂区域上方，所述第三区底部高于或平齐于所述第一掺杂区域底部。
[0010]在一些公开实施例中，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的掺杂类型相反。
[0011]在一些公开实施例中，所述第一隔离结构的顶部高于所述浅沟槽隔离结构的顶面。
[0012]在一些公开实施例中，所述第一隔离结构高于所述导线结构底面部分的高度为为所述导线结构深度的1/4～1/2。
[0013]在一些公开实施例中，还包括，第二隔离结构，所述第二隔离结构位于所述导线结构上方。
[0014]在一些公开实施例中，还包括隔离侧墙，所述隔离侧墙设置在所述第一隔离结构与所述有源区端部之间。
[0015]本公开还提供了一种半导体结构制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成
多个有源区和环绕所述多个有源区的浅沟槽隔离；形成多个导线结构，所述导线结构相互平行地沿着第一方向延伸，所述导线结构包括第一区和第二区，所述第一区位于所述有源区上方，所述第二区位于所述浅沟槽隔离上方；在垂直于所述衬底的方向上，所述第一区深度大于部分所述第二区深度。
[0016]在一些公开实施例中，在所述衬底上形成多个有源区之前，在所述衬底上形成多个间隔设置的初始有源区，在所述初始有源区上方形成第一掩膜结构，所述初始有源区和所述第一掩膜结构沿第一方向延伸。
[0017]在一些公开实施例中，在所述初始有源区和所述第一掩膜结构上方形成间隔排布的第一介质结构，所述第一介质结构沿第二方向延伸，所述第二方向与第一方向不同；在所述第一介质结构的间隙内形成导线侧墙。
[0018]在一些公开实施例中，在所述第一介质结构的间隙内形成导线侧墙的之后还包括：图形化所述导线侧墙；以所述图形化的导线侧墙为掩膜，刻蚀所述第一掩膜结构、所述初始有源区及所述浅沟槽隔离以形成所述有源区及第一沟槽，在所述第一沟槽中形成初始第一隔离结构。
[0019]在一些公开实施例中，所述第一沟槽位于两个有源区端部之间。
[0020]在一些公开实施例中，在形成初始第一隔离结构之后还包括：形成间隔排布的第二沟槽，所述第二沟槽沿第二方向延伸，所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度。
[0021]在一些公开实施例中，形成所述第二沟槽之后还包括，去除部分顶部所述初始第一隔离结构，形成第一隔离结构，所述第一隔离结构的顶部低于所述有源区结构顶部，所述第一隔离结构的顶部高于所述第二沟槽底部。
[0022]在一些公开实施例中，在所述第二沟槽内形成所述导线结构，所述导线结构的第二区包括第三区，所述第三区包括位于所述第一隔离结构上方的所述导线结构，所述第三区的深度小于所述第一区深度。
[0023]在一些公开实施例中，在所述导线结构上方形成第二隔离结构。
[0024]在一些公开实施例中，形成所述第一沟槽之后还包括，在所述有源区侧壁形成隔离侧墙，所述隔离侧墙设置在所述第一隔离结构与所述有源区端部之间。
[0025]通过在两个有源区的端部之间设置在垂直于所述衬底的方向上第一区深度大于部分所述第二区深度的导线结构，避免在对一个存储单元进行刷新时，导致与其邻近的存储单元受到干扰，从而避免行锤击效应导致的邻近存储单元电荷损失或漏电的问题，提高了存储器的使用寿命及可靠性。
[0026]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
附图说明
[0027]图1是本公开一实施例中的半导体结构的示意图。
[0028]图2是本公开一实施例中的半导体结构沿剖面A1的示意图。
[0029]图3是本公开一实施例中的半导体结构沿剖面B的示意图。
[0030]图4是本公开一实施例中的半导体结构沿剖面A2的示意图。
[0031]图5是本公开一实施例中的半导体结构的示意图。
[0032]图6是本公开一实施例中的半导体结构制造方法的示意图。
[0033]图7是本公开一实施例中的有源区及浅沟槽隔离的示意图。
[0034]图8是本公开一实施例中的有源区及浅沟槽隔离的示意图。
[0035]图9是本公开一实施例中的半导体结构制造方法的示意图。
[0036]图10是本公开一实施例中的第一掩膜结构的示意图。
[0037]图11是本公开一实施例中的形成第一介质结构的示意图。
[0038]图12是本公开一实施例中的第一介质层的示意图。
[0039]图13是本公开一实施例中的导线侧墙的示意图。
[0040]图14是本公开一实施例中的半导体结构制造方法的示意图。
[0041]图15是本公开一实施例中的形成第一沟槽的示意图。
[0042]图16是本公开一实施例中的形成隔离侧墙的示意图。
[0043]图17是本公开一实施例中的初始第一隔离结构的示意图。
[0044]图18是本公开一实施例中的沉积第三介质层的示意图。
[0045]图19是本公开一实施例中的第三介质层的示意图。
[0046]图20是本公开一实施例中的沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；多个有源区，定义在所述衬底上；浅沟槽隔离，设置于该衬底内，该浅沟槽隔离环绕所述多个有源区；多个导线结构，相互平行地沿着第一方向延伸，所述导线结构包括第一区和第二区，所述第一区位于所述有源区上方，所述第二区位于所述浅沟槽隔离上方，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一区深度大于部分所述第二区深度。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括第一隔离结构，所述第一隔离结构设置在浅沟槽隔离中，所述第一隔离结构位于两个有源区端部之间。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区包括第一端和第二端，所述第一端和第二端为沿所述有源区长度方向的两端；所述第一隔离结构位于相邻两个有源区的第一端和第二端之间。4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导线结构的第二区包括第三区，所述第三区包括位于所述第一隔离结构上方的所述导线结构，所述第三区的深度小于所述第一区深度。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域位于第二掺杂区域上方，所述第三区底部高于或平齐于所述第一掺杂区域底部。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的掺杂类型相反。7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离结构的顶部高于所述浅沟槽隔离结构的顶面。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离结构高于所述导线结构底面部分的高度为为所述导线结构深度的1/4～1/2。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括，第二隔离结构，所述第二隔离结构位于所述导线结构上方。10.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括隔离侧墙，所述隔离侧墙设置在所述第一隔离结构与所述有源区端部之间。11.一种半导体结构制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个有源区和环绕所述多个有源区的浅沟槽隔离；形成多个导线结构，所述导线结构相互平行地沿着第一方向延伸，所述导线结构包括第一区和第二区，所述第一区位于所述有源区上方，所述第二区位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：