【技术实现步骤摘要】
一种晶圆盒内污染物萃取的方法
[0001]本专利技术方法属于集成电路制造用晶圆盒清洗领域,尤其涉及一种提高清洗效果节省清洗时间的晶圆盒内污染物萃取/清洗的方法。
技术介绍
[0002]在集成电路制造过程中需要大量晶圆盒转运晶圆,因制造过程使用多种不同种类的化学品如掺杂离子等造成晶圆盒内污染物聚集,一批次集成电路产品制造完成后,需要清洗该过程中使用的晶圆盒以再投入下一批次集成电路产品制造中使用。
[0003]晶圆盒的液体污染物主要包括金属杂质、阴离子杂质、颗粒污染物等。现有检测晶圆盒内液体污染物方法主要采用人工或半人工全浸泡萃取法,使用大量溶剂对晶圆盒内部进行润洗,润洗后取样进行污染物指标测试,由于晶圆盒在集成电路制造中用于放置和运输晶圆,晶圆盒内的污染物多少将直接影响运输晶圆,为避免污染晶圆,萃取清洗晶圆盒内污染物后对萃取液检测,筛选出供下一次集成电路制造使用的污染物降低至合格水平的晶圆盒。现有集成电路制造工厂使用的晶圆盒大部分近似正方体,内部体积较大,全浸泡萃取法存在以下问题。
[0004]第一,全浸泡萃取法需要大量的溶剂/萃取液,浪费溶剂/萃取液,成本高昂,且由于采取全浸泡形式,可采取的萃取形式是静态的,无法动态萃取;
[0005]第二,采取全人工或者半人工萃取清洗,无法实现标准化的清洗,需要人工实时检测萃取清洗液污染物水平以确定晶圆盒内污染物降低至合格水平,清洗工序繁杂;
[0006]第三,未采取程序控制手段,无法实时精确调整萃取清洗模式,清洗作业浪费时间且清洗程度参差不一,容易 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆盒内污染物萃取的方法,包括:步骤S1:向晶圆盒内加入溶剂,溶剂量的体积是晶圆盒体积的5%~20%;步骤S2:调节至第一状态,晶圆盒以第一面水平并向上,晶圆盒围绕轴线转动,清洗包括所述第一面的四个面;步骤S3:调节至第二状态,使所述第一面竖直,晶圆盒围绕所述轴线转动,清洗剩余两个面:步骤S4:调节至第三状态,使所述第一面倾斜,晶圆盒围绕所述轴线转动,以清洗预定区域;步骤S5:取出溶剂,分析并计算污染物含量水平;所述第一状态和所述第三状态有若干初始转动位置,所述第一状态和所述第三状态有多个中间转动位置,所述第一状态、所述第二状态和所述第三状态使晶圆盒内表面n个点的清洗程度相同;清洗进程包括各执行一次的步骤S2、S3、S4的排列组合的任一一种;或者,所述清洗进程包括各执行多次的步骤S2、S3、S4的排列组合的任一一种。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一面是晶圆盒的顶面。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预定区域至少包括棱部、和/或所述棱部组成面的一部分。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S1中,晶圆盒以所述第一面水平向上,向晶圆盒内加入溶剂,溶剂量至少浸没与所述第一面相对的底面,或者,溶剂量至少浸没与所述第一面相对的底面的棱部。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一状态下和所述第二状态所持续时间与所述清洗的面积比相关。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一状态是晶圆盒竖直转动清洗所述四个面,所述第二状态是晶圆盒水平转动清洗所述两个面;所述清洗进程满足公式(3):ak=Qi/QiiQi=q{a6*f(d,vi),a6*s(vi),a8*e(d,s)}Qii=q{a6*f(d,vii),a7*s(vii),a8*e(d,s)}(3)其中,a取值范围是0.1~10,k是所述第一状态与所述第二状态的清洗面积比,Qi是所述第一状态下的清洗程度,Qii是所述第二状态下的清洗程度;溶剂对晶圆盒内表面的压力f是溶剂量d和溶剂的速度v的函数,溶剂的路程s是溶剂速度v的函数,清洗成分有效量e是溶剂量d和路程s的函数;a6、a7、a8分别是溶剂对晶圆盒内表面的压力f、溶剂经过的路程s、溶剂清洗成分有效量e的之间的权重关系,a6+a7+a8=1或者a6、a7、a8的取值范围是0.1~10。7.根据权利要求6所述,其特征在于,a6=a8=0,溶剂在所述第一状态下、所述第二状态下经过的路程相等,各自的清洗程度Qi和Qii可分别表示为...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄梦可,王轶滢,
申请(专利权)人:上海集成电路材料研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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