本实用新型专利技术的喷淋组件和薄膜沉积装置，包括上盖板、引流部、喷淋部以及加热器；所述上盖板的中央具有第一进气通道；所述引流部与所述上盖板共同限定形成预热气流路径，所述引流部底部的中央设有第二进气通道，所述加热器位于所述引流部内，且围绕所述第二进气通道设置；所述预热气流路径位于所述加热器与上盖板之间，且连通所述第一进气通道和所述第二进气通道，适于预热从所述第一进气通道至第二进气通道的反应气体。在第二进气通道上方设置预热气流路径，可以在反应气体从第二进气通道排出之前，提前进行预热，使反应气体后续喷淋至薄膜沉积装置的反应腔体时，减少反应气体温度不均匀的情况，提高了薄膜的沉积均匀性。提高了薄膜的沉积均匀性。提高了薄膜的沉积均匀性。
【技术实现步骤摘要】
一种喷淋组件及薄膜沉积装置
[0001]本技术涉及薄膜沉积领域，尤其涉及一种喷淋组件及薄膜沉积装置。
技术介绍
[0002]薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，化学气相薄膜沉积设备用于晶圆进行薄膜沉积工艺。喷淋板为化学气相薄膜沉积设备中的一个零部件，其主要用于将外部的反应气体喷洒在晶圆上，以使晶圆表面发生薄膜沉积。
[0003]目前，喷淋板内部的加热元件对反应气体进行加热，使反应气体达到一定的温度。但外部的反应气体经过喷淋板从上直接向下输送，部分反应气体无法有效加热，使得喷淋板喷出的反应气体温度不均匀，而温度不均匀的反应气体喷洒在晶圆上，会影响晶圆的沉积厚度，容易出现厚度不一或其他缺陷。
技术实现思路
[0004]因此，为了解决现有技术中喷淋板喷出的反应气体温度不均匀的情况，从而提供一种喷淋组件及薄膜沉积装置。
[0005]一种喷淋组件，包括：上盖板、引流部、喷淋部以及加热器；
[0006]所述上盖板的中央具有第一进气通道；
[0007]所述引流部位于所述上盖板和所述喷淋部之间，与所述上盖板共同限定形成预热气流路径，所述引流部的中央设有适于让反应气体通过至喷淋部的第二进气通道，所述加热器位于所述引流部内，且围绕所述第二进气通道设置；
[0008]所述预热气流路径位于所述加热器与上盖板之间，且连通所述第一进气通道和所述第二进气通道，适于预热从所述第一进气通道至第二进气通道的反应气体。
[0009]在一个实施例中，所述预热气流路径包括引流部与上盖板拼接形成的第一腔室，反应气体从所述第一进气通道分散至所述第一腔室。
[0010]在一个实施例中，所述预热气流路径还包括分流槽，所述分流槽的两端分别连通所述第一进气通道和所述第一腔室。
[0011]在一个实施例中，所述引流部的上表面与所述上盖板的下表面相互抵接，所述分流槽设置在所述引流部的上表面。
[0012]在一个实施例中，所述第一腔室为环形腔室，其中心位置与所述第一进气通道位置对应。
[0013]在一个实施例中，所述引流部呈板状，所述引流部上表面的边缘与所述上盖板下表面的边缘连接，所述引流部下表面的边缘与所述喷淋部上表面的边缘连接。
[0014]在一个实施例中，所述分流槽的数量为多个，多个所述分流槽从所述引流部的中央呈射线状向外延伸。
[0015]在一个实施例中，所述预热气流路径包括设置在引流部的内部的汇流孔，所述汇流孔的两端分别与所述第一腔室和第二进气通道连通。
[0016]在一个实施例中，所述第一腔室的底部设置有至少一个引流孔，所述引流孔与所述汇流孔连通。
[0017]在一个实施例中，所述汇流孔的数量为若干，若干所述汇流孔的一端汇合在所述第二进气通道处，若干所述汇流孔的另一端通过所述引流孔与所述第一腔室连通。
[0018]在一个实施例中，所述汇流孔的端部从所述引流部的侧壁露出，所述引流部上还设置有封堵所述露出的端部的密封销。
[0019]在一个实施例中，所述引流部与喷淋部之间形成有喷淋腔室，所述第二进气通道与所述喷淋腔室连通，所述喷淋腔室的底部设置有若干喷淋孔。
[0020]在一个实施例中，所述引流部的底部还设有分流器，所述分流器位于所述第二进气通道的正下方，且所述分流器位于所述喷淋腔室内。
[0021]本技术还提供一种薄膜沉积装置，包括上述的喷淋组件。
[0022]本技术技术方案，具有如下优点：
[0023]本技术的喷淋组件和薄膜沉积装置，包括：上盖板、引流部、喷淋部以及加热器；所述上盖板的中央具有第一进气通道；所述引流部位于所述上盖板和所述喷淋部之间，与所述上盖板共同限定形成预热气流路径，所述引流部的中央设有适于让反应气体通过至喷淋部的第二进气通道，所述加热器位于所述引流部内，且围绕所述第二进气通道设置；所述预热气流路径位于所述加热器与上盖板之间，且连通所述第一进气通道和所述第二进气通道，适于预热从所述第一进气通道至第二进气通道的反应气体。在第二进气通道上方设置预热气流路径，可以在反应气体从第二进气通道排出之前，提前进行预热，使反应气体后续喷淋至薄膜沉积装置的反应腔体时，减少反应气体温度不均匀的情况，提高了薄膜的沉积均匀性。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为相关技术的喷淋组件的剖视图；
[0026]图2为本技术实施例的喷淋组件的整体示意图；
[0027]图3为本技术实施例的喷淋组件的剖视图；
[0028]图4为本技术实施例的喷淋组件的爆炸示意图；
[0029]图5为本技术实施例的喷淋组件另一视角的爆炸示意图；
[0030]图6为本技术实施例的引流部的部分剖视图。
[0031]附图标记说明：1、上盖板；2、喷淋部；3、加热器；4、引流部；5、预热气流路径；6、空心轴；61、分流器；11、进气通道；12、第一进气通道；21、喷淋孔；22、喷淋腔室；41、第二进气通道；42、环形槽；43、第一腔室；44、分流槽；45、汇流孔；46、密封销；47、引流孔。
具体实施方式
[0032]下面将参照附图更详细地描述本技术的实施例。虽然附图中显示了本实用新
型的某些实施例，然而应当理解的是，本技术可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本技术。应当理解的是，本技术的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本技术的保护范围。
[0033]应当理解，本技术的方法实施方式中记载的各个步骤可以按照不同的顺序执行，和/或并行执行。此外，方法实施方式可以包括附加的步骤和/或省略执行示出的步骤。本技术的范围在此方面不受限制。
[0034]本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”；术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。需要注意，本技术中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
[0035]需要注意，本技术中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
[0036]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种喷淋组件，其特征在于，包括：上盖板(1)、引流部(4)、喷淋部(2)以及加热器(3)；所述上盖板(1)的中央具有第一进气通道(12)；所述引流部(4)位于所述上盖板(1)和所述喷淋部(2)之间，与所述上盖板(1)共同限定形成预热气流路径(5)，所述引流部(4)的中央设有适于让反应气体通过至喷淋部(2)的第二进气通道(41)，所述加热器(3)位于所述引流部(4)内，且围绕所述第二进气通道(41)设置；所述预热气流路径(5)位于所述加热器(3)与上盖板(1)之间，且连通所述第一进气通道(12)和所述第二进气通道(41)，适于预热从所述第一进气通道(12)至第二进气通道(41)的反应气体。2.根据权利要求1所述的喷淋组件，其特征在于，所述预热气流路径(5)包括引流部(4)与上盖板(1)拼接形成的第一腔室(43)，反应气体从所述第一进气通道(12)分散至所述第一腔室(43)。3.根据权利要求2所述的喷淋组件，其特征在于，所述预热气流路径(5)还包括分流槽(44)，所述分流槽(44)的两端分别连通所述第一进气通道(12)和所述第一腔室(43)。4.根据权利要求3所述的喷淋组件，其特征在于，所述引流部(4)的上表面与所述上盖板(1)的下表面相互抵接，所述分流槽(44)设置在所述引流部(4)的上表面。5.根据权利要求4所述的喷淋组件，其特征在于，所述第一腔室(43)为环形腔室，其中心位置与所述第一进气通道(12)位置对应。6.根据权利要求5所述的喷淋组件，其特征在于，所述引流部(4)呈板状，所述引流部(4)上表面的边缘与所述上盖板(1)下表面的边缘连接，所述引流部(4)下表面的边缘与所述喷淋部(2)上表面的边缘连接。7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李镐赞，
申请(专利权)人：无锡金源半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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