铜箔的制备方法技术

本申请提供铜箔的制备方法，包括：向生箔电解液中添加添加剂，生箔电解液包括硫酸、铜离子和氯离子，硫酸的浓度大于或等于90g/L，小于或等于120g/L；铜离子的浓度大于或等于60g/L，小于或等于90g/L；氯离子的浓度大于或等于5mg/L，小于或等于40mg/L；添加剂包括羟乙基纤维素、明胶和3

【技术实现步骤摘要】
铜箔的制备方法


[0001]本申请涉及电子部件的领域，尤其涉及铜箔的制备方法。

技术介绍

[0002]铜箔是一种常见的电子部件，广泛应用于印制电路板的制备过程中。在铜箔的制备方法中，通常在生箔电解液中通过电镀等方式形成铜箔基础，随后对铜箔基础进行交替设置的两次粗化和两次固化，从而使铜箔基础形成铜箔。然而，通过上述制备方法所形成的铜箔易出现铜粉脱落现象，从而影响铜箔的质量。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供铜箔的制备方法，用以解决铜箔易出现铜粉脱落现象，从而影响铜箔质量的问题。
[0004]本申请实施例提供的铜箔的制备方法，包括：
[0005]向生箔电解液中添加添加剂，其中，所述生箔电解液配置为：所述生箔电解液包括硫酸、铜离子和氯离子，在所述生箔电解液中，所述硫酸的浓度大于或等于90g/L，小于或等于120g/L；所述铜离子的浓度大于或等于60g/L，小于或等于90g/L；所述氯离子的浓度大于或等于5mg/L，小于或等于40mg/L；所述添加剂包括羟乙基纤维素、明胶和3
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巯基
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丙烷磺酸钠，所述羟乙基纤维素的浓度大于或等于0.5g/L，小于或等于3g/L，所述羟乙基纤维素的添加流量大于或等于10L/h，小于或等于20L/h；所述明胶的浓度大于或等于0.5g/L，小于或等于3g/L，所述明胶的添加流量大于或等于10L/h，小于或等于30L/h；所述3
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巯基
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丙烷磺酸钠的浓度大于或等于2g/L，小于或等于5g/L，所述3
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巯基
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丙烷磺酸钠的添加流量大于或等于5L/h，小于或等于20L/h；
[0006]通过添加有所述添加剂的所述生箔电解液形成铜箔毛箔；
[0007]表面处理所述铜箔毛箔，以使所述铜箔毛箔形成膜层，所述表面处理包括：多次粗化固化所述铜箔毛箔，所述粗化固化的次数大于或等于三次，每次所述粗化固化均包括：通过粗化液粗化所述铜箔毛箔，通过固化液固化所述铜箔毛箔；
[0008]保护处理所述膜层，以使所述膜层形成铜箔，所述保护处理包括防腐蚀处理、防氧化处理、偶联剂喷涂处理和烘干处理中的至少一种。
[0009]通过采用上述技术方案，通过在生箔电解液中添加添加剂，其中，羟乙基纤维素和明胶能够调节通过生箔电解液所形成铜箔毛箔的表面粗糙度，并且，羟乙基纤维素和明胶还能够减小铜箔毛箔出现铜粉脱落现象的可能性；通过在生箔电解液中添加3
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巯基
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丙烷磺酸钠，从而能够对通过生箔电解液所形成铜箔毛箔表面山峰的数量进行调节，以增强铜箔毛箔的抗剥离性能，并增强铜箔毛箔的耐热衰减性能；
[0010]并且，在表面处理铜箔毛箔，以使铜箔毛箔形成膜层时，粗化固化铜箔毛箔的次数设置为大于或等于三次，从而能够减小每次粗化铜箔毛箔时的电流，并且，通过在每次粗化铜箔毛箔后进行固化铜箔毛箔，以减小铜箔毛箔出现铜粉脱落现象的可能性，从而与在生
箔电解液中添加3
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巯基
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丙烷磺酸钠的过程相呼应；相对于相关技术中的铜箔，使得经过表面处理后的膜层具有更好的抗剥离性能和耐热衰减性能，铜粉脱落现象的可能性更小。
[0011]在一些可能的实施方式中，向生箔电解液中添加添加剂时，所述生箔电解液的温度大于或等于40℃，小于或等于60℃；所述羟乙基纤维素的温度大于或等于40℃，小于或等于60℃；所述明胶的温度大于或等于40℃，小于或等于60℃；所述3
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丙烷磺酸钠的温度大于或等于10℃，小于或等于30℃。
[0012]在一些可能的实施方式中，在多次粗化固化所述铜箔毛箔中：
[0013]所述粗化液包括硫酸、铜离子和氯离子，在所述粗化液中，所述硫酸的浓度大于或等于50g/L，小于或等于200g/L；所述铜离子的浓度大于或等于5g/L，小于或等于20g/L；所述氯离子的浓度大于或等于5mg/L，小于或等于40mg/L；
[0014]所述固化液包括硫酸和铜离子，在所述固化液中，所述硫酸的浓度大于或等于50g/L，小于或等于150g/L；所述铜离子的浓度大于或等于5g/L，小于或等于20g/L。
[0015]在一些可能的实施方式中，所述粗化固化的次数设置为四次，在各次所述粗化固化所述铜箔毛箔中：
[0016]当通过所述粗化液粗化所述铜箔毛箔，向所述粗化液通入粗化电流，所述粗化电流的电流密度大于或等于5A/dm2，小于或等于30A/dm2；
[0017]当通过所述固化液固化所述铜箔毛箔，向所述固化液通入固化电流，所述固化电流的电流密度大于或等于15A/dm2，小于或等于35A/dm2。
[0018]在一些可能的实施方式中，所述表面处理还包括：
[0019]在多次粗化固化所述铜箔毛箔之前，通过酸洗液酸洗所述铜箔毛箔；所述酸洗液的温度大于或等于20℃，小于或等于35℃；所述酸洗液包括硫酸和铜离子，在所述酸洗液中，所述硫酸的浓度大于或等于120g/L，小于或等于190g/L；所述铜离子的浓度大于或等于10g/L，小于或等于20g/L。
[0020]在一些可能的实施方式中，在保护处理所述膜层中，所述防腐蚀处理包括：
[0021]向防腐蚀液通入电流；在所述防腐蚀液中，所述电流的电流密度大于或等于1A/dm2，小于或等于5A/dm2；所述防腐蚀液包括锌离子和焦磷酸钾，所述锌离子的浓度大于或等于2g/L，小于或等于20g/L；所述焦磷酸钾的浓度大于或等于50g/L，小于或等于300g/L；所述防腐蚀液的温度大于或等于25℃，小于或等于50℃；所述防腐蚀液的酸碱值大于或等于9.0，小于或等于12.0；
[0022]通过所述防腐蚀液在所述膜层表面形成防腐蚀层。
[0023]在一些可能的实施方式中，在保护处理所述膜层中，所述防氧化处理包括：
[0024]向防氧化液通入电流；在所述防氧化液中，所述电流的电流密度大于或等于1A/dm2，小于或等于10A/dm2；所述防氧化液包括铬离子，所述铬离子的浓度大于或等于1g/L，小于或等于5g/L；所述防氧化液的温度大于或等于20℃，小于或等于45℃；所述防氧化液的酸碱值大于或等于10.0，小于或等于13.0；
[0025]通过所述防氧化液在所述膜层表面形成防氧化层。
[0026]在一些可能的实施方式中，在保护处理所述膜层中，所述偶联剂喷涂处理包括：
[0027]向所述膜层表面喷涂有机膜偶联剂，以在所述膜层表面形成黏接层，所述有机膜偶联剂的浓度大于或等于0.5g/L，小于或等于3.0g/L；所述有机膜偶联剂的温度大于或等
于20℃，小于或等于30℃。
[0028]在一些可能的实施方式中，在表面处理所述铜箔毛箔时，该制备方法还包括：
[0029]通过传送辊组输送所述铜箔毛箔，以使所述铜箔毛箔依次接触于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜箔的制备方法，其特征在于，包括：向生箔电解液中添加添加剂，其中，所述生箔电解液配置为：所述生箔电解液包括硫酸、铜离子和氯离子，在所述生箔电解液中，所述硫酸的浓度大于或等于90g/L，小于或等于120g/L；所述铜离子的浓度大于或等于60g/L，小于或等于90g/L；所述氯离子的浓度大于或等于5mg/L，小于或等于40mg/L；所述添加剂包括羟乙基纤维素、明胶和3
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丙烷磺酸钠，所述羟乙基纤维素的浓度大于或等于0.5g/L，小于或等于3g/L，所述羟乙基纤维素的添加流量大于或等于10L/h，小于或等于20L/h；所述明胶的浓度大于或等于0.5g/L，小于或等于3g/L，所述明胶的添加流量大于或等于10L/h，小于或等于30L/h；所述3
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丙烷磺酸钠的浓度大于或等于2g/L，小于或等于5g/L，所述3
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丙烷磺酸钠的添加流量大于或等于5L/h，小于或等于20L/h；通过添加有所述添加剂的所述生箔电解液形成铜箔毛箔；表面处理所述铜箔毛箔，以使所述铜箔毛箔形成膜层，所述表面处理包括：多次粗化固化所述铜箔毛箔，所述粗化固化的次数大于或等于三次，每次所述粗化固化均包括：通过粗化液粗化所述铜箔毛箔，通过固化液固化所述铜箔毛箔；保护处理所述膜层，以使所述膜层形成铜箔，所述保护处理包括防腐蚀处理、防氧化处理、偶联剂喷涂处理和烘干处理中的至少一种。2.根据权利要求1所述的铜箔的制备方法，其特征在于，向生箔电解液中添加添加剂时，所述生箔电解液的温度大于或等于40℃，小于或等于60℃；所述羟乙基纤维素的温度大于或等于40℃，小于或等于60℃；所述明胶的温度大于或等于40℃，小于或等于60℃；所述3
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丙烷磺酸钠的温度大于或等于10℃，小于或等于30℃。3.根据权利要求1所述的铜箔的制备方法，其特征在于，在多次粗化固化所述铜箔毛箔中：所述粗化液包括硫酸、铜离子和氯离子，在所述粗化液中，所述硫酸的浓度大于或等于50g/L，小于或等于200g/L；所述铜离子的浓度大于或等于5g/L，小于或等于20g/L；所述氯离子的浓度大于或等于5mg/L，小于或等于40mg/L；所述固化液包括硫酸和铜离子，在所述固化液中，所述硫酸的浓度大于或等于50g/L，小于或等于150g/L；所述铜离子的浓度大于或等于5g/L，小于或等于20g/L。4.根据权利要求3所述的铜箔的制备方法，其特征在于，所述粗化固化的次数设置为四次，在各次所述粗化固化所述铜箔毛箔中：当通过所述粗化液粗化所述铜箔毛箔，向所述粗化液通入粗...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱小琴，闫瑞刚，李帅，周建华，顾凯越，
申请(专利权)人：江苏中天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：