一种提升干酪乳酪杆菌活细胞数量的培养方法技术

本发明专利技术提供了一种提升干酪乳酪杆菌活细胞数量的培养方法，属于微生物培养技术领域；所述培养方法包括以下步骤：对所述干酪乳酪杆菌进行发酵培养；在所述发酵培养的体系中添加氧化剂。在本发明专利技术中，通过在所述发酵培养的体系中添加氧化剂能够降低体系的氧化还原电位，较低的氧化还原电位有利于干酪乳酪杆菌的菌体生物量的提高，从而提升干酪乳酪杆菌活细胞数量，实现干酪乳酪杆菌高密度培养。实现干酪乳酪杆菌高密度培养。实现干酪乳酪杆菌高密度培养。

【技术实现步骤摘要】
一种提升干酪乳酪杆菌活细胞数量的培养方法


[0001]本专利技术属于微生物培养
，具体涉及一种提升干酪乳酪杆菌活细胞数量的培养方法。

技术介绍

[0002]乳酸菌(lactic acidbacteria，LAB)是一类能利用可发酵碳水化合物产生大量乳酸的细菌的统称。乳酸菌不仅是研究分类、生化、遗传、分子生物学和基因工程的理想材料(在理论上具有重要的学术价值)，而且在工业、农牧业、食品和医药等与人类生活密切相关的重要领域具有极高的应用价值。
[0003]随着食品工业的快速发展，乳酸菌因其具备良好的益生特性日益受到国际学术领域和广大消费者的关注和认可，发酵乳制品、含乳酸菌活菌饮料、乳酸菌直投式发酵剂和益生菌复合菌剂等产品在市场上深受消费者的青睐。乳酸菌产品需要极高的基础活菌数才能实现乳酸菌产品的深度开发，因此需要采用高密度培养的方法来获取高活菌数的乳酸菌。
[0004]由于不同的乳酸菌有其特定的最适培养条件，因此需要对特定乳酸菌高密度培养过程中培养条件进行合理设置。目前缺少关于干酪乳酪杆菌高密度培养动态调节的相关报道。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种提升干酪乳酪杆菌活细胞数量的培养方法，本专利技术的培养方法能够实现干酪乳酪杆菌高密度培养。
[0006]本专利技术提供了一种提升干酪乳酪杆菌活细胞数量的培养方法，包括以下步骤：
[0007]对所述干酪乳酪杆菌进行发酵培养；在所述发酵培养的体系中添加氧化剂。
[0008]优选的，所述氧化剂包括铁氰化钾。
[0009]优选的，所述发酵培养的过程中，发酵培养体系的氧化还原电位≤0mV。
[0010]优选的，所述发酵培养的过程中，发酵培养体系的氧化还原电位为
‑
320～0mV。
[0011]优选的，所述发酵培养的过程中，发酵培养体系的氧化还原电位为
‑
300～
‑
100mV。
[0012]优选的，所述发酵培养的过程中，发酵培养体系中氧化剂的浓度≤3g/L。
[0013]优选的，所述发酵培养的过程中，所述发酵培养体系的pH为5.9。
[0014]优选的，所述发酵培养于0.05MPa条件下进行。
[0015]优选的，所述发酵培养采用氮气保压或空气保压。
[0016]优选的，所述干酪乳杆菌包括干酪乳酪杆菌Zhang。
[0017]本专利技术提供了一种提升干酪乳酪杆菌活细胞数量的培养方法，包括以下步骤：对所述干酪乳酪杆菌进行发酵培养；在所述发酵培养的体系中添加氧化剂。在干酪乳酪杆菌培养过程中，培养体系中的氧化还原电位(ORP)会向高还原状态逐渐变化，由于高密度培养时菌体活性较高，ORP变化较快。因此，本专利技术通过在所述干酪乳酪杆菌发酵培养的体系中动态添加氧化剂以降低体系的氧化还原电位，较低的氧化还原电位有利于干酪乳酪杆菌的
菌体生物量的提高，从而提升干酪乳酪杆菌活细胞数量，实现干酪乳酪杆菌高密度培养。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为不同通气策略静态培养体系中干酪乳酪杆菌Zhang生长曲线；
[0020]图2为不同通气策略静态培养体系中ORP变化；
[0021]图3为通气法调控干酪乳酪杆菌Zhang高密度培养体系ORP的变化；
[0022]图4为氧化剂法调控干酪乳酪杆菌Zhang高密度培养体系ORP的变化；
[0023]图5为通气调控干酪乳酪杆菌Zhang高密度培养体系ORP生长曲线；
[0024]图6为铁氰化钾调控干酪乳酪杆菌Zhang高密度培养体系ORP生长曲线；
[0025]图7为铁氰化钾调控不同ORP条件下对数末期干菌体的菌体得率；
[0026]图8为通气调控不同ORP条件下对数末期干菌体的菌体得率；
[0027]图9为铁氰化钾浓度对干酪乳酪杆菌Zhang生长的影响。
具体实施方式
[0028]本专利技术提供了一种提升干酪乳酪杆菌活细胞数量的培养方法，包括以下步骤：
[0029]对所述干酪乳酪杆菌进行发酵培养；在所述发酵培养的体系中添加氧化剂。
[0030]在本专利技术中，所述干酪乳酪杆菌为兼性厌氧菌；所述干酪乳杆菌优选的包括干酪乳酪杆菌Zhang；所述干酪乳酪杆菌Zhang(Lactobacillus casei Zhang，L.casei Zhang)2002年分离自内蒙古自治区锡林郭勒盟正蓝旗牧民自制酸马奶，由内蒙古农业大学乳品生物技术与工程教育部重点实验室乳酸菌菌种资源库(LABCC)提供。
[0031]在本专利技术中，所述干酪乳杆菌优选为活化至三代的干酪乳酪杆菌。
[0032]在本专利技术中，对所述干酪乳酪杆菌进行发酵培养优选的包括将所述干酪乳酪杆菌接种于发酵培养基进行发酵培养。
[0033]在本专利技术中，所述干酪乳杆菌的接种量优选为5％，干酪乳杆菌菌液的体积和发酵培养基的体积比为5：100；所述干酪乳杆菌菌液中干酪乳杆菌的有效活菌数优选的＞108CFU/mL。
[0034]在本专利技术中，所述发酵培养基优选的是在普通MRS培养基的基础上对碳源进行了双倍添加处理。在本专利技术中，所述发酵培养基以水为溶剂，优选的包括以下浓度的组分：细菌学蛋白胨10g/L，牛肉浸粉8g/L，酵母浸粉4g/L，葡萄糖40g/L，吐温
‑
80 1ml/L，磷酸氢二钾2g/L，醋酸钠5g/L，柠檬酸三铵2g/L，硫酸镁0.2g/L和硫酸锰0.05g/L。
[0035]在所述发酵培养前，本专利技术优选的还包括对干酪乳杆菌依次进行一、二代培养和种子培养，得到用于发酵培养的干酪乳杆菌。本专利技术对一、二代培养和种子培养用培养基没有特殊限制，采用本领域的常规培养基即可。
[0036]在本专利技术中，所述氧化剂包括铁氰化钾，铁氰化钾不会对干酪乳酪杆菌的生长产生抑制。本专利技术本专利技术通过在所述干酪乳酪杆菌发酵培养的体系中添加氧化剂以降低体系
的氧化还原电位，较低的氧化还原电位有利于干酪乳酪杆菌的菌体生物量的提高，从而提升干酪乳酪杆菌活细胞数量，实现干酪乳酪杆菌高密度培养。并且氧气会影响氧化还原值，本专利技术通过氧化剂调控氧化还原电位的同时可以排除氧对干酪乳酪杆菌的影响。
[0037]在本专利技术中，所述发酵培养的过程中，发酵培养体系中氧化剂的浓度优选的≤3g/L。
[0038]在本专利技术中，所述发酵培养优选的于智能发酵罐中进行。
[0039]在本专利技术中，所述发酵培养的温度优选为37℃；所述发酵培养的初始发酵体系的pH优选为6.5。
[0040]在本专利技术中，所述发酵培养的过程中，发酵培养体系的氧化还原电位优选的≤0mV，进一步优选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升干酪乳酪杆菌活细胞数量的培养方法，其特征在于，包括以下步骤：对所述干酪乳酪杆菌进行发酵培养；在所述发酵培养的体系中添加氧化剂。2.根据权利要求1所述的培养方法，其特征在于，所述氧化剂包括铁氰化钾。3.根据权利要求1所述的培养方法，其特征在于，所述发酵培养的过程中，发酵培养体系的氧化还原电位≤0mV。4.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，所述发酵培养的过程中，发酵培养体系的氧化还原电位为
‑
320～0mV。5.根据权利要求4所述的培养方法，其特征在于，所述发酵培养的过程中，发酵培养体系的氧化还原电位为

【专利技术属性】
技术研发人员：姚国强，钟智，陈永福，于洁，白梅，
申请(专利权)人：内蒙古农业大学，
类型：发明
国别省市：