本发明专利技术公开了一种盖板以及流体气相沉积装置，涉及半导体沉积技术领域。该盖板设置有穹顶曲面，盖板用于盖设于喷淋盘上，穹顶曲面与喷淋盘共同围成气流空腔，穹顶曲面为非平整面，穹顶曲面用于对工艺气体进行导流，以使其均匀流至喷淋盘上。与现有技术相比，本发明专利技术提供的盖板由于采用了非平整面设置的穹顶曲面，所以能够对工艺气体进行稳定导流，导流效果好，沉积速率高，保证工艺气体的流速和分布均匀性，从而提高成膜的平整度和均匀性。从而提高成膜的平整度和均匀性。从而提高成膜的平整度和均匀性。
【技术实现步骤摘要】
一种盖板以及流体气相沉积装置
[0001]本专利技术涉及半导体沉积
，具体而言，涉及一种盖板以及流体气相沉积装置。
技术介绍
[0002]流体气相沉积是一种远程等离子体沉积技术，其需要将工艺气体定向引入反应腔室，在反应后对沟槽实现自上而下的填充，从而满足一定的制成要求填孔能力。目前，在流体气相沉积装置中，盖板、导流块以及喷淋盘组合形成气流腔室，工艺气体通过导流块进入气流腔室后沿着盖板的内侧壁分布在喷淋盘的上方，并通过喷淋盘上设置的喷气口进入反应腔室。但是现在盖板内侧壁的导流效果差，直接影响工艺气体的流速和分布均匀性，从而影响工艺成膜的沉积速率以及膜层的平整度和均匀性等。
[0003]有鉴于此，设计制造出一种导流效果好的盖板以及流体气相沉积装置特别是在半导体生产中显得尤为重要。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种盖板，能够对工艺气体进行稳定导流，导流效果好，沉积速率高，保证工艺气体的流速和分布均匀性，从而提高成膜的平整度和均匀性。
[0005]本专利技术的另一目的在于提供一种流体气相沉积装置，能够对工艺气体进行稳定导流，导流效果好，沉积速率高，保证工艺气体的流速和分布均匀性，从而提高成膜的平整度和均匀性。
[0006]本专利技术是采用以下的技术方案来实现的。
[0007]一种盖板，应用于流体气相沉积装置，流体气相沉积装置设置有喷淋盘，盖板设置有穹顶曲面，盖板用于盖设于喷淋盘上，穹顶曲面与喷淋盘共同围成气流空腔，穹顶曲面为非平整面，穹顶曲面用于对工艺气体进行导流，以使其均匀流至喷淋盘上。
[0008]可选地，穹顶曲面包括平顶面、第一弧形面和第一锥形面，平顶面与喷淋盘平行间隔设置，且位于喷淋盘的中部，第一弧形面围设于平顶面外，平顶面通过第一弧形面与第一锥形面连接，第一锥形面的直径在从平顶面到喷淋盘的方向上逐渐增大。
[0009]可选地，平顶面与喷淋盘之间的间距范围为45毫米至55毫米。
[0010]可选地，平顶面与第一锥形面之间形成第一角度，第一角度的范围为170度至175度。
[0011]可选地，穹顶曲面还包括第二弧形面、第二锥形面、第三弧形面、第三锥形面、第四弧形面和第四锥形面，第一锥形面通过第二弧形面与第二锥形面连接，第二锥形面通过第三弧形面与第三锥形面连接，第三锥形面通过第四弧形面与第四锥形面连接，第二锥形面、第三锥形面和第四锥形面的直径在从平顶面到喷淋盘的方向上均逐渐增大。
[0012]可选地，第一锥形面与第二锥形面之间形成第二角度，第二锥形面与第三锥形面之间形成第三角度，第三锥形面与第四锥形面之间形成第四角度，第二角度、第三角度和第
四角度的范围均为160度至170度。
[0013]可选地，第一锥形面的母线长度为第一长度，第二锥形面的母线长度为第二长度，第三锥形面的母线长度为第三长度，第四锥形面的母线长度为第四长度，第一长度、第二长度、第三长度和第四长度均相等，平顶面的径向宽度与第一长度的比值范围为1.5至2。
[0014]可选地，平顶面在喷淋盘上的投影面积为平顶面积，第一锥形面在喷淋盘上的投影面积为第一面积，第二锥形面在喷淋盘上的投影面积为第二面积，第三锥形面在喷淋盘上的投影面积为第三面积，第四锥形面在喷淋盘上的投影面积为第四面积，平顶面积、第一面积、第二面积、第三面积和第四面积的比等于1：1.36：1.68：1.93：2。
[0015]可选地，穹顶曲面还包括垂直环面，垂直环面垂直于喷淋盘设置，垂直环面的一端与第四锥形面连接，另一端与喷淋盘抵持，第四锥形面与垂直环面之间形成第五角度，第五角度的范围为130度至150度。
[0016]一种流体气相沉积装置，包括喷淋盘、导流块以及上述的盖板，盖板设置有穹顶曲面，盖板盖设于喷淋盘上，穹顶曲面与喷淋盘共同围成气流空腔，穹顶曲面的顶部开设有让位孔，让位孔与气流空腔连通，导流块安装于盖板上，且通过让位孔伸入气流空腔设置，导流块用于朝穹顶曲面喷出工艺气体，穹顶曲面为非平整面，穹顶曲面用于对工艺气体进行导流，以使其均匀流至喷淋盘上。
[0017]本专利技术提供的盖板以及流体气相沉积装置具有以下有益效果：
[0018]本专利技术提供的盖板，盖板设置有穹顶曲面，盖板用于盖设于喷淋盘上，穹顶曲面与喷淋盘共同围成气流空腔，穹顶曲面为非平整面，穹顶曲面用于对工艺气体进行导流，以使其均匀流至喷淋盘上。与现有技术相比，本专利技术提供的盖板由于采用了非平整面设置的穹顶曲面，所以能够对工艺气体进行稳定导流，导流效果好，沉积速率高，保证工艺气体的流速和分布均匀性，从而提高成膜的平整度和均匀性。
[0019]本专利技术提供的流体气相沉积装置，包括盖板，能够对工艺气体进行稳定导流，导流效果好，沉积速率高，保证工艺气体的流速和分布均匀性，从而提高成膜的平整度和均匀性。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0021]图1为本专利技术实施例提供的流体气相沉积装置的俯视图；
[0022]图2为本专利技术实施例提供的流体气相沉积装置的剖视图；
[0023]图3为本专利技术实施例提供的盖板中穹顶曲面一个视角的结构示意图；
[0024]图4为本专利技术实施例提供的盖板中穹顶曲面另一个视角的结构示意图。
[0025]图标：100
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流体气相沉积装置；110
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盖板；111
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穹顶曲面；1111
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平顶面；1112
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第一弧形面；1113
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第一锥形面；1114
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让位孔；1115
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第二弧形面；1116
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第二锥形面；1117
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第三弧形面；1118
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第三锥形面；1119
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第四弧形面；1120
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第四锥形面；1121
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垂直环面；120
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导流块；121
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出气头；130
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喷淋盘；131
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喷气口；140
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气流空腔。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0027]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种盖板，应用于流体气相沉积装置，所述流体气相沉积装置设置有喷淋盘，其特征在于，所述盖板设置有穹顶曲面，所述盖板用于盖设于所述喷淋盘上，所述穹顶曲面与所述喷淋盘共同围成气流空腔，所述穹顶曲面为非平整面，所述穹顶曲面用于对工艺气体进行导流，以使其均匀流至所述喷淋盘上。2.根据权利要求1所述的盖板，其特征在于，所述穹顶曲面包括平顶面、第一弧形面和第一锥形面，所述平顶面与所述喷淋盘平行间隔设置，且位于所述喷淋盘的中部，所述第一弧形面围设于所述平顶面外，所述平顶面通过所述第一弧形面与所述第一锥形面连接，所述第一锥形面的直径在从所述平顶面到所述喷淋盘的方向上逐渐增大。3.根据权利要求2所述的盖板，其特征在于，所述平顶面与所述喷淋盘之间的间距范围为45毫米至55毫米。4.根据权利要求2所述的盖板，其特征在于，所述平顶面与所述第一锥形面之间形成第一角度，所述第一角度的范围为170度至175度。5.根据权利要求2所述的盖板，其特征在于，所述穹顶曲面还包括第二弧形面、第二锥形面、第三弧形面、第三锥形面、第四弧形面和第四锥形面，所述第一锥形面通过所述第二弧形面与所述第二锥形面连接，所述第二锥形面通过所述第三弧形面与所述第三锥形面连接，所述第三锥形面通过所述第四弧形面与所述第四锥形面连接，所述第二锥形面、所述第三锥形面和所述第四锥形面的直径在从所述平顶面到所述喷淋盘的方向上均逐渐增大。6.根据权利要求5所述的盖板，其特征在于，所述第一锥形面与所述第二锥形面之间形成第二角度，所述第二锥形面与所述第三锥形面之间形成第三角度，所述第三锥形面与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张艳娟，张佳琦，尹艳超，谭华强，吴凤丽，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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