一种高密封性的MPCVD设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高密封性的MPCVD设备，包括底座，所述底座上侧固定连接有箱体，所述箱体前端中间设置有观察窗，所述观察窗包括安装条且所述安装条外侧与箱体之间固定连接，所述箱体上侧转动连接有箱盖，所述箱盖下侧两端固定连接有第二密封条，所述箱体内侧底部固定连接有反应台，所述箱体内壁左右两侧固定连接有微波装置，所述箱体上端前后两边固定连接有滑轨，所述箱体上侧两端固定连接有第二密封条，所述箱盖上端前侧左边设置有进气口，所述箱体后端右侧下边设置有出气口。本实用新型专利技术中，观察窗安装条内部增加的第一密封条，滑轨内侧两边增加的第三密封条以及箱盖下侧和箱体上侧的第二密封条增加了整个装置的密封性。体上侧的第二密封条增加了整个装置的密封性。体上侧的第二密封条增加了整个装置的密封性。

【技术实现步骤摘要】
一种高密封性的MPCVD设备


[0001]本技术涉及MPCVD设备
，尤其涉及一种高密封性的MPCVD设备。

技术介绍

[0002]MPCVD中文名称叫微波等离子体化学气相沉积，MPCVD设备作为优异的钻石培育设备，其工作原理为通过微波源产生微波，在微波场的作用下，反应气体被激发为等离子体状态。等离子体是部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质。等离子体呈球状形成于金刚石衬底上，利用等离子体的高温让衬底可以加热到一定的温度。用5KW微波功率的MPCVD设备，可以以微米级每小时的速率沉积工具级金刚石膜、热沉级金刚石膜、光学级金刚石膜等。
[0003]反应气体是半导体材料制备的基础,必须先将反应气体投入箱体,以满足所需的气体浓度，但在现有技术中，在MPCVD设备工作时往往因为其气密性不够高使得反应气体无法达到需要浓度，大大影响了钻石的培育。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种高密封性的MPCVD设备。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种高密封性的MPCVD设备，包括底座，所述底座上侧固定连接有箱体，所述箱体前端中间设置有观察窗，所述观察窗包括安装条且所述安装条外侧与箱体之间固定连接，所述箱体上侧转动连接有箱盖，所述箱盖下侧两端固定连接有第二密封条，所述箱体内侧底部固定连接有反应台，所述箱体内壁左右两侧固定连接有微波装置，所述箱体上端前后两边固定连接有滑轨，所述箱体上侧两端固定连接有第二密封条，所述箱盖上端前侧左边设置有进气口，所述箱体后端右侧下边设置有出气口。
[0006]作为上述技术方案的进一步描述：
[0007]所述安装条包括凹槽且所述凹槽内侧左右两边固定连接有第一密封条，所述第一密封条的材质为橡胶。
[0008]作为上述技术方案的进一步描述：
[0009]所述凹槽内侧底部固定连接有垫片且所述垫片上端两边固定连接有玻璃，两片所述玻璃之间固定连接有隔板。
[0010]作为上述技术方案的进一步描述：
[0011]所述箱盖下端前后两边固定连接有滑块且所述滑块外侧与滑轨内侧滑动连接，所述滑块左端固定连接有限位块。
[0012]作为上述技术方案的进一步描述：
[0013]所述滑轨内侧两边均固定连接有第三密封条，所述滑轨右端固定连接有限位块。
[0014]作为上述技术方案的进一步描述：
[0015]所述进气口上端固定连接有密封套且所述密封套上端固定连接有气管，所述气管另一端固定连接有气罐。
[0016]作为上述技术方案的进一步描述：
[0017]所述出气口后端固定连接有密封套且所述密封套后端固定连接有气管，所述气管另一端固定连接有收集罐。
[0018]作为上述技术方案的进一步描述：
[0019]所述第二密封条的材质为橡胶。
[0020]本技术具有如下有益效果：
[0021]本技术中，通过观察窗安装条内部增加的第一密封条，滑轨内侧两边增加的第三密封条以及箱盖下侧和箱体上侧的第二密封条增加了整个装置的密封性，此外反应气体的进气口以及箱体内气体的出气口都增加密封套保证气体不会泄露从而减少对钻石培育的影响。
附图说明
[0022]图1为本技术提出的一种高密封性的MPCVD设备的侧视图；
[0023]图2为本技术提出的一种高密封性的MPCVD设备的正视图；
[0024]图3为本技术提出的一种高密封性的MPCVD设备的整体图；
[0025]图4为本技术提出的一种高密封性的MPCVD设备的安装条剖视图。
[0026]图例说明：
[0027]1、底座；2、箱体；21、滑轨；211、第三密封条；3、观察窗；31、安装条；311、凹槽；312、第一密封条；313、垫片；314、隔板；32、玻璃；4、箱盖；41、滑块；5、反应台；6、微波装置；7、第二密封条；8、进气口；9、出气口；10、密封套；11、气管；12、气罐；13、收集罐；14、限位块。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0030]参照图1
‑
4，本技术提供的一种实施例：一种高密封性的MPCVD设备，包括底座1，底座1上侧固定连接有箱体2，箱体2前端中间设置有观察窗3，观察窗3包括安装条31且安
装条31外侧与箱体2之间固定连接，箱体2上侧转动连接有箱盖4，箱盖4下侧两端固定连接有第二密封条7，向左推开箱盖4，箱盖4下侧的滑块41在箱体2上侧的滑轨21中向左滑动，将金刚石衬底放在箱体2内的反应台5上，向右推箱盖4推至箱体2右端的第二密封条7处，箱体2内侧底部固定连接有反应台5，箱体2内壁左右两侧固定连接有微波装置6，打开微波装置6，打开气罐12上的阀门，反应气体由气罐12沿着气管11至进气口8进入箱体2内，微波将反应气体刺激为等离子状态，等离子体呈球状形成于金刚石衬底上，箱体2上端前后两边固定连接有滑轨21，箱体2上侧两端固定连接有第二密封条7，箱盖4上端前侧左边设置有进气口8，箱体2后端右侧下边设置有出气口9。
[0031]安装条31包括凹槽311且凹槽311内侧左右两边固定连接有第一密封条312，第一密封条312的材质为橡胶，凹槽311内侧底部固定连接有垫片313且垫片313上端两边固定连接有玻璃32，两片玻璃32之间固定连接有隔板314，采用双层玻璃32结构并且用隔板314隔开，起到保温的效果，既能透过观察窗3观察钻石形成进度又不流失箱体2内部温度，箱盖4下端前后两边固定连接有滑块41且滑块41外侧与滑轨21内侧滑动连接，滑块41左端固定连接有限位块14，滑轨21内侧两边均固定连接有第三密封条21本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密封性的MPCVD设备，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)上侧固定连接有箱体(2)，所述箱体(2)前端中间设置有观察窗(3)，所述观察窗(3)包括安装条(31)且所述安装条(31)外侧与箱体(2)之间固定连接，所述箱体(2)上侧转动连接有箱盖(4)，所述箱盖(4)下侧两端固定连接有第二密封条(7)，所述箱体(2)内侧底部固定连接有反应台(5)，所述箱体(2)内壁左右两侧固定连接有微波装置(6)，所述箱体(2)上端前后两边固定连接有滑轨(21)，所述箱体(2)上侧两端固定连接有第二密封条(7)，所述箱盖(4)上端前侧左边设置有进气口(8)，所述箱体(2)后端右侧下边设置有出气口(9)。2.根据权利要求1所述的一种高密封性的MPCVD设备，其特征在于：所述安装条(31)包括凹槽(311)且所述凹槽(311)内侧左右两边固定连接有第一密封条(312)，所述第一密封条(312)的材质为橡胶。3.根据权利要求2所述的一种高密封性的MPCVD设备，其特征在于：所述凹槽(311)内侧底部固定连接有垫片(313)且所述垫片(313)上端两边固定连接有...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏伟，陈丽，冯真，
申请(专利权)人：四川瑞能晶石科技有限公司，
类型：新型
国别省市：