显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了显示装置。该显示装置的像素电路包括第一至第六薄膜晶体管以及第一电容器和第二电容器。第一薄膜晶体管产生驱动电流，第六薄膜晶体管连接在发光元件与第一薄膜晶体管之间并且控制驱动电流的传输，并且第二电容器连接在第六薄膜晶体管的栅电极与发光元件之间。元件之间。元件之间。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本申请要求于2022年3月11日递交的韩国专利申请第10
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2022
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0030668号的优先权以及从其获得的所有权益，其内容通过引用整体并入本文。


[0002]在本文中本公开涉及其中提高了低灰度性能的显示装置。

技术介绍

[0003]显示面板包括多个像素以及用于控制多个像素的驱动电路(例如，扫描驱动电路、数据驱动电路和发光驱动电路)。多个像素中的每一个包括发光元件以及控制发光元件的像素电路。像素电路可以包括彼此紧密地连接的多个薄膜晶体管。被提供到发光元件的驱动电流由多个薄膜晶体管控制。

技术实现思路

[0004]本公开提供了包括低灰度性能被提高的像素的显示装置。
[0005]本专利技术构思的实施例提供了包括包含像素的显示面板的显示装置，像素包括像素电路以及连接到像素电路的发光元件。像素电路包括：第一薄膜晶体管，包括第一电极、第二电极以及连接到第一节点的栅电极，并且产生驱动电流；第二薄膜晶体管，连接在第一薄膜晶体管的第一电极与数据线之间；第三薄膜晶体管，连接在第一节点与第一薄膜晶体管的第二电极之间；第四薄膜晶体管，连接在第一节点与初始化电压线之间；第五薄膜晶体管，连接在第一薄膜晶体管的第一电极与第一驱动电压线之间；第六薄膜晶体管，连接在第一薄膜晶体管的第二电极与发光元件之间，并且控制驱动电流的传输；第一电容器，连接在第一节点与第一驱动电压线之间；以及第二电容器，连接在第六薄膜晶体管的栅电极与发光元件之间。
[0006]在实施例中，第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管中的每一个可以是包括氧化物半导体层的N沟道金属氧化物半导体(“NMOS”)薄膜晶体管。
[0007]在实施例中，第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管中的每一个可以是包括氧化物半导体层的NMOS薄膜晶体管。
[0008]在实施例中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每一个可以是包括硅半导体层的P沟道金属氧化物半导体(“PMOS”)薄膜晶体管。
[0009]在实施例中，像素可以被提供成多个，并且多个像素可以包括第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素。第一颜色像素包括第一像素电路以及与第一像素电路连接的第一发光元件，第二颜色像素包括第二像素电路以及与第二像素电路连接的第二发光元件，第三颜色像素包括第三像素电路以及与第三像素电路连接的第三发光元件，第一颜色像素提供红光，第二颜色像素提供绿光，并且第三颜色像素提供蓝光。
[0010]在实施例中，第一像素电路的第二电容器的第一电容可以不同于第二像素电路的第二电容器的第二电容和第三像素电路的第二电容器的第三电容中的每一个。
[0011]在实施例中，第二电容可以大于第一电容和第三电容中的每一个，并且第一电容可以大于第三电容。
[0012]在实施例中，第二发光元件的电容可以大于第一发光元件的电容和第三发光元件的电容中的每一个，并且第一发光元件的电容可以大于第三发光元件的电容。
[0013]在实施例中，第一像素电路的第二电容器的第一电容、第二像素电路的第二电容器的第二电容和第三像素电路的第二电容器的第三电容可以基本上相同。
[0014]在实施例中，第二电容器可以包括：第一电极，连接到第六薄膜晶体管的栅电极；以及第二电极，连接到发光元件的阳极。第二电容器的第二电极与第一薄膜晶体管的栅电极设置在同一层中。
[0015]在实施例中，第六薄膜晶体管可以包括：半导体图案；以及第六薄膜晶体管的栅电极，在半导体图案上。像素电路可以进一步包括：第一连接电极，设置在第六薄膜晶体管的栅电极上的多个绝缘层上，并且穿过多个绝缘层以连接到半导体图案的第一部分；以及第二连接电极，设置在多个绝缘层上，并且穿过多个绝缘层以连接到半导体图案的第二部分。
[0016]在实施例中，第二电容器可以包括：第一电极，在半导体图案之下；以及第二电极，在第二电容器的第一电极之下。
[0017]在实施例中，第二电容器的第二电极与第二电容器的第一电极之间的栅绝缘层的厚度可以小于多个绝缘层中的每一个的厚度。
[0018]在实施例中，第二电容器的第二电极可以电连接到第二连接电极。
[0019]在实施例中，第一电容器可以包括：第一电极，电连接到第一节点；以及第二电极，电连接到第一驱动电压线，并且第二电容器可以包括：第三电极，电连接到第六薄膜晶体管的栅电极并且与第一电容器的第二电极设置在同一层中；以及第四电极，与发光元件电连接并且与第一电容器的第一电极设置在同一层中。
[0020]在本专利技术构思的实施例中，显示装置包括包含像素的显示面板，像素包括像素电路以及连接到像素电路的发光元件。像素电路包括：开关薄膜晶体管，根据开关操作传输数据信号；驱动薄膜晶体管，产生与数据信号相对应的驱动电流；NMOS发光控制薄膜晶体管，连接在驱动薄膜晶体管与发光元件之间，控制驱动电流的传输，并且包括氧化物半导体层；以及补偿电容器，连接在NMOS发光控制薄膜晶体管的栅电极与发光元件之间。
[0021]在实施例中，像素可以被提供成多个，并且多个像素可以包括第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素。第一颜色像素包括第一像素电路以及与第一像素电路连接的第一发光元件，第二颜色像素包括第二像素电路以及与第二像素电路连接的第二发光元件，第三颜色像素包括第三像素电路以及与第三像素电路连接的第三发光元件，第一颜色像素提供红光，第二颜色像素提供绿光，并且第三颜色像素提供蓝光。
[0022]在实施例中，第一像素电路的补偿电容器的第一电容、第二像素电路的补偿电容器的第二电容和第三像素电路的补偿电容器的第三电容可以彼此不同。
[0023]在实施例中，第一像素电路的补偿电容器的第一电容、第二像素电路的补偿电容器的第二电容和第三像素电路的补偿电容器的第三电容可以彼此基本上相同。
[0024]在实施例中，NMOS发光控制薄膜晶体管可以包括：半导体图案；以及栅电极，在半导体图案上，像素电路可以进一步包括：第一连接电极，设置在设置于栅电极上的多个绝缘层上，并且穿过多个绝缘层以连接到半导体图案的第一部分；以及第二连接电极，设置在多
个绝缘层上，并且穿过多个绝缘层以连接到半导体图案的第二部分，并且补偿电容器可以包括：第一电极，在半导体图案之下；以及第二电极，在补偿电容器的第一电极之下。
[0025]在本专利技术构思的实施例中，显示装置包括包含像素的显示面板，像素包括像素电路以及连接到像素电路的发光元件。像素电路包括：第一薄膜晶体管，包括第一电极、第二电极以及连接到第一节点的栅电极，并且产生驱动电流；第二薄膜晶体管，连接在第一薄膜晶体管的第一电极与数据线之间；第三薄膜晶体管，连接在第一节点与第一薄膜晶体管的第二电极之间；第四薄膜晶体管，连接在第一节点与初始化电压线之间；第五薄膜晶体管，连接在第一薄膜晶体管的第一电极与第一驱动电压线之间；第六薄膜晶体管，连接在第一薄膜晶体管的第二电极与发光元件之间，并且控制驱动电流的传输；第一电容器，连接在第一节点与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：显示面板，包括像素，所述像素包括像素电路以及连接到所述像素电路的发光元件，所述像素电路包括：第一薄膜晶体管，包括第一电极、第二电极以及连接到第一节点的栅电极，并且产生驱动电流；第二薄膜晶体管，连接在所述第一薄膜晶体管的所述第一电极与数据线之间；第三薄膜晶体管，连接在所述第一节点与所述第一薄膜晶体管的所述第二电极之间；第四薄膜晶体管，连接在所述第一节点与初始化电压线之间；第五薄膜晶体管，连接在所述第一薄膜晶体管的所述第一电极与第一驱动电压线之间；第六薄膜晶体管，控制所述驱动电流的传输；第一电容器，连接在所述第一节点与所述第一驱动电压线之间；以及第二电容器，其中，所述第六薄膜晶体管连接在所述第一薄膜晶体管的所述第二电极与所述发光元件之间，并且所述第二电容器连接在所述第六薄膜晶体管的栅电极与所述发光元件之间。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第五薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管中的每一个是包括氧化物半导体层的N沟道金属氧化物半导体NMOS薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管中的每一个是包括氧化物半导体层的NMOS薄膜晶体管。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个是包括硅半导体层的P沟道金属氧化物半导体PMOS薄膜晶体管。5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其中，所述像素被提供成多个，并且多个像素包括第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素，其中，所述第一颜色像素包括第一像素电路以及与所述第一像素电路连接的第一发光元件，所述第二颜色像素包括第二像素电路以及与所述第二像素电路连接的第二发光元件，并且所述第三颜色像素包括第三像素电路以及与所述第三像素电路连接的第三发光元件，并且所述第一颜色像素提供红光，所述第二颜色像素提供绿光，并且所述第三颜色像素提供蓝光。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一像素电路的所述第二电容器的第一电容不同于所述第二像素电路的所述第二电容器的第二电容和所述第三像素电路的所述第二电容器的第三电容中的每一个。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二电容大于所述第一电容和所述第三电容中的每一个，并且所述第一电容大于所述第三电容。8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二发光元件的电容大于所述第一发光元件的电容和所述第三发光元件的电容中的每一个，并且所述第一发光元件的所述电容大于所述第三发光元件的所述电容。9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一像素电路的所述第二电容器的第一
电容、所述第二像素电路的所述第二电容器的第二电容和所述第三像素电路的所述第二电容器的第三电容相同。10.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其中，所述第二电容器包括：第一电极，连接到所述第六薄膜晶体管的所述栅电极；以及第二电极，连接到所述发光元件的阳极，其中，所述第二电容器的所述第二电极与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极设置在同一层中。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第六薄膜晶体管包括：半导体图案；以及所述第六薄膜晶体管的所述栅电极，在所述半导体图案上，并且其中，所述像素电路进一步包括：第一连接电极，设置在所述第六薄膜晶体管的所述栅电极上的多个绝缘层上，并且穿过所述多个绝缘层以连接到所述半导体图案的第一部分；以及第二连接电极，设置在所述多个绝缘层上，并且穿过所述多个绝缘层以连接到所述半导体图案的第二部分。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二电容器包括：第一电极，在所述半导体图案之下；以及第二电极，在所述第二电容器的所述第一电极之下。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二电容器的所述第二电极与所述第二电容器的所述第一电极之间的栅绝缘层的厚度小于所述多个绝缘层中的每一个的厚度。14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二电容器的所述第二电极电连接到所述第二连接电极。15.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其中，所述第一电容器包括：第一电极，电连接到所述第一节点；以及第二电极，电连接到所述第一驱动电压线，并且所述第二电容器包括：第三电极，电连接到所述第六薄膜晶体管的所述栅电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：申暻周，金良洙，朴正国，吴在泳，李宇镇，郑在皓，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：