铬烧结体及其制造方法、溅射靶以及带铬膜的基板的制造方法技术

本发明专利技术涉及铬烧结体及其制造方法、溅射靶以及带铬膜的基板的制造方法。铬烧结体包含颗粒。颗粒的平均KAM值为2

【技术实现步骤摘要】
铬烧结体及其制造方法、溅射靶以及带铬膜的基板的制造方法


[0001]本公开涉及铬烧结体及其制造方法、溅射靶以及带铬膜的基板的制造方法。

技术介绍

[0002]铬溅射靶(以下，也简称为“靶”)被广泛用于铬膜的形成。铬膜有时在作为半导体用光掩模的基材的掩模坯等中形成。靶中的氧含量多，则在通过溅射法形成铬膜时，有时产生被称为微粒的包含金属氧化物的杂质颗粒而混入铬膜中。该微粒也会成为在使用掩模坯形成的微细的布线中引起短路的主要原因。因此，对于靶要求降低氧含量。例如在下述日本特开2015
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196885号公报中公开了将氧含量降低到30ppm以下的极低氧/超高纯度铬靶。

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0003]但是，日本特开2015
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196885号公报中记载的靶具有以下所示的技术问题。即，日本特开2015
‑
196885号公报所述的靶虽然具有低氧含量，但在通过溅射法形成铬膜时，在提高铬膜的膜厚均匀性方面具有改善的余地。
[0004]本公开是鉴于上述技术问题而完成的，其目的在于提供一种铬烧结体及其制造方法、溅射靶以及带铬膜的基板的制造方法，该铬烧结体能够制造在通过溅射法形成铬膜时可提高铬膜的膜厚均匀性的溅射靶，并且具有低的氧含量。
[0005]本专利技术人等发现通过以下的公开能够解决上述技术问题。即，本专利技术如权利要求书所示，另外，本公开的主旨如下所示。(1)一种铬烧结体，其包含颗粒，所述颗粒的平均KAM值为2
°
以下，所述颗粒的平均粒径大于150μm且为400μm以下。(2)根据(1)所述的铬烧结体，其中，氧含量为100质量ppm以下，相对密度大于99.6％。(3)根据(1)或(2)所述的铬烧结体，其中，维氏硬度为100HV以上。(4)根据(1)至(3)中任一项所述的铬烧结体，其中，金属杂质的含量的总计为100质量ppm以下。(5)根据(1)至(4)中任一项所述的铬烧结体，其中，所述颗粒的平均纵横比为1以上且1.8以下。(6)一种铬烧结体的制造方法，其为制造(1)至(5)中任一项所述的铬烧结体的方法，其中，所述方法具备：加热处理工序，将电解铬片在1200℃以上且1400℃以下进行加热处理；以及烧成工序，在所述加热处理工序之后将所述电解铬片填充于容器内，通过热等静压加压处理对得到的填充物进行烧成。
(7)根据(6)所述的铬烧结体的制造方法，其中，加热处理的气氛为不活泼气体气氛。(8)根据(6)或(7)所述的铬烧结体的制造方法，其中，所述电解铬片的氧含量为130质量ppm以下。(9)一种溅射靶，其具备(1)至(5)中任一项所述的铬烧结体。(10)一种带铬膜的基板的制造方法，其中，使用(9)所述的溅射靶，通过溅射法在基板上形成铬膜来制造带铬膜的基板。
[0006]根据(1)，能够制造在通过溅射法形成铬膜时可提高铬膜的膜厚均匀性的溅射靶，也能够具有低的氧含量。
[0007]根据(2)，铬烧结体的相对密度高于99.6％，从而在使用由该铬烧结体得到的靶并通过溅射法形成铬膜时，能够抑制异常放电或微粒的产生，提高铬膜的膜品质。另外，通过铬烧结体的氧含量为100质量ppm以下，能够制造在成膜时减少向铬膜的氧的混入、能够抑制由氧的混入所致的微粒的产生的靶。进而，还能够制造可形成结晶性更高的铬膜的靶。
[0008]根据(3)，能够抑制微粒的产生，并且能够抑制下述情况：在溅射中靶表面由于等离子体的碰撞而成为高温，在表面产生应力，靶产生破裂。
[0009]根据(4)，能够进一步抑制在使用铬烧结体得到的靶中由金属杂质引起的颗粒的晶界的脆弱化，进一步提高靶的强度，能够在通过溅射法形成铬膜时抑制微粒的产生。
[0010]根据(6)，能够有效地制造上述铬烧结体。
[0011]根据(9)，本公开的溅射靶由于具备上述铬烧结体，因此在通过溅射法形成铬膜时，能够形成具有低氧含量的铬膜，能够提高铬膜的膜厚均匀性。
[0012]根据(10)，由于使用上述溅射靶，因此在通过溅射法的基板上形成铬膜时，能够形成具有低氧含量的铬膜，能够提高铬膜的膜厚均匀性。专利技术效果
[0013]根据本公开，可提供一种铬烧结体及其制造方法、溅射靶以及带铬膜的基板的制造方法，该铬烧结体能够制造在通过溅射法形成铬膜时可提高铬膜的膜厚均匀性的溅射靶，并且具有低的氧含量。
附图说明
[0014]图1是用于说明观察区域A的烧结体的俯视示意图。图2是用于说明测定部分B的烧结体的截面示意图。图3是具有与图1不同的端面形状的烧结体的俯视示意图。图4是具有与图1及图3不同的端面形状的烧结体的俯视示意图。图5是示出带铬膜的基板的铬膜的表面处的测定点的图。附图标记说明1
…
烧结体、10
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铬膜、11
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表面、12
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背面、13
…
截面、A
…
观察区域、B
…
测定部分。
具体实施方式
[0015]关于本公开，示出一实施方式而进行详细说明，但本公开并不限于以下的实施方
式。
[0016]＜铬烧结体＞本公开的铬烧结体是以铬为基体(主相)的烧结体，进而主要是由铬的颗粒(晶粒)构成的烧结体，也可以是利用仅包含铬的晶粒的颗粒构成的烧结体。本公开的铬烧结体包含颗粒，颗粒的平均KAM值为2
°
以下，颗粒的平均粒径大于150μm且为400μm以下。根据本公开的铬烧结体，能够制造具有低氧含量、且通过溅射法形成铬膜时可提高铬膜的膜厚均匀性的溅射靶。以下，对铬烧结体进行详细说明。
[0017](平均粒径)构成铬烧结体的颗粒的平均粒径大于150μm且为400μm以下。通过使颗粒的平均粒径大于150μm且为400μm以下，能够制造具有低氧含量的靶。另外，溅射时，能够抑制异常放电，能够稳定地引起放电。颗粒的平均粒径更优选为200μm以上且400μm以下，进一步优选为230μm以上且350μm以下，特别优选为250μm以上且300μm以下。平均晶体粒径(平均粒径)能够通过依据JIS G 0551：2013的附录C的切断法的方法求出，所述平均粒径是一边观察铬烧结体或靶的组织，一边根据横切构成铬烧结体或靶的晶粒的线段的每1晶粒的平均线段长度求出的值。或者，在铬烧结体或靶的组织的截面进行了研磨后进行电解蚀刻，对观察到的100点以上(优选120
±
20点)的颗粒，基于由直径法测定的粒径来制作粒径的粒度分布，在该情况下，平均粒径可以为该粒度分布中的中值(D50)。作为铬烧结体或靶的组织的观察方法，可举出使用光学显微镜或电子显微镜进行观察的方法等。
[0018](平均纵横比)构成铬烧结体的颗粒的平均纵横比没有特别限制，优选为1以上且1.8以下，更优选为1.0以上且1.6以下，进一步优选为1.05以上且1.2以下。纵横比是指将构成铬烧结体的颗粒近似椭圆时的长径/短径，是示出颗粒形状的各向同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铬烧结体，其特征在于，包含颗粒，所述颗粒的平均KAM值为2
°
以下，所述颗粒的平均粒径大于150μm且为400μm以下。2.根据权利要求1所述的铬烧结体，其中，氧含量为100质量ppm以下，相对密度高于99.6％。3.根据权利要求1或2所述的铬烧结体，其中，维氏硬度为100HV以上。4.根据权利要求1或2所述的铬烧结体，其中，金属杂质的含量的总计为100质量ppm以下。5.根据权利要求1或2所述的铬烧结体，其中，所述颗粒的平均纵横比为1以上且1.8以下。6.权利要求1所述的铬烧结体的制造方法，其特征在于，具备：...

【专利技术属性】
技术研发人员：召田雅实，正能大起，伊藤谦一，花轮浩一，
申请(专利权)人：东曹先进材料株式会社，
类型：发明
国别省市：